引线框架、球焊测试方法、球焊测试装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种引线框架、对具有芯片的的引线框架进行球焊测试的球焊测试方法、球焊测试装置，引线框架包括至少一个封装单元，每一封装单元包括基岛、并排且相互间隔设置于基岛的一侧的多个管脚、自基岛的背面向远离管脚的方向延伸的散热片，多个管脚包括与基岛相连接的第一管脚、与基岛间隔设置的至少两个第二管脚；引线框架还包括连接至少两个第二管脚的外管脚段的连接筋、用以封装基岛周缘以及多个管脚的内管脚段的第一封装体；即，第一管脚与第二管脚之间相互绝缘，便于后续在具有芯片的引线框架上进行焊接时，边焊接边进行测试，能够监测球焊制程；同时，减少了后续切筋应力对最终的产品的影响。终的产品的影响。终的产品的影响。

【技术实现步骤摘要】
引线框架、球焊测试方法、球焊测试装置


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种引线框架、对具有芯片的所述的引线框架进行球焊测试的球焊测试方法、球焊测试装置。

技术介绍

[0002]传统的半导体封装单元包括：引线框架10
’
、芯片101
’
、金属线(102
’
、103
’
)，如图1所示，在制备半导体封装单元时，引线框架包括多个相同且相连接的基本单元，每一基本单元包含基岛2
’
、管脚3
’
、连筋4
’
。引线框架在制备过程中利用冲压法或者蚀刻法，最终保留产品所需要的功能区。基岛2
’
和管脚3
’
分别从同一引线框架不同区域延伸出并相互有间隙隔开以形成不同的功能分区，进而在需要球焊的区域镀银。封装的过程中则先通过芯片磨划
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装片
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球焊，使芯片底面的一极与基岛相连，芯片表面通过金属线与管脚相连，再经过包封
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电镀
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成型或者切割最终形成独立单颗的半导体封装单元，最后通过测试将良品与不良品分开。
[0003]传统的半导体封装测试工艺主要包含以下步骤：
[0004]S1、引线框架制造制程完成产品所需要的引线框架外形，形成若干个基岛和管脚集成；
[0005]S2、封测厂将来料晶圆处理成单颗芯片后，将单颗芯片通过焊料粘结到引线框架基岛上实施装片，芯片一极(如我们常见的MOS芯片的D极)则通过焊料转递到引线框架的基岛放大到所延伸的区域；
[0006]S3、芯片上表面的极性(如我们常见的MOS芯片的G和S极)则通过球焊连接到引线框架的管脚上，从而通过管脚将所述极性的功能区域放大到所延伸的区域；
[0007]S4、组装后的引线框架、芯片、焊料、金属线通过包封模具将整条的引线框架内的每一个基本单元内的基岛、焊料、芯片、管脚注入塑封料包裹起来以防止氧化；
[0008]S5、塑封体之外的基岛延伸、管脚延伸作为终端电路板组装的焊接触点需要镀锡以获取稳定的焊接性；
[0009]S6、封装成型并切成单颗的封装形式；
[0010]S7、单颗的产品在测试机台实施电性全性能测试并将良品与不良品分开，良品出货给电路板组装厂上板使用，不良品则由封装厂进行失效分析是哪一道制程的原因导致不良。
[0011]从传统工艺可以看出，在测试时，产品的80％在组装部分已经形成，组装制程中可能会有诸多异常产生，有些制程异常是显性的有些异常是隐性的。综合来看，传统半导体封装测试有以下缺陷：
[0012]1、芯片封装阶段，产品的单元功能是通过引线框架连接在一起的，还不能实现产品的独立功能；
[0013]2、无法实现封装阶段的产品电性能测试；
[0014]3、传统封装测试出的不良品无法精确判断不良的原因及所属工序，工序问题叠加
导致查找不良品的原因陷入困境。
[0015]有鉴于此，有必要提供一种新的引线框架、对具有芯片的所述的引线框架进行球焊测试的球焊测试方法、球焊测试装置以解决上述问题。

