一种半导体集成电路宽排引线框架制造技术

技术编号:35369785 阅读:21 留言:0更新日期:2022-10-29 18:11
本实用新型专利技术涉及半导体引线框架技术领域,且公开了一种半导体集成电路宽排引线框架,包括芯片,所述芯片的底部固定设有引线框架,所述引线框架的顶部开设有方槽,所述方槽的外沿开设有凹槽,所述引线框架的顶部镶嵌有金属焊盘,所述引线框架的底部设有引脚组件。通过凹槽的顶部开设的滑槽,使得引线框架与胶水的接触面积增加,进而使得胶水与引线框架的吸附力增加,从而降低芯片所吸附的胶水量,从而解决因胶体残留,带来的人工及生产成本的增加,通过引脚组件使得引线框架与电路板存在一定的缝隙,进而增加设备散热效率,同时引脚组件的形状,使得空气在通过引脚组件时,可以进一步提高散热效率,进而解决使芯片散热效率较低的问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体集成电路宽排引线框架


[0001]本技术涉及半导体引线框架
,具体为一种半导体集成电路宽排引线框架。

技术介绍

[0002]引线框架作为一种半导体集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料,在电子产品中有广泛的应用。
[0003]在实际生产过程中,半导体集成电路宽排引线框架的贴装芯片工序,需要使用到胶水,但因芯片的吸附性,使得芯片会吸附过多的胶水,导致其生产质量降低,因胶体残留,带来的人工及生产成本的增加,现有的宽排引线框架引脚过于密集,导致与芯片与电路板之间空隙过低,进而使芯片的散热效率降低。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足,本技术提供了一种半导体集成电路宽排引线框架,具备芯片散热效率增加,胶水残留降低的优点,解决了芯片会吸附过多的胶水,导致人工及生产成本的增加和芯片与电路板之间空隙过低,进而使芯片的散热效率降低的问题。
[0005]本技术提供如下技术方案:一种半导体集成电路宽排引线框架,包括芯片,所述芯片的底部固定设有引线框架,所述引线框架的顶部开设有方槽,所述方槽的外沿开设有凹槽,所述引线框架的顶部镶嵌有金属焊盘,所述引线框架的底部设有引脚组件,所述引脚组件的底部设有电路板。
[0006]作为本技术的一种优选技术方案,所述凹槽的顶部开设有若干滑槽,所述凹槽顶部滑槽的数量视凹槽的大小决定,所述凹槽的顶部喷涂有树脂胶水,所述芯片与引线框架通过凹槽顶部的树脂胶水固定。
[0007]作为本技术的一种优选技术方案,所述金属焊盘位于凹槽的外侧,所述金属焊盘与引线框架之间的设有绝缘层,且金属焊盘与芯片电气连接,所述凹槽的顶部喷涂有树脂胶水,所述芯片与引线框架通过凹槽顶部的树脂胶水固定。
[0008]作为本技术的一种优选技术方案,其特征在于:所述引线框架的底部粘接有金板,且金板的厚度为0.02毫米。
[0009]作为本技术的一种优选技术方案,所述引脚组件,包括有第一挡板,所述第一挡板的正面设有第二挡板,所述第一挡板的左侧外沿固定设有第一弧形板,所述第二挡板的左侧外沿固定设有第二弧形板,所述第一弧形板的右侧设有第一直槽柱,所述第二弧形板的右侧设有第二直槽柱。
[0010]作为本技术的一种优选技术方案,所述第一弧形板与第二弧形板皆呈半圆弧状,所述第一直槽柱与第二直槽柱皆位于第一弧形板与第二弧形板的圆心一侧,所述第一
直槽柱与第二直槽柱内腔皆镶嵌有引脚,且引线框架通过第一直槽柱与第二直槽柱内腔镶嵌的引脚与电路板电气连接,所述第一直槽柱与第二直槽柱的外沿粘接有散热瓷片。
[0011]与现有技术对比,本技术具备以下有益效果:
[0012]1、该半导体集成电路宽排引线框架,通过凹槽的顶部开设的滑槽,使得引线框架与胶水的接触面积增加,进而使得胶水与引线框架的吸附力增加,从而降低芯片所吸附的胶水量,从而解决因胶体残留,带来的人工及生产成本的增加。
[0013]2、该半导体集成电路宽排引线框架,通过引脚组件使得引线框架与电路板存在一定的缝隙,进而增加设备散热效率,同时引脚组件的形状,使得空气在通过引脚组件时,可以进一步提高散热效率,进而解决使芯片散热效率较低的问题。
附图说明
[0014]图1为本技术立体结构示意图;
[0015]图2为本技术方槽结构示意图;
[0016]图3为本技术图2中A处放大结构示意图;
[0017]图4为本技术引脚组件结构示意图;
[0018]图5为本技术图4中B处放大结构示意图。
[0019]图中:1、芯片;2、引线框架;3、方槽;4、凹槽;5、金属焊盘;6、引脚组件;61、第一挡板;62、第二挡板;63、第一弧形板;64、第二弧形板;65、第一直槽柱;66、第二直槽柱;7、电路板。
具体实施方式
[0020]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0021]请参阅图1

