多环芳香族化合物、有机器件用材料、有机电致发光元件、显示装置或照明装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种有效用作有机EL元件等的有机器件材料的多环芳香族化合物、有机器件用材料、有机电致发光元件、显示装置或照明装置。一种多环芳香族化合物，具有包含式(1)所表示的结构单元的一个或两个以上的结构；Z为N或C

【技术实现步骤摘要】
多环芳香族化合物、有机器件用材料、有机电致发光元件、显示装置或照明装置


[0001]本专利技术涉及一种多环芳香族化合物。本专利技术特别是涉及一种包含氮与硼的多环芳香族化合物。本专利技术另外涉及一种包含所述多环芳香族化合物的有机器件用材料、有机电致发光元件、以及显示装置及照明装置。

技术介绍

[0002]从前，使用进行电致发光的发光元件的显示装置因能够实现省电力化或薄型化而得到各种研究，进而，包含有机材料的有机电致发光元件因容易轻量化或大型化而得到积极研究。特别是，关于具有作为光的三原色之一的蓝色等的发光特性的有机材料的开发，以及具备空穴、电子等的电荷传输能力(具有成为半导体或超导体的可能性)的有机材料的开发，迄今为止不论是高分子化合物还是低分子化合物均得到积极研究。
[0003]有机电致发光元件具有如下结构，所述结构包括：包含阳极及阴极的一对电极，以及配置于所述一对电极间、且包含有机化合物的一层或多层。在包含有机化合物的层中有发光层、或者传输或注入空穴、电子等电荷的电荷传输/注入层等，且开发有对于这些层而言适当的各种有机材料。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多环芳香族化合物，具有包含下述式(1)所表示的结构单元的一个或两个以上的结构；式(1)中，Z分别独立地为N或C
‑
R
11
，其中，Z＝Z可为＞O、＞N
‑
R、＞C(
‑
R)2、＞Si(
‑
R)2、＞S、或＞Se，所述＞N
‑
R、所述＞C(
‑
R)2及所述＞Si(
‑
R)2的R分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环烷基，所述＞C(
‑
R)2及所述＞Si(
‑
R)2的两个R相互键结而形成环，或者不相互键结而形成环，R
11
分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的二芳基氨基、经取代或未经取代的二杂芳基氨基、经取代或未经取代的芳基杂芳基氨基、经取代或未经取代的二芳基硼基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烯基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的芳硫基、或者取代硅烷基，所述二芳基氨基的两个芳基不相互键结，或者经由连结基而键结，所述二杂芳基氨基的两个杂芳基不相互键结，或者经由连结基而键结，所述芳基杂芳基氨基的芳基与杂芳基不相互键结，或者经由连结基而键结，所述二芳基硼基的两个芳基不相互键结，或者经由单键或连结基而键结，邻接的两个R
11
相互键结而形成芳基环或杂芳基环，或者不相互键结而形成芳基环或杂芳基环，所述所形成的芳基环及杂芳基环的至少一个氢分别独立地经R
11
取代，或者未经取代，C环为式(C)所表示的环，式(C)中，X
c
为＞O、＞N
‑
R、＞C(
‑
R)2、＞Si(
‑
R)2、＞S、或＞Se，所述＞N
‑
R、所述＞C(
‑
R)2及所述＞Si(
‑
R)2的R分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基，所述＞C(
‑
R)2及所述＞Si(
‑
R)2的两个R相互键结而形成环，或者不相互键结而形成环，Z
C
分别独立地为N或C
‑
R
C
，R
C
分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的二芳基氨基、经取代或未经取代的二杂芳基氨基、经取代或未经取代的芳基杂芳基氨基、经取代或未经取代的二芳基硼基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代
的环烷基、经取代或未经取代的烯基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的芳硫基、或者取代硅烷基，所述二芳基氨基的两个芳基不相互键结，或者经由连结基而键结，所述二杂芳基氨基的两个杂芳基不相互键结，或者经由连结基而键结，所述芳基杂芳基氨基的芳基与杂芳基不相互键结，或者经由连结基而键结，所述二芳基硼基的两个芳基不相互键结，或者经由单键或连结基而键结，邻接的两个R
C
可相互键结而形成芳基环或杂芳基环，所述所形成的芳基环及杂芳基环的至少一个氢分别独立地经R
C
取代，或者未经取代，其中，任一连续的两个Z
C
中一个是与Y1键结的碳、另一个是与X2键结的碳；Y1为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si
‑
R、或Ge
‑
R，所述Si
‑
R及所述Ge
‑
R的R为经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环烷基；X1及X2的一者为＞N
‑
GA，另一者为＞N
‑
GB，GA为式(GA)所表示的一价基；式(GA)中，Z
a
分别独立地为N或C
‑
R
a
，R
a
分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的二芳基氨基、经取代或未经取代的二杂芳基氨基、经取代或未经取代的芳基杂芳基氨基、经取代或未经取代的二芳基硼基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烯基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的芳硫基、或者取代硅烷基，所述二芳基氨基的两个芳基不相互键结，或者经由连结基而键结，所述二杂芳基氨基的两个杂芳基不相互键结，或者经由连结基而键结，所述芳基杂芳基氨基的芳基与杂芳基不相互键结，或者经由连结基而键结，所述二芳基硼基的两个芳基不相互键结，或者经由单键或连结基而键结，邻接的两个R
a
可相互键结而形成芳基环或杂芳基环，所述所形成的芳基环及杂芳基环的至少一个氢经R
a
取代，或者未经取代，A为＞O、＞N
‑
R、＞Si(
‑
R)2、＞C(
‑
R)2、＞S、或＞Se，所述＞N
‑
R的R、所述＞Si(
‑
R)2的R、及所述＞C(
‑
R)2的R分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的环烷基，所述＞Si(
‑
R)2的两个R及所述＞C(
‑
R)2的两个R相互键结而形成环，或者不相互键结而形成环，其中，式(GA)所表示的一价基在任一位置与作为X1或X2的＞N
‑
GA的N键结；GB为式(GB)所表示的一价基，式(GB)中，Z
b
分别独立地为N或C
‑
R
b
，R
b
分别独立地为氢、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的二芳基氨基、经取代或未经取代的二杂芳基氨基、经取代或未经取代的芳基杂芳基氨基、经取代或未经取代的二芳基硼基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烯基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的芳硫基、或者取代硅烷基，所述二芳基氨基的两个芳基不相互键结，或者经由连结基而键结，所述二杂芳基氨基的两个杂芳基不相互键结，或者经由连结基
而键结，所述芳基杂芳基氨基的芳基与杂芳基不相互键结，或者经由连结基而键结，所述二芳基硼基的两个芳基不相互键结，或者经由单键或连结基而键结，邻接的两个R
b
可相互键结而形成芳基环或杂芳基环，所述所形成的芳基环及杂芳基环的至少一个氢分别独立地经R
b
取代，或者未经取代，其中，式(GB)所表示的一价基在任一位置与作为X1或X2的＞N
‑
GB的N键结；所述结构中的选自由芳基环及杂芳基环所组成的群组中的至少一个由至少一个环烷烃缩合，或者不由至少一个环烷烃...

【专利技术属性】
技术研发人员：畠山琢次，田中裕之，前田健永，井上大辅，諌山康平，
申请(专利权)人：爱思开新材料捷恩智株式会社，
类型：发明
国别省市：