一种芯片尖角的研磨抛光方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片尖角的研磨抛光方法，在芯片的表面由芯片盖板的边沿至芯片的边沿通过粘结剂粘贴固定保护盖板，在所述保护盖板和所述芯片盖板的表面粘贴固定加强盖板得到芯片组装体；所述粘结剂为UV胶与玻璃粉的混合物；对所述芯片组装体的侧面进行第一倾斜角的研磨抛光，所述第一倾斜角为所述芯片组装体的侧面与所述芯片的表面法线夹角，所述第一倾斜角的角度小于目标研磨抛光角度；对所述芯片进行了第一次研磨抛光后的侧面进行第二倾斜角的研磨抛光，所述第二倾斜角为所述芯片的侧面与所述芯片的表面法线夹角，所述第二倾斜角得角度为目标研磨抛光角度。本发明专利技术可避免芯片崩角或者裂纹分层，并防止内部结构损伤，可提高研磨抛光效率。高研磨抛光效率。高研磨抛光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片尖角的研磨抛光方法


[0001]本专利技术涉及一种芯片研磨抛光方法，特别是一种芯片尖角的研磨抛光方法。

技术介绍

[0002]在芯片加工过程中，需要对芯片的侧边进行研磨抛光使得侧面与竖直面间形成一定的夹角。一般芯片的厚度比较薄，为了减少研磨抛光过程中，芯片发生崩角或者裂纹分层的问题，都会采用添加保护盖板的方式进行加工，即在芯片表面，从芯片盖板的边沿至芯片的边沿的区域粘结一层与芯片盖板厚度相当的保护盖板，并且为了避免在研磨抛光时夹具将芯片夹裂，还会在保护盖板及芯片盖板的基础上再用蜡粘接一层加强盖板以提高整体的强体。这种工艺方法可以满足小角度尖角芯片的研磨抛光，但是当需要进行大角度(即芯片侧面与竖直面夹角大于30
°
)研磨抛光时，往往会因为覆盖了保护盖板和加强盖板的芯片整体硬度不足导致支撑力不够而仍然出现崩角或者裂纹分层的问题，同时对于光电子芯片来说，研磨抛光过程中的拉扯力往往会造成光电子芯片波导层的损坏。

