本发明专利技术涉及一种层叠体，其特征在于，具备：由半导体基板构成的第一基体、由透光性的支承基板构成的第二基体、以及在上述第一基体与上述第二基体之间的粘接层和剥离层，上述剥离层为由如下剥离剂组合物得到的膜，所述剥离剂组合物包含产酸剂和酸中的至少任一者、式(P)所示的多核酚衍生物以及交联剂。(式中，Ar表示亚芳基。)))
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠体以及剥离剂组合物
[0001]本专利技术涉及一种层叠体以及剥离剂组合物。
技术介绍
[0002]就以往在二维的平面方向上集成而得的半导体晶片而言，以更进一步的集成化为目的，追求将平面进一步集成(层叠)于三维方向的半导体集成技术。该三维层叠是通过硅穿孔电极(TSV：through silicon via(硅穿孔))进行接线，并且集成为多层的技术。在集成为多层时，利用研磨使待集成的各个晶片的与所形成的电路面相反一侧(即背面)薄化，将经薄化的半导体晶片进行层叠。
[0003]对于薄化前的半导体晶片(在此也简称为晶片)，为了利用研磨装置进行研磨，将其粘接于支承体。此时的粘接必须在研磨后容易剥离，因此称为临时粘接。该临时粘接必须容易从支承体拆卸，当对拆卸施加较大的力时，有时经薄化的半导体晶片被切断或发生变形，为了不产生这样的情况而需容易拆卸。但是，在半导体晶片的背面研磨时，因研磨应力而产生脱离或偏移，这是不优选的。因此，对于临时粘接所追求的性能是：耐受研磨时的应力，在研磨后容易拆卸。
[0004]例如，追求下述性能：相对于研磨时的平面方向具有高应力(强粘接力)，相对于拆卸时的纵向具有低应力(弱粘接力)。
[0005]为了进行这样的粘接和分离的工艺，公开了利用激光照射的方法(例如参照专利文献1、专利文献2)，但伴随近来的半导体领域中的进一步进展，不断追求与利用激光照射的剥离相关的新技术。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2004－64040号公报
[0009]专利文献2：日本特开2012－106486号公报
技术实现思路
[0010]专利技术所要解决的问题
[0011]本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供一种具备如下剥离层的层叠体以及提供作为这样的剥离层优选的膜的剥离剂组合物，所述剥离层在支承基板与半导体基板的接合时、半导体基板的背面的加工时、零件安装时等的耐热性优异，在支承基板、半导体基板的剥离时能够通过光照射而容易剥离。
[0012]用于解决问题的方案
[0013]本专利技术人等为了解决上述问题而进行了各种研究，结果发现，通过使用由如下剥离剂组合物得到的膜作为如下层叠体的下述剥离层，能解决上述问题，从而完成了本专利技术，所述层叠体具备：由半导体基板构成的第一基体、由透光性的支承基板构成的第二基体、以及在上述第一基体与上述第二基体之间的粘接层和剥离层，所述剥离剂组合物包含产酸剂
和酸中的至少任一者、规定的多核酚衍生物以及交联剂。
[0014]即，本专利技术提供如下内容。
[0015]1.一种层叠体，其具备：由半导体基板构成的第一基体、由透光性的支承基板构成的第二基体、以及在上述第一基体与上述第二基体之间的粘接层和剥离层，上述剥离层为由如下剥离剂组合物得到的膜，所述剥离剂组合物包含产酸剂和酸中的至少任一者、式(P)所示的多核酚衍生物以及交联剂。
[0016][0017](式中，Ar表示亚芳基。)
[0018]2.根据1的层叠体，其中，上述多核酚衍生物由式(P－1)表示。
[0019][0020]3.根据2的层叠体，其中，上述多核酚衍生物由式(P－1－1)表示。
[0021][0022]4.根据3的层叠体，其中，上述多核酚衍生物由式(P1)表示。
[0023][0024]5.根据1～4中任一项的层叠体，其中，上述交联剂包含选自具有交联形成基团的酚系交联剂、具有交联形成基团的密胺系交联剂、具有交联形成基团的脲系交联剂以及具
有交联形成基团的硫脲系交联剂中的至少一种。
[0025]6.根据5的层叠体，其中，上述交联剂包含具有交联形成基团的酚系交联剂。
[0026]7.根据1～6中任一项的层叠体，其中，上述剥离剂组合物包含酸。
[0027]8.根据7的层叠体，其中，上述酸包含选自芳基磺酸、芳基磺酸的盐、芳基羧酸、芳基羧酸盐、链状或环状烷基磺酸、链状或环状烷基磺酸的盐、链状或环状烷基羧酸以及链状或环状烷基羧酸中的至少一种。
[0028]9.根据1～8中任一项的层叠体，其特征在于，上述粘接层为使用包含粘接剂成分(S)的粘接剂组合物得到的膜，所述粘接剂成分(S)包含选自有机硅系粘接剂、丙烯酸树脂系粘接剂、环氧树脂系粘接剂、聚酰胺系粘接剂、聚苯乙烯系粘接剂、聚酰亚胺粘接剂以及酚醛树脂系粘接剂中的至少一种。
