一种基于片上预匹配技术的大功率管芯制造技术

本发明专利技术提出的是一种基于片上预匹配技术的大功率管芯，在大栅宽管芯的栅极处引入LC阻抗匹配单元构成预匹配网络，通过优化L、C的值将管芯的输入阻抗从一个微小阻抗值匹配至一个较大的阻抗值，并采用片上集成的方式，将设计得到的电感、电容同管芯共同制作在同一衬底上，通过上述片上预匹配技术精确实现管芯的第一级预匹配，从而能够提升大栅宽管芯的输入阻抗，降低后续片外阻抗匹配的敏感性，片外的阻抗匹配可以采用金丝和陶瓷电路片来实现，最终利于实现微波功率器件的大功率、宽频带等技术要求。要求。要求。

【技术实现步骤摘要】
一种基于片上预匹配技术的大功率管芯


[0001]本专利技术涉及的是一种基于片上预匹配技术的大功率管芯，属于微波功率器件


技术介绍

[0002]随着无线通讯技术的迅猛发展，以Ge、Si为代表的第一代半导体和以GaAs为代表的第二代半导体都已经不能完全满足系统对功率放大器的要求。以GaN为代表的第三代半导体材料具有禁带宽、电子迁移率高、电子饱和速率高、击穿电压高、热导率高、化学稳定性好和抗辐射能力强等特点。高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）功率器件具有工作频率高、击穿电压高、功率密度高效率高等优点，逐渐成为目前微波功率器件和微波单片集成电路应用的理想器件。
[0003]近年来，通讯卫星、雷达、航空航天等领域对于大功率、宽频带的微波功率放大器的需求日益增加。大功率的微波功率放大器一般将大栅宽管芯进行多管芯合成来实现大功率输出，但管芯的栅宽越大，管芯的输入与输出阻抗越低，在进行阻抗匹配时越困难，尤其在高频，第一级匹配时所需的电感量太小，很难通过金丝键合实现，一方面，金丝太短后，电感值无法精确实现，实现起来与仿真值差距较大，另一方面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于片上预匹配技术的大功率管芯，其特征在于：其结构在大栅宽管芯的栅极处接有多个LC阻抗匹配单元，所述的多个LC阻抗匹配单元构成预匹配网络。2.根据权利要求1所述的一种基于片上预匹配技术的大功率管芯，其特征在于：所述的大栅宽管芯由多个单胞构成，预匹配网络针对每个独立的单胞进行预匹配，或对两个单胞或者多个单胞的并联结构进行预匹配。3.根据权利要求1所述的一种基于片上预匹配技术的大功率管芯，其特征在于：所述的LC阻抗匹配单元中的电感、电容均采用片上集成方式，同管芯形成整体结构，共同制作在同一衬底上。4.根据权利要求1所述的一种基于片上预匹配技术的大功率管芯，其特征在于：所述的LC阻抗匹配单元中的电感采用微带线或螺旋电感实现，电容采用片上MIM电容实现。5.根据权利要求1所述的一种基于片上预匹配技术的大功率管芯，其特征在于：所述的多个LC阻抗匹配单元构成的预匹配网络的级数是一级、两级或者多级。6.根据权利要求1所述的一种基于片上预...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾黎明，奚红杰，杨宝金，唐世军，王帅，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：