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本申请公开了一种掩膜版的制作方法，包括以下步骤：S1:基板,面A向上，面B为面A的相对面；S2:分别在面A及面B上涂覆光阻膜，曝光，显影，同时对面A及面B喷刻蚀液同步刻蚀，刻蚀完成后去除光阻膜，形成第一凹部和预凹部；S3:再次在面A及面B上...
该专利属于成都拓维高科光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都拓维高科光电科技有限公司授权不得商用。

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