技术实现思路

[0016]本专利技术的目的在于提供一种引线框架、对具有芯片的所述的引线框架进行球焊测试的球焊测试方法、球焊测试装置。
[0017]为实现上述专利技术目的，本专利技术采用如下技术方案：一种引线框架，包括至少一个封装单元，每一所述封装单元包括基岛、并排且相互间隔设置于所述基岛的一侧的多个管脚、自所述基岛的背面向远离所述管脚的方向延伸的散热片，所述多个管脚包括与所述基岛相连接的第一管脚、与所述基岛间隔设置的至少两个第二管脚；所述引线框架还包括连接所述至少两个第二管脚的外管脚段的连接筋、用以封装所述基岛周缘以及所述多个管脚的内管脚段的第一封装体，所述第一封装体具有供所述第二管脚的内管脚段向外暴露的窗口。
[0018]作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述第一封装体包括位于所述基岛靠近所述管脚一端的第一封装段、自所述第一封装段的相对两端向远离所述管脚的方向延伸的两个第二封装段，两个所述第二封装段分别封装于所述基岛的相对两侧。
[0019]作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述第一封装体的正面与所述基岛的正面共面，所述第一封装体的背面与所述散热片的背面共面。
[0020]作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述第二管脚的内管脚段具有第一电镀层，所述第一电镀层的厚度介于2μm～8μm之间。
[0021]为实现上述专利技术目的，本专利技术还提供一种球焊测试方法，包括如下步骤：
[0022]将具有芯片的上述的引线框架放置于球焊测试装置上，使一个测试探针与所述连接筋或第二管脚的外管脚段相接触，另一个测试探针与位于所述基岛远离所述管脚一侧的散热片相接触，同时开启测试探针；
[0023]将第一导线的两端分别焊接至芯片上的G极压焊区、与G极对应的第二管脚的内管脚段上；
[0024]将第二导线的一端焊接至芯片上的S极压焊区后测试；
[0025]将第二导线的另一端焊接至与S极对应的第二管脚的内管脚段上后测试；
[0026]将第三根导线的两端分别焊接至芯片上的S极压焊区、与S极对应的第二管脚的内管脚段上后测试；
[0027]同第三导线的焊接及其测试过程，继续对电性连接芯片上的S极压焊区以及与S极对应的第二管脚的内管脚段的其他导线进行焊接以及测试；
[0028]其中，在测试后，累计测试异常，若测试异常超过预设的指标，则球焊机台报警并停机。
[0029]作为本专利技术进一步改进的技术方案，“累计测试异常”具体为：将测试异常则反馈至球焊机台并记录在电子地图上。
[0030]作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述预设的指标为PPM指标。
[0031]为实现上述专利技术目的，本专利技术还提供一种球焊测试装置，包括：
[0032]入料装置；
[0033]球焊轨道，连接于所述入料装置的出料口，所述球焊轨道包括轨道本体、设于所述轨道本体上的夹料装置；
[0034]球焊装置，位于所述球焊轨道的球焊区域处；
[0035]侦测装置，位于所述球焊区域，以在焊接时获取焊接位置；
[0036]至少两个测试探针，位于所述球焊区域，且与所述球焊轨道绝缘连接；
[0037]出料装置，连接于所述球焊轨道的出料端；
[0038]控制系统，所述入料装置、球焊轨道、球焊装置、侦测装置、测试探针、出料装置均与所述控制系统通讯连接。
[0039]作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述球焊轨道还包括设于所述轨道本体一侧且与所述轨道本体相绝缘的固定板，所述测试探针沿上下方向活动连接于所述固定板上。
[0040]作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述球焊轨道还包括设于所述轨道本体上的球焊压板加热块。
[0041]本专利技术的有益效果是：本专利技术中的引线框架中，设置用以封装所述基岛周缘以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种引线框架，包括至少一个封装单元，每一所述封装单元包括基岛、并排且相互间隔设置于所述基岛的一侧的多个管脚、自所述基岛的背面向远离所述管脚的方向延伸的散热片，所述多个管脚包括与所述基岛相连接的第一管脚、与所述基岛间隔设置的至少两个第二管脚；其特征在于：所述引线框架还包括连接所述至少两个第二管脚的外管脚段的连接筋、用以封装所述基岛周缘以及所述多个管脚的内管脚段的第一封装体，所述第一封装体具有供所述第二管脚的内管脚段向外暴露的窗口。2.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于：所述第一封装体包括位于所述基岛靠近所述管脚一端的第一封装段、自所述第一封装段的相对两端向远离所述管脚的方向延伸的两个第二封装段，两个所述第二封装段分别封装于所述基岛的相对两侧。3.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于：所述第一封装体的正面与所述基岛的正面共面，所述第一封装体的背面与所述散热片的背面共面。4.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于：所述第二管脚的内管脚段具有第一电镀层，所述第一电镀层的厚度介于2μm～8μm之间。5.一种球焊测试方法，其特征在于：所述球焊测试方法包括如下步骤：将具有芯片的如权利要求1
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4中任意一项所述的引线框架放置于球焊测试装置上，使一个测试探针与所述连接筋或第二管脚的外管脚段相接触，另一个测试探针与位于所述基岛远离所述管脚一侧的散热片相接触，同时开启测试探针；将第一导线的两端分别焊接至芯片上的G极压焊区、与G极对应的第二管脚的内管脚段上；将第二导线的一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐赛，陆军，
申请(专利权)人：长电科技宿迁有限公司，
类型：发明
国别省市：