一种侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法，包括：漏极，碳化硅衬底，碳化硅N外延，位于所述碳化硅N外延上方的第一P+区和第二P+区，位于所述第一P+区上方对称设置的栅氧区、栅极以及N沟道，位于所述栅氧区、栅极以及N沟道侧面的Pwell区和N+区，位于所述Pwell区和N+区上方的源极；其中，所述第一P+区的宽度大于所述第二P+区的宽度，且第一P+区的深度等于所述第二P+区的深度。本发明专利技术通过制备5

【技术实现步骤摘要】
一种侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法


[0001]本专利技术涉及碳化硅沟槽MOSFET制备
，具体涉及一种侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法。

技术介绍

[0002]半半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信 号和进行能量转换。半导体技术一直是推动电力电子行业发展的决定性力量，功率硅器件的应用已经相当成熟，但随着日益增长的行业需求，硅器件由于其本身物理特性的限制，已经开始不适用于一些高压、高温、高效率及高功率密度的应用场合。
[0003]半导体器件碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性，开始受到人们的关注和研究，碳化硅材料较高的热导率决定了其高电流密度的特性，较高的禁带宽度又决定了SiC 器件的高击穿场强和高工作温度。
[0004]目前，沟槽型碳化硅MOSFET是主流，然而在现有技术的制备方案中制备出的沟槽型碳化硅MOSFET对栅氧的电场保护不够，特别是拐角处的栅氧容易被电场击穿。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术提供了一种侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET制备方法，解决了现有技术中沟槽型碳化硅MOSFET对栅氧的电场保护不够，特别是拐角处的栅氧容易被电场击穿的技术问题。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET，包括：漏极，位于所述漏极上方的碳化硅衬底，位于所述碳化硅衬底上方的碳化硅N外延，位于所述碳化硅N外延上方的第一P+区和第二P+区，位于所述第一P+区上方对称设置的栅氧区、栅极以及N沟道，位于所述栅氧区、栅极以及N沟道侧面的Pwell区和N+区，位于所述Pwell区和N+区上方的源极；其中，所述第一P+区的宽度大于所述第二P+区的宽度，且第一P+区的深度等于所述第二P+区的深度。
[0007]优选的，所述第二P+区的上方对称设置有Pwell区和N+区。
[0008]优选的，所述N+区位于所述Pwell区的上方。
[0009]为了实现上述目的，本专利技术还提供了一种侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET的制备方法，包括如下步骤：通过注入或外延的方式制作Pwell区，并沉积碳化硅沟槽刻蚀得到混合掩膜层，旋涂光刻胶并光刻，随后对混合掩膜层进行刻蚀，去除光刻胶，得到至少一个宽沟槽和一个窄沟槽；在混合掩膜层的作用下，刻蚀碳化硅，形成至少一个5
‑
10μm宽的碳化硅沟槽和至少一个2
‑
3μm的窄碳化硅沟槽；
沉积侧壁保护层；干法刻蚀侧壁保护层至碳化硅暴露出，通过光刻胶，刻蚀掉窄碳化硅沟槽处的侧壁保护层；去除光刻胶，在混合掩膜层及宽碳化硅沟槽处的侧壁保护层的作用下，进行高温铝离子注入，形成高浓度的第一P+区和第二P+区，其中，宽碳化硅沟槽的底部被第一P+区覆盖，窄碳化硅沟槽的侧壁和底部被第二P+区覆盖；清除剩余的侧壁保护层和混合掩膜层，旋涂光刻胶，调整曝光强度，露出表面碳化硅层，保留孔内的光刻胶，在光刻胶的掩膜下进行氮离子注入，形成N+区，去除光刻胶；制备栅氧，并沉积1
‑
2μm的多晶硅，无掩膜刻蚀多晶硅，至暴露出底部及顶部的栅氧，沉积隔离介质层，填充宽沟槽，通过光刻胶掩膜，刻蚀隔离介质层及栅氧区，形成多晶硅的电隔离层，沉积金属定义栅极、源极和漏极。
[0010]采用上述实施例的有益效果是：本专利技术通过制备5
‑
10μm的宽碳化硅沟槽，及2
‑
3μm的窄沟槽，在宽沟槽中的侧壁制备栅氧，底部用作二极管的阳极，窄沟槽整体作为二极管阳极，两阳极间夹杂侧壁MOSFET，对栅氧形成电场保护，防止拐角处栅氧被电场击穿。
附图说明