技术实现思路

[0003]针对上述现有技术缺陷，本专利技术的任务在于提供一种芯片尖角的研磨抛光方法，解决在大角度研磨抛光时造成的芯片崩角或者裂纹分层的问题，以及拉扯损坏芯片内部结构的问题，尤其是光电子芯片波导层的损坏问题。
[0004]本专利技术技术方案如下：一种芯片尖角的研磨抛光方法，包括以下步骤：
[0005]步骤1、在芯片的表面由芯片盖板的边沿至芯片的边沿通过粘结剂粘贴固定保护盖板，在所述保护盖板和所述芯片盖板的表面粘贴固定加强盖板得到芯片组装体；所述粘结剂为UV胶与玻璃粉的混合物；
[0006]步骤2、对所述芯片组装体的侧面进行第一倾斜角的研磨抛光，所述第一倾斜角为所述芯片组装体的侧面与所述芯片的表面法线夹角，所述第一倾斜角的角度小于目标研磨抛光角度；
[0007]步骤3、对所述芯片进行了所述步骤2的研磨抛光后的侧面进行第二倾斜角的研磨抛光，所述第二倾斜角为所述芯片的侧面与所述芯片的表面法线夹角，所述第二倾斜角得角度为目标研磨抛光角度。
[0008]进一步地，所述芯片为光电子芯片时，所述步骤3中对所述芯片进行了所述步骤2的研磨抛光后的侧面进行第二倾斜角的研磨抛光是先对所述侧面进行第二倾斜角的研磨至不超出所述光电子芯片的波导层，然后抛光使所述芯片的侧面都形成进行第二倾斜角。通过对光电子芯片的大角度的逐步的研磨抛光，进一步保护了光电子芯片的波导层不受损伤。
[0009]进一步地，所述第一倾斜角的角度为5
°
～10
°
，所述目标研磨抛光角度大于30
°
。
[0010]进一步地，所述粘结剂中UV胶与玻璃粉的体积质量比为15ml∶4.5～7.5mg。
[0011]进一步地，所述玻璃粉的粒径为1～5μm。
[0012]进一步地，所述步骤1中粘结剂粘贴固定保护盖板时所述粘结剂形成的粘结层厚度为10～30μm。
[0013]进一步地，所述粘结剂是由所述UV胶与所述玻璃粉经过离心机混合并脱泡制得。
[0014]进一步地，所述加强盖板通过芯片粘结蜡与所述保护盖板和所述芯片盖板粘结。
[0015]本专利技术与现有技术相比的优点在于：
[0016]通过均匀掺杂玻璃粉强化保护盖板的粘接剂固化后的硬度，在研磨和抛光两个过程中线采用小角度加工再进行大角度加工的方法减少研磨抛光过程中芯片内部结构的拉扯，对光电子芯片而言可减少对其波导层的拉扯，最终解决大角度光电子芯片尖角的研磨抛光崩角或者裂纹分层即结构损伤的问题。同时可提高研磨抛光的转速，使得研磨抛光加工的效率提升了约30％。
附图说明
[0017]图1为本专利技术实施例的芯片组装体结构示意图。
[0018]图2为本专利技术实施例的芯片组装体在第一次小角度研磨抛光后的结构示意图。
[0019]图3为本专利技术实施例的芯片组装体在第二次研磨后的结构示意图。
[0020]图4为本专利技术实施例的芯片组装体在第二次抛光后的结构示意图。
[0021]图5为本专利技术实施例的加工完成后的芯片的结构示意图。
具体实施方式
[0022]下面结合实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为对本专利技术的限定。
[0023]请结合图1至图5所示，本专利技术实施例涉及的芯片尖角的研磨抛光方法，包括以下步骤1至4：
[0024]步骤1包括步骤101、在光电子芯片1表面施加盖板粘合胶水，低温60度使得胶水流动性更好的情况下抽真空30分钟，去除芯片盖板2与光电子芯片1粘接中间的气泡。显微镜下进行芯片盖板2对位及UV固化定位，最后UV面光源及100摄氏度2小时高温完全固化以固定芯片盖板2后去除芯片盖板2边沿溢出的胶水。
[0025]步骤102、采用UV胶混合玻璃粉制得粘结剂3，具体过程为，1.5ml胶水与0.45～0.75mg粒径为1～5μm的玻璃粉混合后装入子弹胶管，用离心机4000转10分钟进行搅拌，继续10分钟脱泡，使得胶水与玻璃粉均匀混合。本实施例中UV胶采用的是AA 3761TM，玻璃粉的粒径为2μm。
[0026]步骤103、在光电子芯片1的表面从芯片盖板2的边沿至芯片边沿的位置施加步骤102制得的粘结剂3，然后粘结保护盖板4，同样显微镜下进行对位及UV固化定位，再进行100摄氏度高温固化使粘合剂充分固化稳定。粘结剂3的施加厚度为10～30μm，保证粘结的可靠牢固又便于后期清除，粘结固定后使芯片盖板2和保护盖板4的顶面基本处于同一平面。
[0027]步骤104、将步骤103粘结保护盖板4后的光电子芯片1，放在120度高温热盘上加热，在其表面涂满均匀的芯片粘结蜡5，再将加强盖板6粘接到保护盖板4和芯片盖板2上得到芯片组装体，此时结构如图1所示。
[0028]步骤2包括步骤201：将芯片组装体装上第一倾斜角α的研磨工装盘进行研磨，该角度为芯片组装体的厚度方向侧面与光电子芯片1的表面法线夹角，第一倾斜角α应该小于最
终需要的目标研磨抛光角度，一般可选择5
°
～10
°
，过于小的角度则使得后续研磨抛光量大，过大的角度则使得本次研磨抛光量大，这两种情况都容易导致芯片破损。根据现有技术中研磨抛光的常用角度，第一倾斜角α为8
°
，此时研磨工装盘可与现有设备通用，降低成本。研磨过程中研磨液(配比1:20)滴速20滴/分钟，研磨时间20分钟，芯片组装体的侧面包括加强盖板6、保护盖板4以及光电子芯片1全部开出对应第一倾斜角。
[0029]步骤202：研磨出第一倾斜角α的芯片组装体继续在第一倾斜角α的研磨工装盘对研磨面进行抛光，抛光液(配比1:10)滴速10滴/分钟，抛光时间30分钟，使得整个研磨面平滑无砂纹。得到的芯片组装体结构如图2所示。
[0030]步骤3包括步骤301：将步骤202抛光后的芯片组装体装上第二倾斜角β的研磨工装盘进行研磨，该角度为芯片组装体中光电子芯片1最终的侧面与光电子芯片1的表面法线夹角，第二倾斜角β根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片尖角的研磨抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在芯片的表面由芯片盖板的边沿至芯片的边沿通过粘结剂粘贴固定保护盖板，在所述保护盖板和所述芯片盖板的表面粘贴固定加强盖板得到芯片组装体；所述粘结剂为UV胶与玻璃粉的混合物；步骤2、对所述芯片组装体的侧面进行第一倾斜角的研磨抛光，所述第一倾斜角为所述芯片组装体的侧面与所述芯片的表面法线夹角，所述第一倾斜角的角度小于目标研磨抛光角度；步骤3、对所述芯片进行了所述步骤2的研磨抛光后的侧面进行第二倾斜角的研磨抛光，所述第二倾斜角为所述芯片的侧面与所述芯片的表面法线夹角，所述第二倾斜角得角度为目标研磨抛光角度。2.根据权利要求1所述的芯片尖角的研磨抛光方法，其特征在于，所述芯片为光电子芯片时，所述步骤3中对所述芯片进行了所述步骤2的研磨抛光后的侧面进行第二倾斜角的研磨抛光是先对所述侧面进行第二倾斜角的研磨至不超出所述光电子芯片的波导层，然后抛光使所述芯片的侧面都形成进行第...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭胜平，李军，王国兵，
申请(专利权)人：苏州源数芯通信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：