一种首饰耐磨黄金镀层的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种首饰耐磨黄金镀层的制备方法，包括以下步骤：在首饰基体上通过磁控溅射依次形成TiN和TiO的复合基底层、黄金层、SiO2底膜和AF膜层，得到首饰耐磨黄金镀层。与现有技术相比，本发明专利技术提供的制备方法通过磁控溅射方式形成特定层结构的首饰耐磨黄金镀层，整体实现较好的相互作用，能够在非黄金首饰表面制备颜色与黄金首饰高度相近、镀层硬度高、耐磨性好、光亮度高，且防刮花、防指纹的黄金镀层，这对提高首饰产品的品质和使用性能有极大益处；同时，本发明专利技术提供的制备方法工艺环保，适用性强，可以实现批量化、自动化生产，具有广阔的应用前景。的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种首饰耐磨黄金镀层的制备方法


[0001]本专利技术涉及镀金工艺
，更具体地说，是涉及一种首饰耐磨黄金镀层的制备方法。

技术介绍

[0002]首饰作为一种装饰品，深受大众的喜爱，但黄金首饰价格高昂，限制了纯黄金首饰的消费；且由于黄金的硬度低、材料软，故黄金产品的款式和工艺也受到较大限制。因此，随着镀膜术的普及，非黄金首饰可通过镀膜工艺在表面形成黄金镀层，它可以以银、铂金甚至铜合金、不锈钢等为基体材料，制作出款式精美的产品，再在表面镀金，通过控制镀层成分和工艺，可以使镀金产品与金首饰的外观相差无几，而成本则低很多。
[0003]现有的首饰表面镀黄金技术主要是以下两种：
[0004]一种是传统的电镀，首饰行业又叫“电金”，就是通过电化学方法在首饰表面镀金，这种工艺简单、经济，但它要将金溶解并离子化，生产中涉及到化学品，对人体和环境有危害；另外，电镀的镀金层和基底结合牢固度不高，容易磨损脱落；而且，这种黄金镀层较软，不耐磨，容易刮花；还有，这种镀层厚度均匀性比较难控制，容易出现不同面的镀层厚度不均匀的情况。
[0005]另一种是磁控溅射镀金，这种工艺不要用到化学品，更加环保安全；镀层和基底结合牢固，且不同面的镀层厚度更均匀标准；首饰磁控溅射镀金时，一般需要先镀一层基底层，它起到承接首饰和金镀层的作用，基底层和首饰结合紧密，而黄金镀层和基底层也结合牢固，现有磁控溅射镀金技术一般是采用单一TiN作为基底层，再用纯金(纯度99.99％以上)作为靶材在基底层上面镀金；由于黄金的柔软属性，这种镀金层较软，长期佩戴时容易刮花、镀层容易磨掉，且黄金镀层在佩戴一段时间后不光亮，容易哑色显旧。

