用于提供半导体晶片调平边缘的装置、系统和方法制造方法及图纸

一种晶片调平边缘和用于安装晶片调平边缘的装置、系统和方法。用于半导体晶片的调平边缘可以包括：薄的、基本刚性的接收环，所述刚性的接收环适于接收半导体晶片的圆周边缘；以及基本柔性的容纳环，所述容纳环与所述刚性的接收环可移除地关联。因此，所述刚性的接收环赋予半导体晶片的圆周形状刚性，并且所述容纳环将半导体晶片保持在所述刚性的接收环内。环将半导体晶片保持在所述刚性的接收环内。环将半导体晶片保持在所述刚性的接收环内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于提供半导体晶片调平边缘的装置、系统和方法

技术介绍


[0001]本专利技术涉及诸如半导体晶片的物品的传送和处理，更具体地涉及用于提供半导体晶片调平边缘(leveling rim)的装置、系统和方法。
[0002]背景说明
[0003]机器人技术的使用被很好地确立为制造手段，特别是在人的处理效率低和/或不理想的应用中。一种这样的情况是在半导体领域中，其中机器人和自动化工位用于在各种工艺步骤期间处理和保持晶片。举例来说，这些工艺步骤可以包括化学机械平坦化(CMP)、蚀刻、沉积、钝化以及各种其它工艺，其中必须保持密封和/或“清洁”环境，以便限制污染的可能性并确保满足各种特定的处理条件。
[0004]在半导体领域中，以机器人方式处理这些晶片的当前实践通常包括使用可操作地连接到机器人的末端执行器，例如为了将半导体晶片从装载堆叠装载到可对应于前述示例性工艺步骤的各种处理端口中。机器人用于配置末端执行器，以从特定端口或堆叠取回晶片，例如在相关处理室中处理之前和/或之后，和/或将晶片与工位相关联，例如可以包括放置晶片的工位卡盘。
[0005]因此，晶片可由与末端执行器连接的机器人在工位之间穿梭，以进行额外处理。当给定的晶片工艺完成时，机器人可以将处理过的晶片从其工位移走，并将处理后的半导体晶片返回到装载端口。通常，在每个工艺运行期间，以这种方式处理多个半导体晶片的堆叠。
[0006]处理过的半导体晶片通常在0.05到0.10mm的厚度范围内。这种非常薄的厚度不仅使晶片难以处理，因为晶片可能基于处理装置的位置和夹持而下垂、下凹或起皱，而且甚至更可能由于晶片加工和处理而导致晶片翘曲。也就是说，在半导体处理和加工过程中，薄晶片可能因翘曲或弯曲而变形，就像薯片一样。举例来说，这种薯片形状可以沿晶片边缘呈现交替的节距，例如沿晶片的圆周边缘径向每隔90
°
左右。
[0007]上述晶片下垂、弯曲和翘曲通常可能使晶片不适合于附加处理。这种不适用部分是由于传统的半导体自动化处理工具和设备的设计，以处理平坦的、刚性的半导体晶片。举例来说，晶片堆叠托盘可能缺少足够的抽屉高度来容纳翘曲的晶片，并且设计成抽吸或以其它方式抓取平坦晶片的末端执行器可能不适合保持翘曲的晶片。也就是说，在晶片弯曲或翘曲的情况下，晶片可能无法装入多晶片的晶片盒中进行处理。
[0008]已知技术主要通过将另一衬底结合到加工中的晶片来解决这种晶片形状缺陷，使得加工中的晶片保持结合的衬底的形状，从而避免下垂或翘曲。然而，已知技术中的结合的衬底导致处理半导体晶片的问题。例如，临时结合到晶片上的这些其它衬底(例如玻璃衬底)需要随后分离其它衬底。这种分离可以例如通过胶粘结合的激光烧蚀来执行。然而，这种分离增加了额外的工艺步骤，从而使目标半导体工艺效率较低，并且还可能对加工中晶片的某些区域提供非常不期望的目标加热。由于使用昂贵的激光器，激光烧蚀分离也会显
著增加半导体加工的费用。
[0009]此外，移除其它衬底可能留下残留物，该残留物可能对后续半导体工艺产生不利影响，或者可能导致可能损坏晶片上部件的残留静电。此外，另一衬底的结合可以防止在晶片的与另一衬底结合的一侧上发生工艺。
[0010]因此，需要一种在不使用牺牲次级衬底的情况下防止半导体晶片翘曲和下垂以及在加工过程中防止半导体晶片翘曲和下垂的装置、系统和方法。

