具有高性能和正常中继器模式的中继器电路制造技术

提供和说明了一种具有高性能中继器模式和正常中继器模式的中继器电路。在一个实施例中，将开关设置到第一开关位置，以在高性能中继器模式下操作中继器电路。在另一个实施例中，将开关设置到第二开关位置，以在正常中继器模式下操作中继器电路。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种中继器电路，包括：多个晶体管；以及可操作在第一开关位置和第二开关位置的多个开关，其中耦合所述晶体管和所述开关，以形成多个子电路，其中如果所述开关处于所述第一开关位置，则所述子电路被设置为高性能中继器模式，以及其中如果所述 开关处于所述第二开关位置，则所述子电路被设置为正常中继器模式。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特保罗马斯莱德，瓦特萨尔德霍拉布黑，史蒂文托马斯斯托伊伯，格米特辛格，
申请(专利权)人：知识风险基金有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]