一种晶片蒸镀前清洁的方法技术

本发明专利技术涉及半导体电子技术领域，具体涉及一种晶片蒸镀前清洁的方法，包括如下步骤：步骤二：等离子打胶机对其腔体进行两次的电离工序；步骤三：将步骤二得到的半成品晶片放入离子水中，对离子水中充氮气使离子水中鼓泡；步骤四：将步骤三得到的半成品晶片放入清洗槽后，进行两次不同速率的冲离子水，后进行三次平均功率不同的甩干。本发明专利技术的有益效果在于：本发明专利技术提供的不同功率的多次电离、冲离子水及甩干，能使聚合物被更合适功率的去除工序去除，并且多个不同功率的工序存在配合作用，使半成品晶片表面的杂质被更完全的去除，提高了半成品晶片表面的清洁程度。半成品晶片表面的清洁程度。半成品晶片表面的清洁程度。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片蒸镀前清洁的方法


[0001]本专利技术涉及半导体电子
，具体涉及一种晶片蒸镀前清洁的方法。

技术介绍

[0002]LED晶片是一种固态的半导体器件，其主要功能是把电能转化为光能。
[0003]LED晶片主要由两部分组成；一部分是P型半导体，内部具有带正电的空穴；另一部分是N型半导体，带负电。P型半导体和N型半导体连接后形成P
‑
N结；当电流作用于晶片时，负电子从N型半导体被推向P型半导体的空穴，电子与空穴转变成光子发出能量。
[0004]在LED晶片工艺中P型半导体及N型半导体是通过所蒸镀的金属电极将P型半导体和N型半导体的电连接引到晶片外部，已便于施加电流。而所蒸镀电极的粘附性的高低决定了其接触电阻及可靠性。如果在蒸镀金属电极前，半成品晶片表面有杂质残留，在蒸镀后杂质将被覆盖在电极下，造成晶片成品的接触电阻增大、电压异常；进而在焊线时，电极容易脱落，引起质量问题。因此设置一种通过提高半成品晶片蒸镀前的表面清洁效果来改善电极粘附性的方法是很有必要的。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种晶片蒸镀前清洁的方法，以尽可能减少P型半导体孔的杂质和N型半导体孔中的杂质。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的一种技术方案为：一种晶片蒸镀前清洁的方法，包括如下步骤：
[0007]步骤一：在半成品晶片上覆盖光刻胶后，使用光刻工艺，使光刻胶上开设出P型半导体孔和N型半导体孔；
[0008]步骤二：将步骤一得到的半成品晶片放入等离子打胶机的腔体中，使等离子打胶机对其腔体进行两次的电离工序，第二次电离工序的功率比第一次电离工序的功率小；
[0009]步骤三：将步骤二得到的半成品晶片放入离子水中，对离子水中充氮气使离子水中鼓泡；
[0010]步骤四：将步骤三得到的半成品晶片放入清洗槽后，进行两次不同速率的冲离子水，后进行三次平均功率不同的甩干。
[0011]本专利技术的有益效果在于：在对光刻胶的残留的去除工序中，如电离工序、冲离子水工序及甩干工序，并非功率越大，就对P型半导体孔和N型半导体孔阴角处的聚合物的粘附力的瓦解效果越好。并且，在多个P型半导体孔或多个N型半导体孔阴角处的聚合物对半成品晶片的粘附力不尽相同。
[0012]本专利技术提供的不同功率的多次电离、冲离子水及甩干，能使聚合物被更合适功率的去除工序去除，并且多个不同功率的工序存在配合作用，使半成品晶片表面的杂质被更完全的去除，提高了半成品晶片表面的清洁程度。
附图说明
[0013]图1为本专利技术具体实施方式的晶片的整体结构示意图；
[0014]图2为本专利技术具体实施方式的半成品晶片的部分结构示意图；
[0015]图3为本专利技术具体实施方式的半成品晶片的部分结构示意图；
[0016]标号说明：
[0017]1、蓝宝石衬底；2、N型半导体层；
[0018]3、多量子阱层；4、P型半导体层；
[0019]5、导电层ITO；6、光刻胶；7、P型半导体孔；
[0020]8、光刻胶底膜；9、聚合物。
具体实施方式
[0021]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0022]请参照图1
‑
3，一种晶片蒸镀前清洁的方法，包括如下步骤：
[0023]步骤一：在半成品晶片上覆盖光刻胶6后，使用光刻工艺，使光刻胶上开设出P型半导体孔7和N型半导体孔；
[0024]步骤二：将步骤一得到的半成品晶片放入等离子打胶机的腔体中，使等离子打胶机对其腔体进行两次的电离工序，第二次电离工序的功率比第一次电离工序的功率小；
[0025]步骤三：将步骤二得到的半成品晶片放入离子水中，对离子水中充氮气使离子水中鼓泡；
[0026]步骤四：将步骤三得到的半成品晶片放入清洗槽后，进行两次不同速率的冲离子水，后进行三次平均功率不同的甩干。
[0027]由上描述可知，本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供的晶片蒸镀前清洁的方法中，半成品晶片表面的杂质主要是指P型半导体孔和N型半导体孔中的光刻胶底膜8，光刻胶6在经过传统的光刻工艺通常难以避免留有光刻胶底膜。
