提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基体基底；第一电极板，位于基体基底上；第一电力轨，位于第一电极板上，第一电力轨在第一水平方向上延伸并且在垂直方向上与第一电极板重叠；第二电力轨，位于第一电极板上，第二电力轨在第一水平方向上延伸并且在垂直方向上与第一电极板重叠，并且第二电力轨在与第一水平方向不同的第二水平方向上与第一电力轨间隔开；第一电力轨接触件，将第一电极板和第一电力轨电连接；绝缘层，位于基体基底上，以围绕第一电极板、第一电力轨和第二电力轨；以及栅电极，在绝缘层上在第二水平方向上延伸。在绝缘层上在第二水平方向上延伸。在绝缘层上在第二水平方向上延伸。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本申请要求于2021年4月5日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0044038号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
[0002]本公开涉及半导体装置。
技术介绍
[0003]作为用于增大半导体装置的密度的缩放(scaling)技术中的一种，已经提出了多栅极晶体管，在多栅极晶体管中，鳍形状或纳米线形状的硅主体形成在基底上，并且栅极形成在硅主体的表面上。因为这样的多栅极晶体管利用三维的沟道，所以容易执行缩放。此外，即使不增大多栅极晶体管的栅极长度，也可以改善电流控制能力。此外，可以有效地抑制沟道区域的电位(或“电势”)受漏极电压影响的短沟道效应(SCE)。
技术实现思路
[0004]根据本公开的示例性实施例，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基体基底；第一电极板，设置在基体基底上；第一电力轨，在第一电极板上在第一水平方向上延伸，并且在垂直方向上与第一电极板重叠；第二电力轨，在第一电极板上在第一水平方向上延伸，在与第一水平方向不同的第二水平方向上与第一电力轨间隔开，并且在垂直方向上与第一电极板重叠；第一电力轨接触件，将第一电极板和第一电力轨电连接；绝缘层，设置在基体基底上，并且围绕第一电极板、第一电力轨和第二电力轨；以及栅电极，在绝缘层上在第二水平方向上延伸。
[0005]根据本公开的示例性实施例，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基体基底；第一电极板，设置在基体基底上；第二电极板，设置在第一电极板上；第一电力轨，在第二电极板上在第一水平方向上延伸；第二电力轨，在第二电极板上在第一水平方向上延伸，并且在与第一水平方向不同的第二水平方向上与第一电力轨间隔开；有源图案，在第一电力轨上在第一水平方向上延伸；栅电极，在有源图案上在第二水平方向上延伸，并且与第一电力轨和第二电力轨中的每个交叉；源极/漏极区域，设置在栅电极的两个侧壁上；源极/漏极接触件，在栅电极的第一侧壁上在垂直方向上穿透源极/漏极区域，并且将源极/漏极区域电连接到第一电力轨；以及电力轨接触件，在垂直方向上穿透第二电极板，并且将第一电极板和第一电力轨电连接。
[0006]根据本公开的示例性实施例，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基体基底；第一电极板，设置在基体基底上，并且具有平板形状；第二电极板，设置在第一电极板上，并且具有平板形状；第一电力轨，在第二电极板上在第一水平方向上延伸，并且在垂直方向上与第一电极板和第二电极板中的每个重叠；第二电力轨，在第二电极板上在第一水平方向上延伸，在与第一水平方向不同的第二水平方向上与第一电力轨间隔开，并且在垂直方向上与第一电极板和第二电极板中的每个重叠；第一电力轨接触件，在垂直方向上穿
透第二电极板，并且将第一电极板和第一电力轨电连接；第二电力轨接触件，在第二电极板的上表面上在垂直方向上延伸，并且将第二电极板电连接到第二电力轨；绝缘层，设置在基体基底上，并且围绕第一电极板、第二电极板、第一电力轨和第二电力轨；栅电极，在绝缘层上在第二水平方向上延伸；源极/漏极区域，设置在栅电极的两个侧壁上；第一源极/漏极接触件，在栅电极的第一侧壁上在垂直方向上穿透源极/漏极区域，并且将源极/漏极区域电连接到第一电力轨；以及第二源极/漏极接触件，在栅电极的第二侧壁上在垂直方向上从源极/漏极区域的上表面延伸，栅电极的第二侧壁与栅电极的第一侧壁背对。
附图说明
[0007]通过参照附图详细地描述示例性实施例，特征对本领域技术人员而言将变得清楚，在附图中：
[0008]图1是根据本公开的一些实施例的半导体装置的布局图；
[0009]图2是根据本公开的一些实施例的半导体装置的第一电极板的布局图；
[0010]图3是根据本公开的一些实施例的半导体装置的第二电极板的布局图；
[0011]图4是沿着图1至图3的线A
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A'截取的剖视图；
[0012]图5是沿着图1至图3的线B
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B'截取的剖视图；
[0013]图6是图5的区域R的放大图；
[0014]图7是沿着图1至图3的线C
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C'截取的剖视图；
[0015]图8是沿着图1至图3的线D
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D'截取的剖视图；
[0016]图9是沿着图1至图3的线E
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E'截取的剖视图；
[0017]图10至图22是根据本公开的一些实施例的用于制造半导体装置的方法中的阶段的剖视图；
[0018]图23是根据本公开的一些其他实施例的半导体装置的放大图；
[0019]图24是根据本公开的一些其他实施例的半导体装置的放大图；
[0020]图25是根据本公开的一些其他实施例的半导体装置的放大图；
[0021]图26是根据本公开的一些其他实施例的半导体装置的放大图；
[0022]图27和图28是根据本公开的一些其他实施例的半导体装置的剖视图；
[0023]图29是根据本公开的一些其他实施例的半导体装置的布局图；以及
