【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造领域,尤其涉及一种封装结构及其形成方法。
技术介绍
1、四边扁平封装(quad flat no-leads package,缩写为qfn)是一种无引脚封装,呈正方形或矩形,封装底部中央位置有一个大面积裸露的基岛用来导热,围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的引脚。由于qfn封装不像传统的小外形集成电路(smalloutline integrated circuit,缩写为soic)封装与薄型小尺寸封装(thin small outlinepackage,缩写为tsop)封装那样具有鸥翼状引线,内部引脚与焊盘之间的导电路径短,自感系数以及封装体内布线电阻很低,所以它能提供卓越的电性能。
2、但是,传统的四边扁平封装的散热通道比较单一,由于只能依靠位于封装底部中央的基岛的背面来散热,且其散热面积较小,因此散热速度较慢。并且由于传统的四边扁平封装的引线框架需要有足够的空间来布置连筋以支撑基岛,从而导致管脚的数量受到限制。
3、因此,提供一种能够快速散热且管脚数量不受限制的封装结构及其形成方法是亟需
...【技术保护点】
1.一种封装结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述管脚的底面与所述基岛的顶面平齐,或者所述管脚的底面高于所述基岛的顶面。
3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述管脚位于所述金属柱与所述芯片之间的部分焊接于所述基岛的顶面。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述基岛与所述管脚的厚度不同。
5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述管脚的底面通过第一焊料层焊接于所述基岛的顶面的外缘区域,所述芯片通过第二焊料层焊接于所述基岛的顶面的中心区域。
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...【技术特征摘要】
1.一种封装结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述管脚的底面与所述基岛的顶面平齐,或者所述管脚的底面高于所述基岛的顶面。
3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述管脚位于所述金属柱与所述芯片之间的部分焊接于所述基岛的顶面。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述基岛与所述管脚的厚度不同。
5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述管脚的底面通过第一焊料层焊接于所述基岛的顶面的外缘区域,所述芯片通过第二焊料层焊接于所述基岛的顶面的中心区域。
6.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述基岛的外缘区域设置有通孔,所述引线框架设置在所述基岛的外缘区域的上方,且所述金属柱的第一端穿过所述通孔,所述管脚的底面焊接于所述基岛的顶面的外缘区域。
7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述通孔与所述金属柱一一对应。
8.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,每个所述通孔与两个或两个以上所述金属柱对应。
9.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述基岛与所述引线框架接触的区域具有一绝缘保护层。
10.一种封装结构的形...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐赛,刘恺,刘红军,王赵云,李慧颖,
申请(专利权)人:长电科技宿迁有限公司,
类型:发明
国别省市:
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