一种矩形通道热隔断多电极雾化器制造技术

本发明专利技术公开了一种矩形通道热隔断多电极雾化器，属于加热雾化器技术领域，包括硅衬底、电极本体、多个雾化通孔和多个隔热通道，所述电极本体沉积于所述硅衬底的顶面上，所述电极本体上开设有多个避空通孔，相邻的两个所述避空通孔之间形成电极条，所述雾化通孔为矩形孔，所述雾化通孔穿过所述硅衬底并延伸至所述避空通孔内，单个所述避空通孔内至少设置有两个所述雾化通孔，所述隔热通道为矩形孔，所述隔热通道穿过所述硅衬底；本发明专利技术通过在硅衬底的相对两侧设置隔热通道，减少了硅衬底与外壳边缘的接触，阻断热量的横向梯度扩散，从而降低了热量的损失，保证在一定的电压电流下雾化效果更好，具有节能的效果。具有节能的效果。具有节能的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种矩形通道热隔断多电极雾化器


[0001]本专利技术属于加热雾化器
，尤其涉及一种矩形通道热隔断多电极雾化器。

技术介绍

[0002]现有的雾化器多基于陶瓷芯片，由陶瓷和发热膜两部分构成，陶瓷经过高温烧结制成碗状结构，发热膜设计成特定形状附着在陶瓷表面，在工作过程中，发热膜通过均匀发热，把液体加热形成雾气，由陶瓷蜂窝孔散发。
[0003]目前，雾化器存在如下问题：微孔加工难度大，特别是深宽比大的微孔，微孔加工效率低，并且很难保证加热雾化的均匀性；电极金属厚度大，占成本比例高；热量损失高，雾化转换效率低；开设多个微孔的雾化器结构强度低，加工破片率高，生产成本高。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种对液态源料进行均匀、快速、节能地电加热的，并通过特定尺寸的微孔产生持续气态产物的矩形通道热隔断多电极雾化器。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：一种矩形通道热隔断多电极雾化器，其包括硅衬底、电极本体、多个雾化通孔和多个隔热通道，所述电极本体沉积于所述硅衬底的顶面上，所述电极本体上开设有多个避空通孔，相邻的两个所述避空通孔之间形成电极条，所述雾化通孔为矩形孔，所述雾化通孔穿过所述硅衬底并延伸至所述避空通孔内，单个所述避空通孔内至少设置有两个所述雾化通孔，所述隔热通道为矩形孔，所述隔热通道穿过所述硅衬底，所述隔热通道延伸至所述电极本体相对两侧的所述避空通孔内，单个所述避空通孔内至少设置有一个所述隔热通道。
[0006]作为上述技术方案的进一步描述：
[0007]位于同一所述避空通孔内的相邻所述雾化通孔之间设置有支撑。
[0008]作为上述技术方案的进一步描述：
[0009]所述硅衬底的厚度为100
‑
500μm。
[0010]作为上述技术方案的进一步描述：
[0011]所述电极本体为10
‑
2000nm厚的Ti/Au材料。
[0012]作为上述技术方案的进一步描述：
[0013]单个所述避空通孔内设置有4个所述雾化通孔，单个所述避空通孔内设置有3个所述隔热通道，4个所述雾化通孔呈矩形阵列布置，3个所述隔热通道沿直线方向等距离均匀排列布置。
[0014]作为上述技术方案的进一步描述：
[0015]单个所述避空通孔内设置有6个所述雾化通孔，单个所述避空通孔内设置有3个所述隔热通道，6个所述雾化通孔呈矩形阵列排布，3个所述隔热通道沿直线方向等距离均匀排列布置。
[0016]作为上述技术方案的进一步描述：
[0017]所述避空通孔为矩形孔。
[0018]作为上述技术方案的进一步描述：
[0019]所述避空通孔为至少三个设置，位于电极本体相对两侧的两个避空通孔，其延伸至所述电极本体的侧壁。
[0020]综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术的有益效果是：
[0021]1、本专利技术中，通过在硅衬底的相对两侧设置隔热通道，减少了硅衬底与外壳边缘的接触，阻断热量的横向梯度扩散，从而降低了热量的损失，保证在一定的电压电流下雾化效果更好，具有节能的效果。
[0022]2、本专利技术中，通过电极本体上开设有多个避空通孔，在避空通孔之间形成多条电极条，多条电极条与电极本体的连接形成并联电路，从而增加了雾化功率，同时，多条电极条也增加了电极本体与硅衬底的接触面积，使得电极本体的厚度可以降低，便于对液态源料快速均匀地加热，降低生产成本。