[0024]图30至图32是根据本公开的一些其他实施例的半导体装置的剖视图。
具体实施方式
[0025]图1是根据本公开的一些实施例的半导体装置的布局图。图2是根据本公开的一些实施例的半导体装置的第一电极板的布局图。图3是根据本公开的一些实施例的半导体装置的第二电极板的布局图。图4是沿着图1至图3的线A
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A'截取的剖视图。图5是沿着图1至图3的线B
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B'截取的剖视图。图6是图5的区域R的放大图。图7是沿着图1至图3的线C
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C'截取的剖视图。图8是沿着图1至图3的线D
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D'截取的剖视图。图9是沿着图1至图3的线E
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E'截取的剖视图。
[0026]参照图1至图9，根据本公开的一些实施例的半导体装置可以包括基体基底(base substrate)100、绝缘层105、第一电极板110、第二电极板120、第一电力轨PR1至第三电力轨
PR3、第一有源区域AR1至第三有源区域AR3、第一有源图案F1至第六有源图案F6、第一栅电极G1至第三栅电极G3、栅极间隔件111、栅极绝缘层112、盖图案113、第一电力轨接触件130、第二电力轨接触件140、源极/漏极区域150、硅化物层155、第一源极/漏极接触件CA1、第二源极/漏极接触件CA2、栅极接触件CB、第一层间绝缘层161至第四层间绝缘层164、蚀刻停止层170、第一过孔V1、第二过孔V2、第一布线层181、第二布线层182、第一电极板接触件191和第二电极板接触件192。
[0027]基体基底100可以是例如硅基底。绝缘层105可以设置在基体基底100上。绝缘层105可以包括绝缘材料。绝缘层105可以包括例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和低介电常数材料中的至少一种。低介电常数材本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：基体基底；第一电极板，位于基体基底上；第一电力轨，位于第一电极板上，第一电力轨在第一水平方向上延伸并且在垂直方向上与第一电极板重叠；第二电力轨，位于第一电极板上，第二电力轨在第一水平方向上延伸并且在垂直方向上与第一电极板重叠，并且第二电力轨在与第一水平方向不同的第二水平方向上与第一电力轨间隔开；第一电力轨接触件，将第一电极板和第一电力轨电连接；绝缘层，位于基体基底上，绝缘层围绕第一电极板、第一电力轨和第二电力轨；以及栅电极，在绝缘层上在第二水平方向上延伸。2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：源极/漏极区域，与栅电极的彼此背对的侧壁相邻；以及第一源极/漏极接触件，与栅电极的第一侧壁相邻，在垂直方向上穿透源极/漏极区域，第一源极/漏极接触件将源极/漏极区域电连接到第一电力轨。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，源极/漏极区域的上表面与第一源极/漏极接触件的上表面位于同一平面上。4.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括：第二源极/漏极接触件，在垂直方向上从源极/漏极区域的上表面延伸，第二源极/漏极接触件与栅电极的第二侧壁相邻，栅电极的第二侧壁与栅电极的第一侧壁背对。5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：第二电极板，在绝缘层内部位于第一电极板上，第二电极板在垂直方向上与第一电力轨和第二电力轨中的每个重叠，并且第一电力轨接触件在垂直方向上穿透第二电极板。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，第一电力轨接触件包括：第一部分，连接到第一电极板，第一部分在垂直方向上穿透第二电极板，并且第一部分的上表面高于第二电极板的上表面；以及第二部分，将第一部分和第一电力轨连接。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，第一电力轨接触件的第一部分的上表面在第一水平方向上的宽度与第一电力轨接触件的第二部分的下表面在第一水平方向上的宽度不同。8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，第一电力轨接触件的第一部分的上表面的至少一部分和第一电力轨接触件的第二部分的下表面的至少一部分均与绝缘层接触。9.根据权利要求5所述的半导体装置，还包括：第二电力轨接触件，在第二电极板的上表面上在垂直方向上延伸，第二电力轨接触件将第二电极板电连接到第二电力轨。10.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，在第二电极板内部的第一电力轨接触件在第一水平方向上的宽度大于在第二电极板的上表面与绝缘层之间的界面处的第一电力轨接触件在第一水平方向上的宽度。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一电力轨接触件的侧壁具有连续的倾斜轮廓。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的半导体装置，还包括：多个纳米片，堆叠在绝缘层上并且在垂直方向上彼此间隔开，栅电极围绕所述多个纳米片。13.一种半导体装置，包括：基体基底；第一电极板，位于基体基底上；第二电极板，位于第一电极板上；第一电力轨，在第二电极板上在第一水平方向上延伸；第二电力轨，在第二电极板上在第一水平方向上延伸...
【专利技术属性】
技术研发人员：金成玟，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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