[0028]步骤二中的对半成品晶片的两次不同功率的电离工序中，产生的氧离子使光刻胶底膜迅速氧化脱落，第一次的较大功率的电离工序能较好的去除P型半导体孔7和N型半导体孔中部的光刻胶底膜8，但难以及时去除P型半导体孔和N型半导体孔的阴角处的光刻胶底膜8，并使阴角处产生聚合物9堆积。第二次的功率较小的电离工序，能使P型半导体孔和N型半导体孔中阴角处的聚合物9堆积减少。
[0029]步骤三的方法是为了更好的湿润P型半导体孔和N型半导体孔中阴角处的聚合物；使聚合物更容易脱落。
[0030]步骤四中，多次不同速率的冲离子水以及多次不同功率的甩干，能充分清洁P型半导体孔7和N型半导体孔，冲刷并甩走P型半导体孔和N型半导体孔中角部处的聚合物9。
[0031]在对光刻胶的残留的去除工序中，如电离工序、冲离子水工序及甩干工序，并非功率越大，就对P型半导体孔和N型半导体孔阴角处的聚合物的粘附力的瓦解效果越好。并且，在多个P型半导体孔或多个N型半导体孔阴角处的聚合物对半成品晶片的粘附力不尽相同。
[0032]本专利技术提供的不同功率的多次电离、冲离子水及甩干，能使聚合物被更合适功率的去除工序去除，并且多个不同功率的工序存在配合作用，使半成品晶片表面的杂质被更
完全的去除，提高了半成品晶片表面的清洁程度。
[0033]进一步地，所述步骤二中，所述电离工序前后还分别设有扫气工序；所述扫气工序为：将氧气充入等离子打胶机的腔体，以置换原先等离子打胶机的腔体中的气体。
[0034]由上描述可知，扫气工序带走被电离而脱离的光刻胶底膜，并保持腔体内的含氧量，使电离的清洁效果能被保持在一定程度。
[0035]进一步地，所述步骤二中，“将步骤一得到的半成品晶片放入等离子打胶机的腔体中”具体为：将步骤一得到的半成品晶片设置在等离子打胶机的转盘上；在两次电离工序中，均向等离子打胶机的腔体中充入氧气。
[0036]由上描述可知，上述设置能保持腔体内的含氧量，使电离的清洁效果能被保持在一定程度。
[0037]进一步的，所述步骤二具体为，(1)将打胶转盘设定10r/min(转/每分钟)，腔体真空达40mTorr后将20sccm(毫升/每分钟)的氧气通入腔体，进行腔体的氧气前吹扫，维持30s，增加腔体氧含量，减少腔体杂气残留；
[0038](2)将打胶转盘设定10r/min、保持20sccm氧通量，射频电源RF功率调高至130W，保持400s的电离作业，使氧气产生离子体使底膜光刻胶快速氧化，并通过真空将物质抽离腔体；
[0039](3)将打胶转盘设定10r/min、保持20sccm氧通量，RF功率调低至0W，维持30s，通过氧气吹本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片蒸镀前清洁的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：在半成品晶片上覆盖光刻胶后，使用光刻工艺，使光刻胶上开设出P型半导体孔和N型半导体孔；步骤二：将步骤一得到的半成品晶片放入等离子打胶机的腔体中，使等离子打胶机对其腔体进行两次的电离工序，第二次电离工序的功率比第一次电离工序的功率小；步骤三：将步骤二得到的半成品晶片放入离子水中，对离子水中充氮气使离子水中鼓泡；步骤四：将步骤三得到的半成品晶片放入清洗槽后，进行两次不同速率的冲离子水，后进行三次平均功率不同的甩干。2.根据权利要求1所述晶片蒸镀前清洁的方法，其特征在于，所述步骤二中，所述电离工序前后还分别设有扫气工序；所述扫气工序为：将氧气充入等离子打胶机的腔体，以置换原先等离子打胶机的腔体中的气体。3.根据权利要求1所述晶片蒸镀前清洁的方法，其特征在于，所述步骤二中，“将步骤一得到的半成品晶片放入等离子打胶机的腔体中”具体为：将步骤一得到的半成品晶片设置在等离子打胶机的转盘上；在两次电离工序中，均向等离子打胶机的腔体中充入氧气。4.根据权利要求3所述晶片蒸镀前清洁的方法，其特征在于，所述步骤二具体为，(1)将打胶转盘设定10r/min(转/每分钟)，腔体真空达40mTorr后将20sccm(毫升/每分钟)的氧气通入腔体，进行腔体的氧气前吹扫，维持30s，；(2)将打胶转盘设定10r/min、保持20sccm氧通量，射频电源RF功率调高至130W，保持400s的电离作业；(3)将打胶转盘设定10r/min、保持20sccm氧通量，RF功率调低至0W，维持30s；(4)调整打胶转盘转速5r/min与氧通量10sccm，RF功率调至100W，保持400s的电离作业，RF功率由第一段130W调整为100W，转盘转速下调5r/min，氧通量10sccm；(5)保持转盘转速5r/min与氧通量10sccm，RF功率调低至0W，维持30s。...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪加添，林展成，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：发明
国别省市：