技术实现思路

[0006]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种首饰耐磨黄金镀层的制备方法，本专利技术提供的制备方法能够在非黄金首饰表面制备颜色与黄金首饰高度相近、镀层硬度高、耐磨性好、光亮度高，且防刮花、防指纹的黄金镀层，这对提高首饰产品的品质和使用性能有极大益处。
[0007]本专利技术提供了一种首饰耐磨黄金镀层的制备方法，包括以下步骤：
[0008]在首饰基体上通过磁控溅射依次形成TiN和TiO的复合基底层、黄金层、SiO2底膜和AF膜层，得到首饰耐磨黄金镀层。
[0009]优选的，所述形成TiN和TiO的复合基底层的过程具体为：
[0010]采用钛作为靶材，充入体积比为(2.5～3.5)：(1.5～2.5)：1的氩气、氮气和氧气的混合气体，进行磁控溅射，形成TiN和TiO的复合基底层；
[0011]所述磁控溅射的通电电流为100A～150A，温度为290℃～350℃，时间为20min～40min。
[0012]优选的，所述TiN和TiO的复合基底层的厚度为20nm～40nm。
[0013]优选的，所述黄金层采用金合金靶材；所述金合金靶材包括以下组分：
[0014]Au：96～98wt.％，Pd：0～2wt.％，Co：0.5～2wt.％、In：0.2～2wt.％,Y：0.1～0.8wt.％。
[0015]优选的，形成黄金层的磁控溅射条件为：
[0016]采用氩气保护，通电电流为5A～10A，溅射处理的温度为250℃～300℃，溅射处理的时间为15min～40min。
[0017]优选的，所述黄金层的厚度为30nm～100nm。
[0018]优选的，形成SiO2底膜的过程具体为：
[0019]采用硅作为靶材，充入体积比为(1.5～2.5)：1的氩气和氧气的混合气体，进行磁控溅射，形成SiO2底膜；
[0020]所述磁控溅射的通电电流为1A～2A，温度为150℃～250℃，时间为2min～5min。
[0021]优选的，所述SiO2底膜的厚度为10nm～15nm。
[0022]优选的，形成AF膜层的磁控溅射条件为：
[0023]采用有机氟硅化物作为靶材，采用氩气保护，通电电流为2A～3A，溅射处理的温度为150℃～250℃，溅射处理的时间为5min～10min。
[0024]优选的，所述AF膜层的厚度为20nm～30nm。
[0025]本专利技术提供了一种首饰耐磨黄金镀层的制备方法，包括以下步骤：在首饰基体上通过磁控溅射依次形成TiN和TiO的复合基底层、黄金层、SiO2底膜和AF膜层，得到首饰耐磨黄金镀层。与现有技术相比，本专利技术提供的制备方法通过磁控溅射方式形成特定层结构的首饰耐磨黄金镀层，整体实现较好的相互作用，能够在非黄金首饰表面制备颜色与黄金首饰高度相近、镀层硬度高、耐磨性好、光亮度高，且防刮花、防指纹的黄金镀层，这对提高首饰产品的品质和使用性能有极大益处；同时，本专利技术提供的制备方法工艺环保，适用性强，可以实现批量化、自动化生产，具有广阔的应用前景。
附图说明
[0026]图1为本专利技术实施例1提供的首饰耐磨黄金镀层的效果图；
[0027]图2为本专利技术实施例2提供的首饰耐磨黄金镀层的效果图。
具体实施方式
[0028]下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0029]本专利技术提供了一种首饰耐磨黄金镀层的制备方法，包括以下步骤：
[0030]在首饰基体上通过磁控溅射依次形成TiN和TiO的复合基底层、黄金层、SiO2底膜和AF膜层，得到首饰耐磨黄金镀层。
[0031]本专利技术首先在首饰基体上通过磁控溅射形成TiN和TiO的复合基底层。
[0032]本专利技术对所述首饰基体的种类和来源没有特殊限制，采用本领域技术人员熟知的
市售首饰基体即可。在本专利技术中，所述首饰基体在进行磁控溅射前，优选还包括：
[0033]对所述首饰基体进行预处理；所述预处理的过程优选具体为：
[0034]将样品依次经表面抛光、除蜡、除油、超纯水清洗和吹干后，进行表面轰击处理，得到处理后的首饰基体。
[0035]在本专利技术中，所述表面抛光、除蜡、除油、超纯水清洗和吹干均采用本领域技术人员熟知的技术方案即可，本专利技术对此没有特殊限制；所述表面轰击处理的条件优选具体为：
[0036]抽真空到2.0
×
10
‑4Pa以下，采用氩气保护，保持氩气工作压力为5.0
×
10
‑1Pa左右，轰击电压500V～600V，轰击样品表面20s～30s。
[0037]在本专利技术中，所述氩气优选为纯度为99.999％的高纯氩气。
[0038]在本专利技术中，所述形成TiN和TiO的复合基底层的过程优选具体为：
[0039]采用钛作为靶材，充入体积比为(2.5～3.5)：(1.5～2.5)：1的氩气、氮气和氧气的混合气体，进行磁控溅射，形成TiN和TiO的复合基底层；
[0040]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种首饰耐磨黄金镀层的制备方法，包括以下步骤：在首饰基体上通过磁控溅射依次形成TiN和TiO的复合基底层、黄金层、SiO2底膜和AF膜层，得到首饰耐磨黄金镀层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成TiN和TiO的复合基底层的过程具体为：采用钛作为靶材，充入体积比为(2.5～3.5)：(1.5～2.5)：1的氩气、氮气和氧气的混合气体，进行磁控溅射，形成TiN和TiO的复合基底层；所述磁控溅射的通电电流为100A～150A，温度为290℃～350℃，时间为20min～40min。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述TiN和TiO的复合基底层的厚度为20nm～40nm。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述黄金层采用金合金靶材；所述金合金靶材包括以下组分：Au：96～98wt.％，Pd：0～2wt.％，Co：0.5～2wt.％、In：0.2～2wt.％,Y：0.1～0.8wt.％。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成黄金层...

【专利技术属性】
技术研发人员：周鹏，余勇基，肖萍，
申请(专利权)人：深圳市金弘珠宝首饰有限公司，
类型：发明
国别省市：