[0011]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0012]图1为本专利技术提供的侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET制备方法中步骤S1执行后侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET一实施例的结构变化示意图；图2为本专利技术提供的侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET制备方法中步骤S2执行后侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET一实施例的结构变化示意图；图3为本专利技术提供的侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET制备方法中步骤S3执行后侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET一实施例的结构变化示意图；图4为本专利技术提供的侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET制备方法中步骤S4执行后侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET一实施例的结构变化示意图；图5为本专利技术提供的侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET制备方法中步骤S5执行后侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET一实施例的结构变化示意图；图6为本专利技术提供的侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET制备方法中步骤S6执行后侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET一实施例的结构变化示意图；图7为本专利技术提供的侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET制备方法中步骤S7执行后侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET一实施例的结构变化示意图。
具体实施方式
[0013]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于
本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0014]为了解决现有技术中的技术问题，本专利技术提供了一种侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET，请参阅图7，此图7为本专利技术提供的侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET的制备完成的最终实施例附图。
[0015]具体的，该侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET，包括：漏极110，位于所述漏极110上方的碳化硅衬底101，位于所述碳化硅衬底101上方的碳化硅N外延102，位于所述碳化硅N外延102上方的第一P+区1071和第二P+区1072，位于所述第一P+区1071上方对称设置的栅氧区111、栅极112以及N沟道113，位于所述栅氧区111、栅极112以及N沟道113侧面的Pwell区103和N+区108，位于所述Pwell区103和N+区108上方的源极109；其中，所述第一P+区1071的宽度大于所述第二P+区1072的宽度，且第一P+区1071的深度等于所述第二P+区1072的深度，所述N+区108位于所述Pwell区103的上方，所述第二P+区1072的上方对称设置有Pwell区103和N+区108。
[0016]在本实施例中，本专利技术通过制备5
‑
10μm的宽碳化硅沟槽105，及2
‑
3μm的窄沟槽，在宽沟槽中的侧壁制备栅氧，底部用作二极管的阳极，窄沟槽整体作为二极管阳极，两阳极间夹杂侧壁MOSFET，对栅氧形成电场保护，防止拐角处栅氧被电场击穿。
[0017]为了制备该侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET，在本专利技术的实施例中，请参阅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：漏极，位于所述漏极上方的碳化硅衬底，位于所述碳化硅衬底上方的碳化硅N外延，位于所述碳化硅N外延上方的第一P+区和第二P+区，位于所述第一P+区上方对称设置的栅氧区、栅极以及N沟道，位于所述栅氧区、栅极以及N沟道侧面的Pwell区和N+区，位于所述Pwell区和N+区上方的源极；其中，所述第一P+区的宽度大于所述第二P+区的宽度，且第一P+区的深度等于所述第二P+区的深度。2.根据权利要求1所述的侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET，其特征在于，所述第二P+区的上方对称设置有Pwell区和N+区。3.根据权利要求1所述的侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET，其特征在于，所述N+区位于所述Pwell区的上方。4.一种如权利要求1
‑
3任一项所述的侧壁栅双沟槽碳化硅MOSFET的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：通过注入或外延的方式制作Pwell区，并沉积碳化硅沟槽刻蚀得到混合掩膜层，旋涂光刻胶并光刻，随后对混合掩膜层...

【专利技术属性】
技术研发人员：张益鸣，刘杰，
申请(专利权)人：深圳芯能半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：