二极管模块引线框架制造技术

本发明专利技术涉及一种二极管模块引线框架，包括若干个底片、两根横梁，所述底片分为左底片、右底片，所述左底片与右底片为非对称设置，所述左底片的上侧边的右部区向内收缩形成左上切口，所述左底片的下侧边的右部区向内收缩形成左下切口；在左凸起与左上切口和/或左下切口相接的区域设置有多条倾斜的左V形凹槽；所述右底片的上侧边的左部区向内收缩形成右上切口，所述右底片的下侧边的左部区向内收缩形成右下切口；在右凸起与右上切口和/或右下切口相接的区域设置有多条倾斜的右V形凹槽。本发明专利技术增加了塑封体与框架的结合力，通过这种结构可减少水汽进入塑封体，因而可减少塑封体产生分层，进而提高所制成的二极管的产品质量。进而提高所制成的二极管的产品质量。进而提高所制成的二极管的产品质量。

【技术实现步骤摘要】
二极管模块引线框架


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及二极管模块引线框架。

技术介绍

[0002]塑封集成电路中使用的引线框架是集成电路封装的一种主要材料，他在电路中起到承载IC芯片、连接芯片与外部线路板、安装固定等作用，因此引线框架的原材料需要有良好的导电性、导热性、热膨胀性、强度、耐热性和耐氧化、腐蚀性能。
[0003]优良的引线框架的设计能够提高封装效率，节省原材料消耗，提升产品质量和可靠性。是二极管模块的主要原材料之一，引线框架的设计对二极管封装效率、良率等意义重大。
[0004]塑料封装集成电路是非气密性器件，器件分层发生后给湿气的侵入提供了通道或者缩短了保护的距离。湿气的入侵造成了芯片的腐蚀，使产品可靠性降低或导致产品失效。如湿气与塑封料中的氯离子结合生成盐酸，盐酸对芯片的铝电极以及铝条进行腐蚀，最终导致电极开路使产品失效；分层是两个界面存在间隙，在焊接或者其他高温的冲击下造成间隙扩大，加热时，会变成水汽，使塑封体受力膨胀，当力量大过于塑封体和框架、芯片的粘合力的时候，就会产生离层或塑封体开裂，严重时会造成拉脱焊线造成产品失效，甚至会导致塑封体外部开裂，被称为“爆米花”效应。分层是必须面对和解决的一种致命缺陷，严重影响封装电路的可靠性与老化使用后的功能。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的技术问题是：提供一种二极管模块引线框架，减少封装二极管芯片的塑封体的分层问题。
[0006]本专利技术解决技术问题所采用的技术方案是：一种二极管模块引线框架，包括若干个底片、两根横梁，若干个底片通过第一连接条与横梁连接，相邻的底片之间通过第二连接条连接，所述底片分为左底片、右底片，所述左底片与右底片为非对称设置，其特征在于：所述左底片开有左槽口，所述左槽口的右侧边形成有多个左凸起，相邻左凸起之间形成第一凹槽，所述左底片的上侧边的右部区向内收缩形成左上切口，所述左底片的下侧边的右部区向内收缩形成左下切口；在左凸起与左上切口和/或左下切口相接的区域设置有多条倾斜的左V形凹槽；所述右底片开有右槽口，所述右槽口的左侧边形成有多个右凸起，相邻右凸起之间形成第二凹槽，所述右底片的上侧边的左部区向内收缩形成右上切口，所述右底片的下侧边的左部区向内收缩形成右下切口；在右凸起与右上切口和/或右下切口相接的区域设置有多条倾斜的右V形凹槽。
[0007]进一步地，所述右槽口的左侧边与右底片的左侧边之间具有用于安装二极管芯片的基底区域，所述左槽口的右侧边与左底片的右侧边之间具有引线焊接区域，所述左槽口的右侧边与引线焊接区域之间还具有锁定结合区域，所述锁定结合区域开设有多个结合通
孔。
[0008]进一步地，上、下设置的两根横梁中，其中一根横梁开设有定位孔。
[0009]进一步地，所述左上切口、左下切口处具有内凹口。
[0010]进一步地，所述第一连接条的上部边缘和/或下部边缘设有应力释放凹槽；所述第二连接条的上部边缘和/或下部边缘设有应力释放凹槽。
[0011]进一步地，所述左底片、右底片的材质为KFC铜合金或C194或KLF201。
[0012]本专利技术的有益效果是：在左凸起与左上切口和/或左下切口相接的区域设置有多条倾斜的左V形凹槽；在右凸起与右上切口和/或右下切口相接的区域设置有多条倾斜的右V形凹槽，增加了塑封体与框架的结合力，通过这种结构可减少水汽进入塑封体，因而可减少塑封体产生分层，进而提高所制成的二极管的产品质量。
附图说明
[0013]图1为本专利技术的二极管模块引线框架的局部结构示意图；图2为本专利技术的二极管模块引线框架的另一局部结构示意图；图3为本专利技术的底片的结构示意图；图4为本专利技术的底片安装二极管芯片进行塑料封装后的结构示意图；其中，1、底片；2、横梁；101、左底片；102、右底片；103、左槽口；104、右槽口；105、左V形凹槽；106、右V形凹槽；107、基底区域；108、结合通孔；201、定位孔；202、第一连接条；203、第二连接条。
