本申请提供一种马弗炉接料处密封装置及马弗炉。马弗炉接料处装置，包括：通道供料管，其出料端与马弗炉的接料处对接，于接料处至通道供料管的入料端之间形成待保温部；密封结构，包括第一密封部和第二密封部；其中，第一密封部包括置于接料处上方的第一封砖和第二封砖，第一封砖和第二封砖对合并于二者之间形成容置腔，容置腔将待保温部包裹，第一封砖与第二封砖相对合的位置分别设置第一连接体和第二连接体，第一连接体和第二连接体连接并将第一封砖和第二封砖对合的缝隙封挡；第二密封部位于通道供料管的入料端至第一密封部之间的位置，并包裹在待保温部外侧，解决封砖对接料处密封时，产生从里到外贯穿性的缝隙形成冷点影响产品的技术问题。影响产品的技术问题。影响产品的技术问题。
【技术实现步骤摘要】
马弗炉接料处密封装置及马弗炉
[0001]本申请涉及液晶玻璃基板制造
，尤其涉及一种液晶玻璃基板生产用马弗炉L管顶部的密封装置。
技术介绍
[0002]液晶玻璃基板是构成液晶显示件的一个基本部件，其主要有三种制程技术，分别为浮式法、流孔下引法及溢流熔融法。其中，因溢流熔融法表面特性较能控制、不用研磨、制程较简单等优点，而广泛应用于TFT
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LCD(高清真彩显示屏)玻璃基板的生产中。溢流熔融法的工作过程为，将原材料放置在池炉中，通过高温融化成玻璃液，再经过通道供料管将玻璃液输送到马弗炉中，在马弗炉内部溢流砖的作用下，形成玻璃基板。
[0003]在通道供料管将玻璃液输入进马弗炉前，需要完成通道供料管与马弗炉接料处的热对接，并且在对接完成后，需要针对接料处进行密封，以此来避免缝隙的产生。现阶段马弗炉的接料处伸出马弗炉外部，并通过相对放置并围绕接料处的两块密封砖，以及在接料处上部放置保温棉进行密封。
[0004]然而，在专利技术人实现本专利技术创造的过程中，发现这样将两块密封砖简单对接，往往两个对接接触面很容易形成缝隙，且是从里到外贯穿性的缝隙。由于通道供料管和马弗炉L管里的玻璃液温度很高，≥1200℃以上。一旦有一点点缝隙产生，就会造成漏光和漏气，继而形成冷点，长此以往，玻璃液挥发物会在接料处口、接料处侧壁和两封砖缝隙之间就会形成玻璃析晶，玻璃析晶一形成集聚后，就可能掉落到马弗炉L管里面的玻璃液里，随后在玻璃基板上形成析晶结石缺陷，直接造成玻璃板废弃，严重影响良品率，造成了直接经济损失。
技术实现思路
[0005]本申请实施例的目的是提供一种马弗炉接料处密封装置及马弗炉，使其能够解决密封砖对通道供料管与马弗炉接料处密封时，产生从里到外贯穿性的缝隙造成漏光和漏气，继而形成冷点产生玻璃析晶，影响产品质量的技术问题。
[0006]为解决上述技术问题，本申请实施例提供如下技术方案：
[0007]一方面本申请提供一种马弗炉接料处密封装置，包括：
[0008]通道供料管，所述通道供料管的出料端与马弗炉的接料处对接，于所述接料处至所述通道供料管的入料端之间形成待保温部；
[0009]密封结构，所述密封结构包括第一密封部和第二密封部；
[0010]其中，所述第一密封部包括置于所述接料处上方的第一封砖和第二封砖，所述第一封砖和所述第二封砖对合并于二者之间形成容置腔，所述容置腔将部分所述待保温部包裹，所述第一封砖与所述第二封砖相对合的位置分别设置第一连接体和第二连接体，所述第一连接体和所述第二连接体连接并将所述第一封砖和所述第二封砖对合的缝隙封挡；所述第二密封部位于所述通道供料管的入料端至所述第一密封部之间的位置，并包裹所述待
保温部其余部分。
[0011]本技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
[0012]可选地，前述的马弗炉接料处密封装置，其中所述第一封砖与所述第二封砖相对合的一侧设置第一凹槽，所述第一凹槽沿竖直方向贯通所述第一封砖的两端，所述第一连接体至少为两个并位于所述第一凹槽的槽口两侧的所述第一封砖配合端面；
[0013]所述第二封砖与所述第一封砖相对合的一侧设置第二凹槽，所述第二凹槽沿竖直方向贯通所述第二封砖的两端，所述第二连接体至少为两个并位于所述第二凹槽的槽口两侧的所述第二封砖配合端面；
[0014]其中，所述第一凹槽与所述第二凹槽对合形成所述容置腔。
[0015]可选地，前述的马弗炉接料处密封装置，其中所述第一封砖配合端面凹陷形成所述第一连接体，所述凹陷向所述第一封砖竖直方向的两端连续延伸至端部；
[0016]所述第二封砖配合端面凸起形成所述第二连接体，所述凸起向所述第二封砖竖直方向的两端连续延伸至端部；
[0017]其中，所述凹陷与所述凸起相适配。
[0018]可选地，前述的马弗炉接料处密封装置，其中所述第一连接体为沿直线或曲线间隔设置的多个第一凸起，且多个所述第一凸起从所述第一封砖的竖直方向的一端排布到另一端；
[0019]所述第二连接体为沿直线或曲线间隔设置的多个第二凸起，且多个所述第二凸起从所述第二封砖的竖直方向的一端排布到另一端；
[0020]其中，所述第一连接体与所述第二连接体配合，多个所述第一凸起与多个所述第二凸起沿直线或曲线交替排布，将所述第一封砖和所述第二封砖对合的缝隙封挡。
