含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物及含硅抗蚀剂下层膜制造技术

一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有[A]成分：含有碳‑碳三键的聚硅氧烷、和[C]成分：溶剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物、以及含硅抗蚀剂下层膜。

技术介绍

1、一直以来在半导体装置的制造中，通过使用了光致抗蚀剂的光刻进行微细加工。微细加工是通过在硅晶片等半导体基板上形成光致抗蚀剂的薄膜，在其上经由描绘了半导体器件的图案的掩模图案而照射紫外线等活性光线，进行显影，以所得的光致抗蚀剂图案作为保护膜而将基板进行蚀刻处理，从而在基板表面形成与图案对应的微细凹凸的加工法。

2、近年来，半导体器件的高集成度化发展，所使用的活性光线也具有从krf准分子激光(248nm)向arf准分子激光(193nm)短波长化的倾向。随着活性光线的短波长化，活性光线从半导体基板的反射的影响正在成为大问题，在该情况下，在光致抗蚀剂与被加工基板之间设置被称为防反射膜(bottom anti-reflective coating，barc)的抗蚀剂下层膜的方法被广泛应用。

3、使用作为包含硅、钛等金属元素的硬掩模而已知的膜作为半导体基板与光致抗蚀剂之间的下层膜。在该情况下，对于抗蚀剂和硬掩模，由于其构成成分具有大的不同，因此通过干蚀刻而被除去的它本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：

2.根据权利要求1所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述含有碳-碳三键的聚硅氧烷包含来源于具有碳-碳三键的水解性硅烷(A)的结构单元。

3.一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：

4.根据权利要求2或3所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述水解性硅烷(A)为下述式(A-1)所示的化合物；

5.根据权利要求4所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(A-1)中的R1由下述式(A-2a)表示；

6.根据权利要求1或2所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，作为所述[A]成分的含有...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：

2.根据权利要求1所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述含有碳-碳三键的聚硅氧烷包含来源于具有碳-碳三键的水解性硅烷(a)的结构单元。

3.一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：

4.根据权利要求2或3所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述水解性硅烷(a)为下述式(a-1)所示的化合物；

5.根据权利要求4所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(a-1)中的r1由下述式(a-2a)表示；

6.根据权利要求1或2所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，作为所述[a]成分的含有碳-碳三键的聚硅氧烷为硅烷醇基的一部分被醇改性或被缩醛保护了的聚硅氧烷改性物。

7.根据权利要求3所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，作为所述[a’]成分的聚硅氧烷为硅烷醇基的一部分被醇改性或被缩醛保护了的聚硅氧烷改性物。

8.根据权利要求1或3所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述[c]成分含有醇系溶剂。

9.根据权利要求8所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述[c]成分含有丙二醇单烷基醚。

10.根据权利要求1或3所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步含有[...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴山亘，武田谕，志垣修平，古川优树，西条太规，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：