具体实施方式
[0014]现在结合附图对本专利技术作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图仅以示意方式说明本专利技术的基本结构，因此其仅显示与本专利技术有关的构成。
[0015]如图1、图2、图3、图4所示，一种二极管模块引线框架，包括若干个底片1、两根横梁2，若干个底片1通过第一连接条202与横梁2连接，相邻的底片1之间通过第二连接条203连接，所述底片1分为左底片101、右底片102，所述左底片101与右底片102为非对称设置，其特征在于：所述左底片101开有左槽口103，所述左槽口103的右侧边形成有多个左凸起，相邻左凸起之间形成第一凹槽，所述左底片101的上侧边的右部区向内收缩形成左上切口，所述左底片101的下侧边的右部区向内收缩形成左下切口；在左凸起与左上切口和/或左下切口相接的区域设置有多条倾斜的左V形凹槽105；所述右底片102开有右槽口104，所述右槽口104的左侧边形成有多个右凸起，相邻右凸起之间形成第二凹槽，所述右底片102的上侧边的左部区向内收缩形成右上切口，所述右底片102的下侧边的左部区向内收缩形成右下切口；在右凸起与右上切口和/或右下切口相接的区域设置有多条倾斜的右V形凹槽106。
[0016]优选的，所述右槽口104的左侧边与右底片102的左侧边之间具有用于安装二极管芯片的基底区域107，所述左槽口103的右侧边与左底片101的右侧边之间具有引线焊接区域，所述左槽口103的右侧边与引线焊接区域之间还具有锁定结合区域，所述锁定结合区域开设有多个结合通孔108。在进行塑料封装时，部分塑胶从结合通孔流过，在塑胶固化后结合通孔内形成塑胶柱使得底片正面的塑胶与底片背面的塑胶结合在一起，增加了塑封体与
底片的结合力，且塑封体不易脱离底片。
[0017]如图4所示，在该引线框架的基底区域放置二极管芯片并将二极管芯片与底片焊接，在引线焊接区域焊接引线，引线另一端与二极管芯片焊接连接；焊接完成后在左槽口103与右槽口104之间的区域内注入塑胶进行塑封形成塑封体；在左凸起与左上切口和/或左下切口相接的区域设置有多条倾斜的左V形凹槽105；在右凸起与右上切口和/或右下切口相接的区域设置有多条倾斜的右V形凹槽106，增加了塑封体与框架的结合力，通过这种结构可减少水汽进入塑封体，因而可减少塑封体产生分层，进而提高所制成的二极管的产品质量。
[0018]优选的，上、下设置的两根横梁2中，其中一根横梁2开设有定位孔201。仅一根横梁上开设定位孔201，非对称的定位孔设计，可防止框架反送。
[0019]优选的，所述左上切口、左下切口处具有内凹口；使引线框架在封装过程中，能有效的释放应力，保持良好的平整度。
[0020]优选的，所述第一连接条202的上部边缘和/或下部边缘设有应力释放凹槽；所述第二连接条203的上部边缘和/或下部边缘设有应力释放凹槽。在分切阶段，第一连接条202以及第二连接条203处均需要切断，常规的为片状连接，在冲切时容本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二极管模块引线框架，包括若干个底片（1）、两根横梁（2），若干个底片（1）通过第一连接条（202）与横梁（2）连接，相邻的底片（1）之间通过第二连接条（203）连接，所述底片（1）分为左底片（101）、右底片（102），所述左底片（101）与右底片（102）为非对称设置，其特征在于：所述左底片（101）开有左槽口（103），所述左槽口（103）的右侧边形成有多个左凸起，相邻左凸起之间形成第一凹槽，所述左底片（101）的上侧边的右部区向内收缩形成左上切口，所述左底片（101）的下侧边的右部区向内收缩形成左下切口；在左凸起与左上切口和/或左下切口相接的区域设置有多条倾斜的左V形凹槽（105）；所述右底片（102）开有右槽口（104），所述右槽口（104）的左侧边形成有多个右凸起，相邻右凸起之间形成第二凹槽，所述右底片（102）的上侧边的左部区向内收缩形成右上切口，所述右底片（102）的下侧边的左部区向内收缩形成右下切口；在右凸起与右上切口和/或右下切口相接的区域设置有多条倾斜的右V形凹槽（106...

【专利技术属性】
技术研发人员：白振龙，刘锦阳，练瑞，王亚骥，
申请(专利权)人：常州九天新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：