圆形平面磁控溅射阴极制造技术

本实用新型专利技术公开了一种圆形平面磁控溅射阴极，包括同轴依次设置的靶位连接轴、固定座、绝缘座、阴极板、靶座。阴极板上设有进水嘴和出水嘴。靶座为盖体结构，靶座盖合在阴极板上，靶座的盖面上设有放置槽，放置槽用于放置靶材，放置槽的槽底设有轴向贯穿的第一通孔。其中，靶座和阴极板之间的区域内同轴设置有极靴，极靴对应进水嘴和出水嘴均设有第二通孔，极靴与靶座之间设有中心磁铁和外磁铁，中心磁铁位于极靴的中央，外磁铁为环形，外磁铁位于中心磁铁的外侧。本实用新型专利技术在工作时，冷水从进水嘴进入，然后通过第二通孔、第一通孔后能够与靶材直接接触，使得靶材能够直接水冷，冷却效果良好，本实用新型专利技术结构简单、紧凑、成本低。成本低。成本低。

【技术实现步骤摘要】
圆形平面磁控溅射阴极


[0001]本技术涉及磁控溅射
，特别涉及一种圆形平面磁控溅射阴极。

技术介绍

[0002]磁控溅射是一种“高速低温溅射技术”。磁控溅射是在阴极靶的表面上方形成一个正交电磁场，可以在任何基材上沉积任何镀材的薄膜。当溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后，并不直接飞向阳极，而是在正交电磁场作用下作来回振荡的近似摆线的运动。高能电子不断与气体分子发生碰撞并向后者转移能量，使之电离而本身变成低能电子。这些低能电子最终沿磁力线漂移到阴极附近的辅助阳极而被吸收，避免高能电子对极板的强烈轰击，消除了二极溅射中极板被轰击加热和被电子辐照引起的损伤，体现出磁控溅射中极板“低温”的特点。由于外加磁场的存在，电子的复杂运动增加了电离率，实现了高速溅射。
[0003]对于能够溅射铁、镍、钴等磁性材料的磁控靶，一般有两种：一种是电磁靶；另一种是用普通圆形平面永磁靶改型的圆形平面强磁靶。前者造价成本高，而对于后者，现有技术中的磁控溅射阴极对靶材的冷却效果不好。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种圆形平面磁控溅射阴极，能够实现对靶材的冷却，冷却效果良好。
[0005]根据本技术实施例的圆形平面磁控溅射阴极，包括同轴依次设置的靶位连接轴、固定座、绝缘座、阴极板、靶座。所述阴极板上设有进水嘴和出水嘴。所述靶座为盖体结构，所述靶座盖合在所述阴极板上，所述靶座的盖面上设有放置槽，所述放置槽用于放置靶材，所述放置槽的槽底设有轴向贯穿的第一通孔。其中，所述靶座和所述阴极板之间的区域内同轴设置有极靴，所述极靴对应所述进水嘴和所述出水嘴均设有第二通孔，所述极靴与所述靶座之间设有中心磁铁和外磁铁，所述中心磁铁位于所述极靴的中央，所述外磁铁为环形，所述外磁铁位于所述中心磁铁的外侧。
[0006]根据本技术实施例的圆形平面磁控溅射阴极，至少具有如下有益效果：
[0007]本技术的圆形平面磁控溅射阴极在工作时，冷水从进水嘴进入，然后通过所述第二通孔、第一通孔后能够与所述靶材直接接触，使得靶材能够直接水冷，冷却效果良好，本技术结构简单、紧凑、成本低，能够应用于试验机台。
[0008]根据本技术的一些实施例，所述极靴设置有第一盘体，第一盘体远离所述阴极板的一侧同轴设有第二盘体，所述第二盘体上同轴设有环体；所述中心磁铁与所述环体的内径适配且放置在所述环体的中间，所述外磁铁设置在所述第一盘体于所述第二盘体的外围区域。
[0009]根据本技术的一些实施例，所述靶座内设有外磁铁套，所述外磁铁套设置在所述外磁铁外，所述外磁铁套用于屏蔽侧边的磁场。
[0010]根据本技术的一些实施例，所述靶座靠近所述阴极板的一端的边缘设有凸台，所述靶座外套设有环形的靶座压板，所述靶座压板抵接所述凸台并通过螺栓固定在所述阴极板上。
[0011]根据本技术的一些实施例，所述靶材外设有靶材压件，以通过所述靶材压件形成将所述靶材压紧在所述靶座上的受力点。
[0012]根据本技术的一些实施例，所述靶材压件为盖体结构，所述靶材压件套设在所述靶座外并抵接在所述靶材上，所述靶材压件通过螺栓固定在所述靶座压板上；所述靶材压件设有轴向贯穿的第三通孔，所述第三通孔的孔径小于所述靶材的直径。
[0013]根据本技术的一些实施例，所述圆形平面磁控溅射阴极还包括外屏蔽罩；所述绝缘座、所述阴极板、所述靶座和所述靶材压件均位于所述外屏蔽罩内，所述外屏蔽罩设有轴向贯穿的第四通孔。