5,一种半导体集成电路宽排引线框架,包括芯片1,芯片1的底部固定设有引线框架2,引线框架2的顶部开设有方槽3,方槽3的外沿开设有凹槽4,引线框架2的顶部镶嵌有金属焊盘5,引线框架2的底部设有引脚组件6,引脚组件6的底部设有电路板7,上述结构中,通过开设有方槽3,使得引线框架2的材料使用降低,进而使得设备的生产成本降低。
[0022]如图2所示,凹槽4的顶部开设有若干滑槽,凹槽4顶部滑槽的数量视凹槽4的大小决定,凹槽4的顶部喷涂有树脂胶水,芯片1与引线框架2通过凹槽4顶部的树脂胶水固定,在实际生产过程中,在对芯片1进行封装时,需要使用到胶水,但因芯片1与胶水相接触,导致芯片1吸附过多胶水,从而影响产品的质量,因此,通过上述结构中,凹槽4的顶部开设的滑槽,使得引线框架2与胶水的接触面积增加,进而使得胶水与引线框架2的吸附力增加,从而降低芯片1所吸附的胶水量。
[0023]如图2所示,金属焊盘5位于凹槽4的外侧,金属焊盘5与引线框架2之间的设有绝缘层,且金属焊盘5与芯片1电气连接,凹槽4的顶部喷涂有树脂胶水,芯片1与引线框架2通过凹槽4顶部的树脂胶水固定,上述结构中,在金属焊盘5与引线框架2之间的设置绝缘层,可
避免金属焊盘5与引线框架2相接触,导致芯片1短路的问题,同时通过凹槽4的顶部喷涂的树脂胶水,可进一步增加金属焊盘5与引线框架2之间的绝缘性能。
[0024]如图5所示,引线框架2的底部粘接有金板,且金板的厚度为0.02毫米,芯片1在实际使用过程中,会产生大量的热能,如热能不能及时排除,会降低芯片1的运转效率,因此在引线框架2的底部粘接金板,利用金材料的良好散热性能,使得芯片1的散热效率增加,进而使得设备的稳定性增加。
[0025]如图4

5所示,引脚组件6,包括有第一挡板61,第一挡板61的正面设有第二挡板62,第一挡板61的左侧外沿固定设有第一弧形板63,第二挡板62的左侧外沿固定设有第二弧形板64,第一弧形板63的右侧设有第一直槽柱65,第二弧形板64的右侧设有第二直槽柱66,上述结构中,通过引脚组件6使得引线框架2与电路板7电气连接,同时通过引脚组件6使得引线框架2与电路板7存在一定的缝隙,进而使得芯片1可通过其缝隙进行散热,进一步增加设备散热效率,同时引脚组件6的形状设置与特斯拉阀的基本原理一致,因此利用特斯拉阀单向流通加速的特性,使得空气在通过引脚组件6时,可以进一步提高散热效率。
[0026]如图5所示,本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体集成电路宽排引线框架,包括芯片(1),其特征在于:所述芯片(1)的底部固定设有引线框架(2),所述引线框架(2)的顶部开设有方槽(3),所述方槽(3)的外沿开设有凹槽(4),所述引线框架(2)的顶部镶嵌有金属焊盘(5),所述引线框架(2)的底部设有引脚组件(6),所述引脚组件(6)的底部设有电路板(7)。2.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路宽排引线框架,其特征在于:所述凹槽(4)的顶部开设有若干滑槽,所述凹槽(4)顶部滑槽的数量视凹槽(4)的大小决定,所述凹槽(4)的顶部喷涂有树脂胶水,所述芯片(1)与引线框架(2)通过凹槽(4)顶部的树脂胶水固定。3.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路宽排引线框架,其特征在于:所述金属焊盘(5)位于凹槽(4)的外侧,所述金属焊盘(5)与引线框架(2)之间的设有绝缘层,且金属焊盘(5)与芯片(1)电气连接,所述凹槽(4)的顶部喷涂有树脂胶水,所述芯片(1)与引线框架(2)通过凹槽(4)顶部的树脂胶水固定。4.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路宽排...

【专利技术属性】
技术研发人员:柯美延
申请(专利权)人:深圳市佳航芯电子有限公司
类型:新型
国别省市:

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