一种用于增加带宽的阻抗逆变器制造技术

技术编号:35322271 阅读:36 留言:0更新日期:2022-10-22 13:22
本实用新型专利技术公开了一种用于增加带宽的阻抗逆变器,阻抗逆变器包括主放大器模块,包括第一分流电阻和与第一分流电阻连接的第一电容器;MIM电容器模块包括相互连接的第一电感、第二电感、第三电感和MIM电容器,MIM电容器一端与第三电感连接,另一端连接有寄生电感;MIM电容器模块还包括基底,基底上具有通孔,寄生电感位于通孔内,MIM电容器位于基底上;辅助放大器模块包括第二分流电阻和与第二分流电阻连接的第二电容器;可以有效降低寄生电感以实现T型网络,使得功率放大器中的阻抗逆变器在高于Ka波段的高频下也能够实现,进而保证阻抗逆变器能够适用于各个频率波段下的T型网络,以增加工作带宽。以增加工作带宽。以增加工作带宽。

【技术实现步骤摘要】
一种用于增加带宽的阻抗逆变器


[0001]本技术涉及一种用于增加带宽的阻抗逆变器,属于5G通信


技术介绍

[0002]第五代(5G)移动通信系统将提供大系统容量、低延迟和海量连接,以满足快速增长的互联网流量的需求。为了实现这些特性,毫米波(mm

Wave)频段的大规模多输入多输出(MIMO)是一种很有前景的技术,并引起了广泛的兴趣。在使用毫米波大规模MIMO的基站系统中,需要高输出功率和高效率放大器来增加数据传输距离并降低功耗。为了实现该放大器,氮化镓(GaN)Doherty功率放大器(DPA)是一个很好的候选者,因为GaN具有高击穿电压的特性,并且DPA可以在通信系统中实际使用的回退功率水平上提高效率。
[0003]目前已经有高输出功率和高效率GaN DPA研制成功。然而,要覆盖各种5G应用的工作频率,需要进一步拓宽具有高效率和高输出功率的带宽。为了拓宽带宽,阻抗逆变器在低于X波段的低频下使用T型网络,这种阻抗逆变器可以加宽带宽。然而,在高于Ka波段的高频下,由于T型网络中的金属

绝缘体

金属(MIM)电容器上连接的寄生电感较大,因此很难实现T型网络。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种用于增加带宽的阻抗逆变器,使得功率放大器中的阻抗逆变器能够适用于各个频率波段下的T型网络,以增加工作带宽。
[0005]为达到上述目的,本技术提供如下技术方案:
[0006]一种用于增加带宽的阻抗逆变器,所述阻抗逆变器适用于功率放大器中,所述阻抗逆变器包括:
[0007]主放大器模块,包括第一分流电阻和与所述第一分流电阻连接的第一电容器;
[0008]MIM电容器模块,与所述主放大器模块连接,所述MIM电容器模块包括相互连接的第一电感、第二电感、第三电感和MIM电容器,所述MIM电容器一端与所述第三电感连接,另一端连接有寄生电感;所述MIM电容器模块还包括基底,所述基底上具有通孔,所述寄生电感位于所述通孔内,所述MIM电容器位于所述基底上;
[0009]辅助放大器模块,与所述MIM电容器模块连接,所述辅助放大器模块包括第二分流电阻和与所述第二分流电阻连接的第二电容器。
[0010]进一步地,所述第一电容器、所述第二电容器和所述MIM电容器模块呈T型分布。
[0011]本技术的有益效果在于:提供了一种用于增加带宽的阻抗逆变器,该阻抗逆变器位于功率放大器的输出端,该阻抗逆变器包括主放大器模块、与主放大器模块连接的MIM电容器模块以及与MIM电容器模块连接的辅助放大器模块,主放大器模块包括第一分流电阻和与第一分流电阻连接的第一电容器,MIM电容器模块包括相互连接的第一电感、第二电感、第三电感和MIM电容器,MIM电容器一端与第三电感连接,另一端连接有寄生电感,MIM电容器模块还包括基底,基底上具有通孔,寄生电感位于通孔内,MIM电容器位于基底上,辅
助放大器模块包括第二分流电阻和与第二分流电阻连接的第二电容器;可以有效降低寄生电感以实现T型网络,使得功率放大器中的阻抗逆变器在高于Ka波段的高频下也能够实现,进而保证阻抗逆变器能够适用于各个频率波段下的T型网络,以增加工作带宽。
[0012]上述说明仅是本技术技术方案的概述,为了能够更清楚了解本技术的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
[0013]图1为本实施例中阻抗逆变器的电路图;
[0014]图2为图1中A处的结构示意图。
具体实施方式
[0015]下面结合附图和实施例,对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术,但不用来限制本技术的范围。
[0016]下面结合附图和实施例,对本申请的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本申请,但不用来限制本申请的范围。
[0017]在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请保护范围的限制。此外,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请创造的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
[0018]在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以通过具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0019]本申请一实施例提供了一种用于增加带宽的阻抗逆变器,该阻抗逆变器适用于功率放大器中,且连接在功率放大器的输出端。图1为阻抗逆变器的电路图。如图所示,该阻抗逆变器100包括主放大器模块10、与主放大器模块10连接的MIM电容器模块20以及与MIM电容器模块20连接的辅助放大器模块30。
[0020]主放大器模块10包括第一分流电阻R1和与第一分流电阻R1连接的第一电容器C1。辅助放大器模块30包括第二分流电阻R2和与第二分流电阻R2连接的第二电容器C2。第一分流电阻R1、第一电容器C1、第二分流电阻R2和第二电容器C2用于分配功率放大器中功率附加效率(power added efficiency,PAE)的最佳输出阻抗。
[0021]MIM电容器模块20包括相互连接的第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3和MIM电容器C3。具体的,MIM电容器C3的一端与第三电感L3连接,另一端连接有寄生电感L4,寄生电
感L4的另一端接地。
[0022]需要说明的是,第一电容器C1、第二电容器C2和MIM电容器模块20呈T型分布,可以有效增加工作带宽。
[0023]如图2所示,MIM电容器模块20包括基底21,基底21上具有通孔22,寄生电感L4位于通孔22内,MIM电容器C3位于基底21上。由于在高于Ka波段的高频下,T型网络中的金属

绝缘体

金属(MIM)电容器上连接的寄生电感较大,很难实现T型网络,为了解决这一问题,通过将寄生电感L4放置到通孔22内,使得寄生电感L4从通孔22穿过并接地Ground,可以有效降低寄生电感L4以实现T型网络,进而增加工作带宽。
[0024]综上,本申请提供了一种用于增加带宽的阻抗本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于增加带宽的阻抗逆变器,其特征在于,所述阻抗逆变器适用于功率放大器中,所述阻抗逆变器包括:主放大器模块,包括第一分流电阻和与所述第一分流电阻连接的第一电容器;MIM电容器模块,与所述主放大器模块连接,所述MIM电容器模块包括相互连接的第一电感、第二电感、第三电感和MIM电容器,所述MIM电容器一端与所述第三电感连接,另一端连接有寄生电感;所述MI...

【专利技术属性】
技术研发人员:丁志文关赫
申请(专利权)人:韦华半导体苏州有限公司
类型:新型
国别省市:

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