本发明专利技术公开一种高效率的涡轮分子泵装置。高效率的涡轮分子泵装置包括一壳体结构、一定子元件、一转子元件以及一加热器。壳体结构具有相连通的一腔室以及一排气口。定子元件设置于腔室内，且定子元件包括一导气环。转子元件设置于腔室内且其位置对应定子元件，转子元件包括一转子基座，且转子基座与导气环之间具有一气体通道。加热器设置于导气环上，其中加热器经配置以使气体通道具有多个温度区段，且多个温度区段包括靠近排气口的一第一温度区段，其温度为60℃至80℃。其温度为60℃至80℃。其温度为60℃至80℃。
【技术实现步骤摘要】
高效率的涡轮分子泵装置
[0001]本专利技术涉及一种抽真空装置，尤其涉及一种高效率的涡轮分子泵装置。
技术介绍
[0002]当元件尺寸不断缩小，半导体技术不断往更小线宽、更高密度的方向发展时，半导体工艺如薄膜沉积、干蚀刻等便需要在低压真空的环境下进行，使得涡轮分子泵在电子半导体工业的应用越来越广泛。
[0003]然而，当涡轮分子泵用于对半导体工艺腔体进行抽真空时，夹带于工艺气体中的粉尘、微粒或其他悬浮物会进入涡轮分子泵，并在较低的环境温度下沉积于排气口及气体流路末端。且一旦沉积物量太多，气体流路可能被阻塞而无法顺利抽真空。为了解决这个问题，大多数业者采用加热方式来减缓沉积物的形成，具体作法是在泵本体外部(如磁浮轴承座外部)加装加热器，通过从泵本体外部加热来提高半导体工艺腔体内的环境温度。
[0004]上述作法虽然解决了气体流路的阻塞问题，但仍有以下不足之处：1.升温速度慢；2.热损失严重且耗能；3.精密电器构件可能因长时间承受高温加热而发生故障。
技术实现思路
[0005]本专利技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种高效率的涡轮分子泵装置，其能减少能源损耗和热传过程中的损失，并且能长时间正常运作。
[0006]为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是提供一种高效率的涡轮分子泵装置，其包括一壳体结构、一定子元件、一转子元件以及一加热器。所述壳体结构具有一腔室以及与所述腔室连通的一排气口；所述定子元件设置于所述腔室内，其中所述定子元件包括一导气环；所述转子元件设置于所述腔室内且其位置对应所述定子元件，其中所述转子元件包括一转子基座，且所述转子基座与所述导气环之间具有一气体通道；所述加热器设置于所述导气环上，其中所述加热器经配置以使所述气体通道具有多个温度区段，且所述多个温度区段包括靠近所述排气口的一第一温度区段，其温度为60℃至80℃。
[0007]在本专利技术的一实施例中，所述壳体结构包括一上壳体以及一下壳体，且所述上壳体与所述下壳体结合成一体。所述导气环组装于所述下壳体，且所述导气环的位置对应所述转子基座。
[0008]在本专利技术的一实施例中，所述导气环的一部分与所述下壳体之间具有一定位结构。
[0009]在本专利技术的一实施例中，所述导气环包括一支撑部以及一主体部，所述主体部一体成型于所述支撑部上且围绕所述转子基座，且所述定位结构设置于所述支撑部与所述下壳体之间或所述主体部与所述下壳体之间。
[0010]在本专利技术的一实施例中，所述定位结构包括一个或多个缓冲垫片。
[0011]在本专利技术的一实施例中，所述加热器为一带式加热器，且所述加热器内藏于所述导气环。
[0012]在本专利技术的一实施例中，所述涡轮分子泵装置还包括一温度传感器，且所述温度传感器经配置以检测所述第一温度区段的温度状态。
[0013]在本专利技术的一实施例中，所述温度传感器配置于所述加热器的附近。
[0014]在本专利技术的一实施例中，所述多个温度区段还包括远离所述排气口的一第二温度区段以及位于所述第一温度区段与所述第二温度区段之间的一第三温度区段，所述第二温度区段的预设温度为60℃至80℃，且所述第三温度区段的预设温度为70℃至90℃。
[0015]在本专利技术的一实施例中，所述涡轮分子泵装置还包括一控制器，所述控制器与所述加热器电性连接，以控制所述加热器的一加热温度和/或一加热范围。
[0016]本专利技术的其中一有益效果在于，本专利技术的涡轮分子泵装置，其能通过“加热器设置于导气环上，且经配置以使位于转子基座与导气环之间的气体通道具有多个温度区段，其中包括靠近排气口且温度为60℃至80℃的第一温度区段”的技术手段，以在大幅提高供热效益的同时，避免半导体工艺的衍生物于气体通道中发生堆积而影响抽真空效率。并且，本专利技术的涡轮分子泵装置能在较短时间内达到最佳运行状态。
[0017]更进一步来说，本专利技术的涡轮分子泵装置不仅能延长维护周期，而且还能避免磁浮轴承因长期承受高温加热而发生故障。
