一种桥式MOSFET功率模块结构及驱动电路制造技术

一种桥式MOSFET功率模块结构，该模块为DFN/QFN封装结构，包括引线框架和MOSFET晶粒，所述引线框架包括基座和引脚，所述基座包括第一基座、与构成下桥的MOSFET晶粒数量相等的第二基座和第三基座，所述第一基座用于构成上桥的MOSFET晶粒装配，所述第一基座与供电引脚电气连接，构成上桥的MOSFET晶粒的漏极分别与所述第一基座连接；构成下桥的MOSFET晶粒分别装配于独立的第二基座上，所述第二基座分别与所述第三基座连接，所述第三基座与接地引脚电气连接，构成下桥的MOSFET晶粒的源极分别与各自装配的第二基座连接。该模块采用封装结构，在实际使用过程中使用该模块即可实现由MOSFET晶粒构成的功能电路的功能，无需配置分立芯片，减少了PCB板布局布线难度，保证了产品一致性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种桥式MOSFET功率模块结构及驱动电路


[0001]本技术属于电子电路领域，尤其是涉及一种桥式MOSFET功率模块结构及驱动电路。

技术介绍

[0002]金属
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氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field
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effect transistor)。
[0003]MOSFET可以用于构建实现各种功能的电路，如开关电路、放大电路、桥式驱动电路等。传统电路结构中，MOSFET以独立芯片方式出现，焊接在PCB板上与其它元器件实现电气连接，虽能实现相应的电路功能，但存在一些问题，就三相桥式驱动电路而言，存在的问题为：
[0004]1.多颗MOSFET器件组合使用产品一致性差；
[0005]2.器件或模组布局上散热不均衡。
[0006]3.三相电源输入独立设计，增加系统PCB板级的设计和布局难度；
[0007]4.三相接地独立引出，增加系统PCB板级的设计和布局难度，EMC测试效果差。

