【技术实现步骤摘要】
一种掩膜版的制作方法
[0001]本申请涉及蒸镀领域,特别涉及一种掩膜版的制作方法。
技术介绍
[0002]有机电致发光器件(OLED)由于具有亮度高、色彩饱和、轻薄、可弯曲等优点在显示面板领域占比逐渐增大。
[0003]随着OLED显示对于窄边框及无边框的需求越来越高,对于公共层掩膜版的精度需求也越来越高,为了满足高精度的蒸镀需求,掩膜版制作厂商正努力提高公共层掩膜版制作精度。
[0004]现有技术中,公共层掩膜版通过照相平板印刷术在金属基板上刻蚀出贯通孔,形成基板的开口,此种工艺制作出的公共层掩膜版如图1,图1中,基板1经过两步刻蚀在基板1上形成若干贯通孔,贯通孔朝向面A的为第一凹部2,贯通孔朝向面B的为第二凹部3,第一凹部2的深度为h1,第二凹部3的深度为h2,第二凹部3的宽度<第一凹部2的宽度,h2>h1,第一凹部2与第二凹部3的底面并不在同一平面,第一凹部2的底面与第二凹部3的底面之间为尖锐部5,尖锐部5深度为h3,h3=基板1的高度
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h1
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种掩膜版的制作方法,包括以下步骤:S1:基板(1),面A向上,面B为面A的相对面;S2:分别在面A及面B上涂覆光阻膜,曝光,显影,同时对面A及面B喷刻蚀液同步刻蚀,刻蚀完成后去除光阻膜,形成第一凹部(2)和预凹部(4);S3:再次在面A及面B上涂覆光阻膜,曝光,显影,然后从面A向基板(1)喷射刻蚀液,刻蚀后形成第二凹部(3),第一凹部(2)与第二凹部(3)贯通。2.根据权利要求1所述的掩膜版的制作方法,其特征在于,所述S3中,刻蚀时,面B向上,刻蚀液从下方向面A喷射。3.根据权利要求2所述的掩膜版的制作方法,其特征在于,S3中,刻蚀前,面A待蚀刻区域的面积小于面B待蚀刻区域的面积。4.根据权利要求1
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3任一所述的掩膜版的制作方法,其特征在于,该方法制作形成的掩膜版包括基板(1),该基板(1)上由面A到面B方向设置有若干贯通孔,每一贯通孔朝向面A的为第一凹部(2),贯通孔朝向面B的为第二凹部(3),第一凹部(2)的深度为h1,第二凹部(3)的深度为h2,其特征在于:所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:姜太赫,周俊吉,杨凡,李博,李哲,
申请(专利权)人:成都拓维高科光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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