一种IGBT驱动过流保护电路及方法技术

本发明专利技术公开了一种IGBT驱动过流保护电路及方法，涉及电力电子技术领域，解决了现有的过流保护电路在过流时不能够及时反馈电路状态，并且不能够及时将输出信号拉低进一步使得IGBT停止工作的技术问题。该电路包括IGBT、驱动模块和控制警示模块；驱动模块的第一端与IGBT的栅极和控制警示模块的第一端相连，驱动模块的第二端接地；控制警示模块的第二端与IGBT的发射极相连，控制警示模块的第三端接地；IGBT的集电极接入供电电压。本发明专利技术在IGBT处于过流状态时，驱动模块及时的将传输的驱动电流流向控制警示模块，通过控制警示模块流向地，强制拉低IGBT的门极电压，还驱动IGBT处于断开状态，保护IGBT，同时通过控制警示模块的指示灯HL处于点亮状态进行及时提示。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力电子，尤其涉及一种igbt驱动过流保护电路及方法。

技术介绍

1、igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)是一种三端半导体开关器件，可用于多种电子设备中的高效快速开关。igbt是由bjt(双极性结型晶体管，bipolar junction transistor)和mos管(金属-氧化物半导体场效应晶体管，metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)组合的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有低导通压降和高输入阻抗的特性。

2、igbt在工作过程中，由于内阻较小，流经igbt的电流由耦接的负载决定，当负载较小或短路时，电路中的电流容易超过igbt的阈值电流，严重情况下会造成驱动管以及负载损坏，因此要对电路中的电流进行过流警示并保护驱动管。现有igbt驱动过流保护电路一般采用采样单元和保护单元相互配合，保护单元根据采样单元采集经过igbt的电压控制igbt的开通或断开，实现对电路的过流保护。但是，现有的过流保护电路在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IGBT驱动过流保护电路，其特征在于，包括IGBT、驱动模块(1)和控制警示模块(2)；所述驱动模块(1)的第一端与所述IGBT的栅极和所述控制警示模块(2)的第一端相连，所述驱动模块(1)的第二端接地；所述控制警示模块(2)的第二端与所述IGBT的发射极相连，所述控制警示模块(2)的第三端接地；所述IGBT的集电极接入供电电压；

2.根据权利要求1所述的IGBT驱动过流保护电路，其特征在于，所述驱动模块(1)包括MCU控制器和驱动IC芯片；所述MCU控制器与所述驱动IC芯片的第一输入端相连，所述驱动IC芯片的第二输入端接地，所述驱动IC芯片的第三输入端接入所述驱动I...

【技术特征摘要】

1.一种igbt驱动过流保护电路，其特征在于，包括igbt、驱动模块(1)和控制警示模块(2)；所述驱动模块(1)的第一端与所述igbt的栅极和所述控制警示模块(2)的第一端相连，所述驱动模块(1)的第二端接地；所述控制警示模块(2)的第二端与所述igbt的发射极相连，所述控制警示模块(2)的第三端接地；所述igbt的集电极接入供电电压；

2.根据权利要求1所述的igbt驱动过流保护电路，其特征在于，所述驱动模块(1)包括mcu控制器和驱动ic芯片；所述mcu控制器与所述驱动ic芯片的第一输入端相连，所述驱动ic芯片的第二输入端接地，所述驱动ic芯片的第三输入端接入所述驱动ic芯片的工作电压，所述驱动ic芯片的第一输出端、所述驱动ic芯片的第二输出端和所述igbt的栅极与所述控制警示模块(2)的第一端相连于第一交点a；

3.根据权利要求2所述的igbt驱动过流保护电路，其特征在于，所述驱动模块(1)还包括电阻r1和电阻r2，所述驱动ic芯片的第一输出端通过所述电阻r1与所述第一交点a相连，所述驱动ic芯片的第二输出端通过所述电阻r2与所述第一交点a相连。

4.根据权利要求3所述的igbt驱动过流保护电路，其特征在于，所述控制警示模块(2)包括nmos晶体管、指示灯hl和电阻r5，所述nmos晶体管的漏极与所述第一交点a相连，所述nmos晶体管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋开悦，黄晓意，胡绍国，廖光朝，
申请(专利权)人：重庆云潼科技有限公司，
类型：发明
国别省市：