技术实现思路

[0008]本技术在此的目的在于提供一种桥式MOSFET功率模块结构，该结构一定程度上保证产品一致性，便于布局。
[0009]为实现本技术目的，在此提供的桥式MOSFET功率模块结构为DFN/QFN封装结构，包括引线框架和MOSFET晶粒，所述引线框架包括基座和引脚，所述基座包括第一基座、与构成下桥的MOSFET晶粒数量相等的第二基座和第三基座，所述第一基座用于构成上桥的MOSFET晶粒装配，所述第一基座与供电引脚电气连接，构成上桥的MOSFET晶粒的漏极分别与所述第一基座连接；构成下桥的MOSFET晶粒分别装配于独立的第二基座上，所述第二基座分别与所述第三基座连接，所述第三基座与接地引脚电气连接，构成下桥的MOSFET晶粒的源极分别与各自装配的第二基座连接；构成上桥的MOSFET晶粒的栅极和构成下桥的MOSFET晶粒的栅极分别与控制引脚电气连接，构成上桥的MOSFET晶粒的源极分别与对应的下桥MOSFET晶粒的漏极电气连接，并与输出引脚连接。
[0010]在一些实施方式中，本技术提供的模块还包括与构成上桥的MOSFET晶粒的源极电气连接的采集引脚，便于对模块内部进行检测。
[0011]在一些实施方式中，所述输出引脚和控制引脚布设于引线框架底部形成采用引线连接的外部引脚，方便系统PCB板的布局、散热处理和热平衡。
[0012]在一些实施方式中，构成上桥的MOSFET晶粒和下桥的MOSFET晶粒为位于同一片晶圆上的MOSFET晶粒，位于同一片晶圆上相邻位置的晶粒被依次从构成上桥开始布设于所述第一基座和所述第二基座上。
[0013]在一些实施方式中，所述供电引脚形成于所述第一基座上。
[0014]在一些实施方式中，所述接地引脚形成于所述第三基座上。
[0015]本技术提供的桥式MOSFET功率模块结构另一种结构引线框架和MOSFET晶粒Q1～Q6，所述引线框架包括基座和引脚，所述基座包括第一基座、三个第二基座和第三基座；MOSFET晶粒Q1～Q3分别装配于所述第一基座上，其漏极分别于所述第一基座电气连接，所述第一基座与供电引脚电气连接；MOSFET晶粒Q4～Q6分别装配于独立的第二基座上，其源极分别与其各自装配的第二基座连接，所述第二基座与所述第三基座电气连接，所述第三基座与接地引脚电气连接；MOSFET晶粒Q1～Q3的源极与MOSFET晶粒Q4～Q6的漏极电气连接，并分别与输出引脚连接，所述MOSFET晶粒Q1～Q6的栅极分别与控制引脚连接。
[0016]在一些实施方式中，所述MOSFET晶粒Q1～Q3的源极还作为采集端与采集引脚电气连接。
[0017]本专利技术的第二个目的在于提供一种驱动电路，该驱动电路包括本技术提供的功率模块结构。
[0018]采用本技术技术方案，具有的有益效果至少包括：
[0019]1）本技术提供的模块采用封装结构，在实际使用过程中使用该模块即可实现由MOSFET晶粒构成的功能电路的功能，无需配置分立芯片，减少了PCB板布局布线难度，保证了产品一致性。
[0020]2）采用位于同一片晶圆上的MOSFET晶粒构成本模块，更进一步地提高了模块的一致性。
[0021]3）输入被配置为同一个电源输入，实际使用过程中解决了开关一致性问题，方便其所构成的系统PCB板的布局。
[0022]4）统一接地，在进行构建系统布局时，解决了系统布局难度，散热平均，EMC效果更好。
附图说明
[0023]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
[0024]图1为本技术提供的桥式MOSFET功率模块内部连接图；
[0025]图2为本技术提供的桥式MOSFET功率模块的底部引脚图；
[0026]图3为本技术记载的引线框架的单个单元图；
[0027]图4为本技术桥式电路的电气原理图；
[0028]附图中：灰色区域为引线框架；白色方框为MOSFET晶粒；连接引线框架PAD、芯片的黑色线条和线框为引线。
具体实施方式
[0029]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得专利技术将更加全
面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。
[0030]本技术提供了一种封装式的MOSFET功率模块，该模块将构成功能电路的MOSFET晶粒采用锡膏或银胶焊接在引线框架的基岛上，采用铜线或金线或铝线或铝带或铜片将基岛上MOSFET晶粒与引线框架上的引脚实现有效的电气链接，再采用环氧塑封料封装，构成DFN/QFN封装结构，结合图1
‑
3所示。
[0031]此种模块实现了功能电路的集成化，将其用于构成系统或其它电路时，因无需独立配置分立MOSFET器件，方便系统PCB板的布局，保证了产品的一致性；且引线框架引脚被分布于目标位置，实现了对功能电路输出布局均衡。
[0032]为使一致性更高，本公开将同晶圆相近位置的MOSFET晶粒有效组合。此处同晶圆是指同一晶圆（同一片晶圆上不同晶粒是上下左右挨着，不同晶粒间只存在60um的划片道间隔），相近位置的MOSFET晶粒有效组合是指同一晶圆上相邻位置的晶粒在固晶圆时会依次吸取到引线框架上进行布局构成同一功率模块。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种桥式MOSFET功率模块结构，其特征在于，该模块为DFN/QFN封装结构，包括引线框架和MOSFET晶粒，所述引线框架包括基座和引脚，所述基座包括第一基座、与构成下桥的MOSFET晶粒数量相等的第二基座和第三基座，所述第一基座用于构成上桥的MOSFET晶粒装配，所述第一基座与供电引脚电气连接，构成上桥的MOSFET晶粒的漏极分别与所述第一基座连接；构成下桥的MOSFET晶粒分别装配于独立的第二基座上，所述第二基座分别与所述第三基座连接，所述第三基座与接地引脚电气连接，构成下桥的MOSFET晶粒的源极分别与各自装配的第二基座连接；构成上桥的MOSFET晶粒的栅极和构成下桥的MOSFET晶粒的栅极分别与控制引脚电气连接，构成上桥的MOSFET晶粒的源极分别与对应的下桥MOSFET晶粒的漏极电气连接，并与输出引脚连接。2.根据权利要求1所述的桥式MOSFET功率模块结构，其特征在于，还包括与构成上桥的MOSFET晶粒的源极电气连接的采集引脚。3.根据权利要求1所述的桥式MOSFET功率模块结构，其特征在于，所述输出引脚和控制引脚布设于引线框架底部形成采用引线连接的外部引脚。4.根据权利要求1所述的桥式MOSFET功率模块结构，其特征在于，构成上桥的MOSFET晶粒和下桥的MOSFET晶粒为位于同一片晶圆上的MOSFET晶粒，位于同一片晶圆上...

【专利技术属性】
技术研发人员：张小兵，蒲宝华，廖光朝，
申请(专利权)人：重庆云潼科技有限公司，
类型：新型
国别省市：