[0018]为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本专利技术加以限制。
附图说明
[0019]图1为本专利技术的涡轮分子泵装置的功能方块图。
[0020]图2为本专利技术的涡轮分子泵装置的泵主体的其中一种结构示意图。
[0021]图3为本专利技术的涡轮分子泵装置的泵主体的另外一种结构示意图。
[0022]图4为本专利技术的涡轮分子泵装置的泵主体的气体流路示意图。
[0023]图5为图2中V部分的局部放大图。
具体实施方式
[0024]由于涡轮分子泵的工作效率可能对产品良率和经济效益带来负面影响，本专利技术提供一种高效率的涡轮分子泵装置。此涡轮分子泵装置将加热器安装在泵内部的特定位置，能减少能源损耗和热传过程中的损耗，以及避免精密电器构件因长时间承受高温加热而发生故障。
[0025]以下是通过特定的具体实施例来说明本专利技术所公开有关“高效率的涡轮分子泵装置”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本专利技术的优点与效果。本专利技术可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本专利技术的构思下进行各种修改与变更。另外，本专利技术的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本专利技术的相关
技术实现思路
，但所公开的内容并非用以限制本专利技术的保护范围。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
[0026]请参阅图1至图3，图1显示本专利技术的涡轮分子泵装置主要的零组件，图2及图3显示本专利技术的涡轮分子泵装置的构造。如上述附图所示，本专利技术的涡轮分子泵装置Z主要包括一
泵主体1及用于控制泵主体1的运行状态的一控制器2，其中泵主体1包括一壳体结构11、一转子元件12、一定子元件13、一加热器14及一驱动器15。壳体结构11具有呈密封状态的一腔室110及与腔室110连通的一排气口112；转子元件12与定子元件13设置于腔室110内，且彼此的位置相对应，其中转子元件12与定子元件13之间具有一气体通道G，用以将气体导引至排气口112；加热器14设置于定子元件13上，用以使气体通道G处于特定的热环境下，其中热环境中具有温度梯度分布；驱动器15设置于腔室110内，用以驱动转子元件12相对于定子元件13高速旋转。
[0027]于使用时，涡轮分子泵装置Z可通过一隔离阀与一工艺腔体(图中未显示)连通，其中控制器2电性连接加热器14与驱动器15，控制器2能启动加热器14并令其达到目标加热温度，以及令驱动器15驱动转子元件12并使其达到目标转速；如此一来，涡轮分子泵装置Z即进入正常运行模式，而能将工艺腔体抽真空至一目标真空度。控制器2可为任意种类的处理器或可程序化电路，但不限于此。
[0028]值得一提的是，加热器14可经本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高效率的涡轮分子泵装置，其特征在于，所述高效率的涡轮分子泵装置包括：一壳体结构，所述壳体结构具有一腔室以及与所述腔室连通的一排气口；一定子元件，所述定子元件设置于所述腔室内，其中所述定子元件包括一导气环；一转子元件，所述转子元件设置于所述腔室内且其位置对应所述定子元件，其中所述转子元件包括一转子基座，且所述转子基座与所述导气环之间具有一气体通道；以及一加热器，所述加热器设置于所述导气环上，其中所述加热器经配置以使所述气体通道具有多个温度区段，且所述多个温度区段包括靠近所述排气口的一第一温度区段，其温度为60℃至80℃。2.根据权利要求1所述的高效率的涡轮分子泵装置，其特征在于，所述壳体结构包括一上壳体以及一下壳体，且所述上壳体与所述下壳体结合成一体；其中，所述导气环组装于所述下壳体，且所述导气环的位置对应所述转子基座。3.根据权利要求2所述的高效率的涡轮分子泵装置，其特征在于，所述导气环的一部分与所述下壳体之间具有一定位结构。4.根据权利要求3所述的高效率的涡轮分子泵装置，其特征在于，所述导气环包括一支撑部以及一主体部，所述主体部一体成型于所述支撑部上且围绕所述转子基座，且所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾国力，欧国宝，
申请(专利权)人：致扬科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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