[0014]根据本技术的一些实施例，所述第四通孔的孔径大于或等于所述第三通孔的孔径。
[0015]根据本技术的一些实施例，所述靶座和所述阴极板之间设有第一密封圈。
[0016]根据本技术的一些实施例，所述极靴与所述阴极板之间设有第二密封圈。
[0017]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0018]下面结合附图和实施例对本技术做进一步的说明，其中：
[0019]图1为本技术一种实施例的圆形平面磁控溅射阴极的整体结构剖视图；
[0020]图2为本技术一种实施例的圆形平面磁控溅射阴极的极靴的结构示意图；
[0021]图3为本技术一种实施例的圆形平面磁控溅射阴极的极靴的剖视图；
[0022]图4为本技术一种实施例的圆形平面磁控溅射阴极的外磁铁套的结构示意图；
[0023]附图标号：
[0024]101、靶位连接轴；102、固定座；103、绝缘座；104、阴极板；105、靶座；106、极靴；107、中心磁铁；108、外磁铁；109、进水嘴；110、出水嘴；111、第一通孔；112、放置槽；113、第二通孔；114、第一盘体；115、第二盘体；116、环体；117、外磁铁套；118、靶座压板；119、靶材压件；120、第三通孔；121、外屏蔽罩；122、第四通孔；123、第五通孔；124、第一密封圈；125、第二密封圈；126、靶材。
具体实施方式
[0025]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0026]在本技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描
述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0027]在本技术的描述中，多个指的是两个以上。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0028]本技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本技术中的具体含义。
[0029]参照图1所示，本技术提出了一种圆形平面磁控溅射阴极，包括同轴依次设置的靶位连接轴101、固定座102、绝缘座103、阴极板104、靶座105。阴极板104上设有进水嘴109和出水嘴110。靶座105为盖体结构，靶座105盖合在阴极板104上，靶座105的盖面上设有放置槽112，放置槽112用于放置靶材126，放置槽112的槽底设有轴向贯穿的第一通孔111。其中，靶座105和阴极板104之间的区域内同轴设置有极靴106，极靴106对应进水嘴109和出水嘴110均设有第二通孔113，极靴106与靶座105之间设有中心磁铁107本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.圆形平面磁控溅射阴极，其特征在于，包括同轴依次设置的：靶位连接轴；固定座；绝缘座；阴极板，所述阴极板上设有进水嘴和出水嘴；靶座，所述靶座为盖体结构，所述靶座盖合在所述阴极板上，所述靶座的盖面上设有放置槽，所述放置槽用于放置靶材，所述放置槽的槽底设有轴向贯穿的第一通孔；其中，所述靶座和所述阴极板之间的区域内同轴设置有极靴，所述极靴对应所述进水嘴和所述出水嘴均设有第二通孔，所述极靴与所述靶座之间设有中心磁铁和外磁铁，所述中心磁铁位于所述极靴的中央，所述外磁铁为环形，所述外磁铁位于所述中心磁铁的外侧。2.根据权利要求1所述的圆形平面磁控溅射阴极，其特征在于：所述极靴设置有第一盘体，第一盘体远离所述阴极板的一侧同轴设有第二盘体，所述第二盘体上同轴设有环体；所述中心磁铁与所述环体的内径适配且放置在所述环体的中间，所述外磁铁设置在所述第一盘体于所述第二盘体的外围区域。3.根据权利要求2所述的圆形平面磁控溅射阴极，其特征在于：所述靶座内设有外磁铁套，所述外磁铁套设置在所述外磁铁外，所述外磁铁套用于屏蔽侧边的磁场。4.根据权利要求1所述的圆形平面磁控溅射阴极，其特征在于：所述靶座靠近所述阴极板的一端的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王金科，陈明飞，龙泷，刘永成，郭梓旋，莫国仁，谭宏，
申请(专利权)人：长沙壹纳光电材料有限公司，
类型：新型
国别省市：