[0021]可选地，前述的马弗炉接料处密封装置，其中所述接料处设置有L管，所述L管的第一端伸出所述接料处并与所述通道供料管的出料端热对接，所述L管的第二端延伸至所述马弗炉内部；
[0022]其中，所述L管的第一端至所述通道供料管的入料端形成所述待保温部，所述第一密封部将所述L管的第一端以及所述通道供料管与所述L管第一端连接的部分包裹，所述第二密封部将所述通道供料管未被所述第一密封部包裹的部分包裹。
[0023]可选地，前述的马弗炉接料处密封装置，其中所述第二密封部包括盖板砖和保温棉；所述盖板砖置于所述第一密封部上方，所述保温棉将所述通道供料管从所述盖板砖至所述通道供料管的入料端的部分包裹。
[0024]可选地，前述的马弗炉接料处密封装置，其中所述盖板砖包括第一盖板砖和第二盖板砖；
[0025]所述第一盖板砖和所述第二盖板封砖对合并于二者之间形成容置空间，所述容置空间包裹部分所述待保温部，所述第一盖板砖与所述第二盖板砖相对合的位置分别设置第三连接体和第四连接体，所述第三连接体和所述第四连接体连接并将所述第一盖板砖和所述第二盖板砖对合的缝隙封挡。
[0026]可选地，前述的马弗炉接料处密封装置，其中所述容置空间横截面的面积大于与所述通道供料管横截面的面积。
[0027]可选地，前述的马弗炉接料处密封装置，其中所述接料处设置有L管，所述L管的第
一端与所述接料处的开口处于同一平面，所述L管的第一端与所述通道供料管的出料端热对接，所述L管的第二端延伸至所述马弗炉内部；
[0028]其中，所述通道供料管为所述待保温部，所述第一密封部将所述通道供料管的部分包裹，并将所述接料处的开口封挡；所述第二密封部将所述通道供料管未被所述第一密封部包裹的部分包裹，以及将所述通道供料管与所述第一密封部之间的缝隙遮盖。
[0029]另一方面，本申请提供一种马弗炉，包括：
[0030]上述的马弗炉接料处密封装置；
[0031]借由上述技术方案，本技术马弗炉接料处密封装置及马弗炉至少具有下列优点：
[0032]本技术实施例提供的马弗炉接料处密封装置，通过在第一封砖和第二封砖相对合的位置分别设置第一连接体和第二连接体，当通道供料管的出料端与马弗炉的接料处对接后，容置腔将待保温部包裹，此时第一连接体和第二连接体连接并将第一封砖和第二封砖对合的缝隙封挡，避免了从里到外贯穿性的缝隙的产生，降低了冷点的形成以及玻璃析晶的产生，保障了玻璃基板的质量，同时配合第二密封部对待保温进行保温，进一步增强了保本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种马弗炉接料处密封装置，其特征在于，包括：通道供料管，所述通道供料管的出料端与马弗炉的接料处对接，于所述接料处至所述通道供料管的入料端之间形成待保温部；密封结构，所述密封结构包括第一密封部和第二密封部；其中，所述第一密封部包括置于所述接料处上方的第一封砖和第二封砖，所述第一封砖和所述第二封砖对合并于二者之间形成容置腔，所述容置腔将部分所述待保温部包裹，所述第一封砖与所述第二封砖相对合的位置分别设置第一连接体和第二连接体，所述第一连接体和所述第二连接体连接并将所述第一封砖和所述第二封砖对合的缝隙封挡；所述第二密封部位于所述通道供料管的入料端至所述第一密封部之间的位置，并包裹所述待保温部其余部分。2.根据权利要求1所述的马弗炉接料处密封装置，其特征在于，所述第一封砖与所述第二封砖相对合的一侧设置第一凹槽，所述第一凹槽沿竖直方向贯通所述第一封砖的两端，所述第一连接体至少为两个并位于所述第一凹槽的槽口两侧的所述第一封砖配合端面；所述第二封砖与所述第一封砖相对合的一侧设置第二凹槽，所述第二凹槽沿竖直方向贯通所述第二封砖的两端，所述第二连接体至少为两个并位于所述第二凹槽的槽口两侧的所述第二封砖配合端面；其中，所述第一凹槽与所述第二凹槽对合形成所述容置腔。3.根据权利要求2所述的马弗炉接料处密封装置，其特征在于，所述第一封砖配合端面凹陷形成所述第一连接体，所述凹陷向所述第一封砖竖直方向的两端连续延伸至端部；所述第二封砖配合端面凸起形成所述第二连接体，所述凸起向所述第二封砖竖直方向的两端连续延伸至端部；其中，所述凹陷与所述凸起相适配。4.根据权利要求2所述的马弗炉接料处密封装置，其特征在于，所述第一连接体为沿直线或曲线间隔设置的多个第一凸起，且多个所述第一凸起从所述第一封砖的竖直方向的一端排布到另一端；所述第二连接体为沿直线或曲线间隔设置的多个第二凸起，且多个所述第二凸起从所述第二封砖的竖直方向的一端排布到另一端；其中，所述第一连接体与所述第二连接体配合，多个所述第一凸起与多个所述第二凸起沿直线或曲线交替排布，将所述第一封砖...
【专利技术属性】
技术研发人员：李青，李赫然，王琨，胡恒广，李志军，商洪岭，
申请(专利权)人：河北光兴半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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