[0029]10.根据9的层叠体，其中，上述粘接剂成分(S)包含有机硅系粘接剂。
[0030]11.根据10的层叠体，其中，上述有机硅系粘接剂包含通过氢化硅烷化反应而固化的聚硅氧烷成分(A)。
[0031]12.一种剥离剂组合物，其包含产酸剂和酸中的至少任一者、式(P)所示的多核酚衍生物以及交联剂。
[0032][0033](式中，Ar表示亚芳基。)
[0034]13.根据12的剥离剂组合物，其中，上述多核酚衍生物由式(P－1)表示。
[0035][0036]14.根据13的剥离剂组合物，其中，上述多核酚衍生物由式(P－1－1)表示。
[0037][0038]15.根据14的剥离剂组合物，其中，上述多核酚衍生物由式(P1)表示。
[0039][0040]16.根据12～15中任一项的剥离剂组合物，其中，上述交联剂包含选自具有交联形成基团的酚系交联剂、具有交联形成基团的密胺系交联剂、具有交联形成基团的脲系交联剂以及具有交联形成基团的硫脲系交联剂中的至少一种。
[0041]17.根据12～16中任一项的剥离剂组合物，其中，上述交联剂包含具有交联形成基团的酚系交联剂。
[0042]18.根据12～17中任一项的剥离剂组合物，其中，上述剥离剂组合物包含酸。
[0043]19.根据18的剥离剂组合物，其中，上述酸包含选自芳基磺酸、芳基磺酸的盐、芳基羧酸、芳基羧酸盐、链状或环状烷基磺酸、链状或环状烷基磺酸的盐、链状或环状烷基羧酸以及链状或环状烷基羧酸中的至少一种。
[0044]20.根据12～19中任一项的剥离剂组合物，其中，所述剥离剂组合物用于形成如下层叠体的下述剥离层，所述层叠体具备：由半导体基板构成的第一基体、由透光性的支承基板构成的第二基体、以及在上述第一基体与上述第二基体之间的粘接层和剥离层。
[0045]专利技术效果
[0046]本专利技术的层叠体具备：由半导体基板构成的第一基体、由透光性的支承基板构成的第二基体、以及在上述第一基体与上述第二基体之间的粘接层和剥离层，上述剥离层为由如下剥离剂组合物得到的膜，所述剥离剂组合物包含产酸剂和酸中的至少任一者、规定的多核酚衍生物以及交联剂，通过从上述第二基体侧照射光，接受到光的所述剥离层发挥剥离能力，其结果是，能容易将上述第二基体从上述第一基体和上述粘接层分离。能如此容易分离的理由可推测在于，剥离层吸收隔着第二基体照射的光而分解或变质。可认为，通过这样的分解或变质，在剥离层与粘接层的界面、剥本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种层叠体，其特征在于，具备：由半导体基板构成的第一基体、由透光性的支承基板构成的第二基体、以及在所述第一基体与所述第二基体之间的粘接层和剥离层，所述剥离层为由如下剥离剂组合物得到的膜，所述剥离剂组合物包含产酸剂和酸中的至少任一者、式(P)所示的多核酚衍生物以及交联剂，式中，Ar表示亚芳基。2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，所述多核酚衍生物由式(P－1)表示，3.根据权利要求2所述的层叠体，其中，所述多核酚衍生物由式(P－1－1)表示，4.根据权利要求3所述的层叠体，其中，所述多核酚衍生物由式(P1)表示，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠体，其中，所述交联剂包含选自具有交联形成基团的酚系交联剂、具有交联形成基团的密胺系交联剂、具有交联形成基团的脲系交联剂以及具有交联形成基团的硫脲系交联剂中的至少一种。6.根据权利要求5所述的层叠体，其中，所述交联剂包含具有交联形成基团的酚系交联剂。7.根据权利要求1～6中任一项所述的层叠体，其中，所述剥离剂组合物包含酸。8.根据权利要求7所述的层叠体，其中，所述酸包含选自芳基磺酸、芳基磺酸的盐、芳基羧酸、芳基羧酸盐、链状或环状烷基磺酸、链状或环状烷基磺酸的盐、链状或环状烷基羧酸以及链状或环状烷基羧酸中的至少一种。9.根据权利要求1～8中任一项所述的层叠体，其特征在于，所述粘接层为使用包含粘接剂成分(S)的粘接剂组合物得到的膜，所述粘接剂成分(S)包含选自有机硅系粘接剂、丙烯酸树脂系粘接剂、环氧树脂系粘接剂、聚酰胺系粘接剂、聚苯乙烯系粘接剂、聚酰亚胺粘接剂以及酚醛树脂系粘接剂中的至少一种。10.根据权利要求9所述的层叠体，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：绪方裕斗，新城彻也，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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