技术实现思路

[0011]某些实施方式是且包括用于晶片调平边缘和用于安装晶片调平边缘的装置、系统和方法。用于半导体晶片的调平边缘可以包括：薄的、基本刚性的接收环，所述刚性的接收环适于接收所述半导体晶片的圆周边缘；以及基本柔性的容纳环(containment ring)，所述容纳环与所述刚性的接收环可移除地关联。因此，所述刚性的接收环赋予所述半导体晶片的圆周形状刚性，并且所述容纳环将所述半导体晶片保持在所述刚性的接收环内。
[0012]所述刚性的接收环可以包括适于提供可移除关联的多个配合特征。所述配合特征可以包括多个径向槽，例如围绕晶片的圆周径向地成60度。
[0013]所述容纳环可包括适于提供可移除关联的多个保持特征。所述保持特征可以包括多个径向突片。
[0014]一种用于将具有保持环和容纳边缘的调平边缘连接到半导体晶片的自动连接系统和方法，可以包括：卡盘，所述卡盘能够在其上接收半导体晶片；多个环引导件，所述多个环引导件用于在所述晶片位于所述保持环中时围绕所述卡盘定位地保持所述保持环；向下对准器，所述向下对准器适于对准并使所述容纳环下降成与所述保持环可移除地关联，从而将所述晶片周向地包围在其间。
附图说明
[0015]下文将参考附图描述示例性组成、系统和方法，附图仅作为非限制性实施例给出，其中：
[0016]图1是晶片处理系统的示意图；
[0017]图2是末端执行器上的晶片的示意图；
[0018]图3示出了调平边缘；
[0019]图4是调平边缘的示意图；
[0020]图5是调平边缘的示意图；
[0021]图6是调平边缘的示意图；
[0022]图7是调平边缘连接系统的示意图；
[0023]图8是调平边缘连接系统的方面的示意图；
[0024]图9是调平边缘连接系统的方面的示意图；以及
[0025]图10是调平边缘连接系统的方面的示意图。
具体实施方式
[0026]本文提供的附图和描述可能已经被简化以说明与清楚理解本文描述的装置、系统
和方法相关的方面，同时为了清楚起见，消除了可以在典型的类似装置、系统和方法中发现的其他方面。因此，本领域技术人员可以认识到，其它元件和/或操作对于实现本文所述的装置、系统和方法可能是期望的和/或必要的。但是因为这样的元件和操作在本领域中是已知的，并且因为它们不促进对本专利技术的更好理解，所以为了简洁起见，在此可能不提供对这样的元件和操作的讨论。然而，本专利技术被认为仍然包括本领域普通技术人员已知的对所描述的方面的所有这样的元件、变化和修改。
[0027]在全文中提供实施方式，使得本专利技术充分彻底并且将所公开的实施方式的范围完全传达给本领域技术人员。阐述了许多具体细节，例如具体组件、装置和方法的实施例，以提供对本专利技术的实施方式的透彻理解。然而，对于本领域技术人员来说显而易见的是，不需要采用某些具体公开的细节，并且可以以不同的形式来实施实施方式。因此，所公开的实施方式不应被解释为限制本专利技术的范围。如上所述，在一些实施方式中，可能不详细描述公知的工艺、公知的装置结构和公知的技术。
[0028]本文所用的术语仅是为了描述特定实施方式的目的，而不是旨在进行限制。例如，如本文所用，单数形式“一”、“一个”和“该”也可旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚地指明。术语“包括”、“包含”、“含有”和“具有”是包含性的，因此指定了所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。除非特别地被本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于半导体晶片的调平边缘，包括：薄的、基本刚性的接收环，所述刚性的接收环适于接收所述半导体晶片的圆周边缘；和基本柔性的容纳环，所述容纳环与所述刚性的接收环可移除地相关联。2.根据权利要求1所述的调平边缘，其中，所述刚性的接收环包括适于提供所述可移除关联的多个配合特征。3.根据权利要求2所述的调平边缘，其中，所述配合特征包括多个径向槽。4.根据权利要求3所述的调平边缘，其中，所述径向槽围绕所述半导体晶片的圆周径向地大约每隔60度。5.根据权利要求1所述的调平边缘，其中，所述容纳环包括适于提供所述可移除关联的多个保持特征。6.根据权利要求5所述的调平边缘，其中，所述保持特征包括多个径向突片。7.根据权利要求6所述的调平边缘，其中，所述径向突片围绕所述半导体晶片的圆周径向地大约每隔60度。8.根据权利要求1所述的调平边缘，其中，所述刚性的接收环赋予所述半导体晶片的圆周形状刚性，并且其中，所述容纳环将所述半导体晶片保持在所述刚性的接收环内。9.根据权利要求8所述的调平边缘，其中，所述圆周形状的刚性使所述半导体晶片的翘曲最小化。10.根据权利要求9所述的调平边缘，其中，所述翘曲在1mm至2mm的范围内。11.根据权利要求1所述的调...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：捷普有限公司，
类型：发明
国别省市：