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本申请公开一种半导体器件及其制备方法，能够保护有源层不受后续制程影响且制备成本较低。本申请提供一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上表面形成栅极功能层，且所述栅极功能层沿第一方向分布的第一端和第二端均呈第一台阶状；在...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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