[0023]3、本专利技术中，通过多个矩形雾化通孔设计，具有均匀充分的雾化效果，同时，在针对雾化通孔进行加工时，矩形蚀刻在加工深宽比很大的通孔，反应气体能更充分地进入材料底部，蚀刻完全，从而使得雾化通孔便于加工，大大提高了雾化器的生产效率。
[0024]4、本专利技术中，通过在同一避空通孔内的不同雾化通孔之间设计有支撑，使得雾化器的结构强度有所提高，降低了雾化器的破片率，大大降低了生产成本。
附图说明
[0025]图1为一种矩形通道热隔断多电极雾化器的实施例一的俯视图。
[0026]图2为一种矩形通道热隔断多电极雾化器的实施例一的剖视图。
[0027]图3为一种矩形通道热隔断多电极雾化器的实施例二的俯视图。
[0028]图4为一种矩形通道热隔断多电极雾化器的实施例三的俯视图。
[0029]图例说明：
[0030]1、硅衬底；2、电极本体；3、雾化通孔；4、隔热通道；5、避空通孔；6、电极条；7、支撑。
具体实施方式
[0031]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0032]请参阅图1
‑
4，本专利技术提供一种技术方案：一种矩形通道热隔断多电极雾化器，包括硅衬底1、电极本体2、多个雾化通孔3和多个隔热通道4，所述电极本体2沉积于所述硅衬底1的顶面上，所述电极本体2上开设有多个避空通孔5，相邻的两个所述避空通孔5之间形成电极条6，所述雾化通孔3为矩形孔，所述雾化通孔3穿过所述硅衬底1并延伸至所述避空通孔5内，单个所述避空通孔5内至少设置有两个所述雾化通孔3，所述隔热通道4为矩形孔，所述隔热通道4穿过所述硅衬底1，所述隔热通道4延伸至所述电极本体2相对两侧的所述避空通孔5内，单个所述避空通孔5内至少设置有一个所述隔热通道4；
[0033]位于同一所述避空通孔5内的相邻所述雾化通孔3之间设置有支撑7，使得雾化器
的整体刚性有所提高，降低了雾化器的破片率，大大降低了生产成本；
[0034]所述硅衬底1的厚度为100
‑
500μm；
[0035]所述电极本体2为10
‑
2000nm厚的Ti/Au材料；
[0036]单个所述避空通孔5内设置有4个所述雾化通孔3，单个所述避空通孔5内设置有3个所述隔热通道4，4个所述雾化通孔3呈矩形阵列布置，3个所述隔热通道4沿直线方向等距离均匀排列布置，均匀排列的雾化通孔3有利于热量的均匀扩散，从而使得液体源料被均匀地加热雾化，雾化效果好，多个隔热通道4阻断热量的横向梯度扩散，从而降低了热量的损失；
[0037]单个所述避空通孔5内设置有6个所述雾化通孔3，单个所述避空通孔5内设置有3个所述隔热通道4，6个所述雾化通孔3呈矩形阵列排布，3个所述隔热通道4沿直线方向等距离均匀排列布置；
[0038]所述避空通孔5为矩形孔，适应呈矩形阵列排布的雾化通孔3，围挡在多个雾化通孔3的四周，有利于热量从电极本体2均匀快速地传递到雾化通孔3内；
[0039]所述避空通孔5为至少三个设置，位于电极本体2相对两侧的两个避空通孔5，其延伸至所述电极本体2的侧壁，位于两侧的避空通孔5满足隔热通道4的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种矩形通道热隔断多电极雾化器，其特征在于：包括硅衬底(1)、电极本体(2)、多个雾化通孔(3)和多个隔热通道(4)，所述电极本体(2)沉积于所述硅衬底(1)的顶面上，所述电极本体(2)上开设有多个避空通孔(5)，相邻的两个所述避空通孔(5)之间形成电极条(6)，所述雾化通孔(3)为矩形孔，所述雾化通孔(3)穿过所述硅衬底(1)并延伸至所述避空通孔(5)内，单个所述避空通孔(5)内至少设置有两个所述雾化通孔(3)，所述隔热通道(4)为矩形孔，所述隔热通道(4)穿过所述硅衬底(1)，所述隔热通道(4)延伸至所述电极本体(2)相对两侧的所述避空通孔(5)内，单个所述避空通孔(5)内至少设置有一个所述隔热通道(4)。2.根据权利要求1所述的一种矩形通道热隔断多电极雾化器，其特征在于，位于同一所述避空通孔(5)内的相邻所述雾化通孔(3)之间设置有支撑(7)。3.根据权利要求1所述的一种矩形通道热隔断多电极雾化器，其特征在于，所述硅衬底(1)的厚度为100
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500μm。4.根据权利要求1所述的一种矩形通道热...

【专利技术属性】
技术研发人员：王敏锐，俞挺，李文翔，
申请(专利权)人：美满芯盛杭州微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：