【技术实现步骤摘要】
一种MOS管封装结构、PCB板和电子设备
[0001]本技术涉及电子元器件
,具体来讲,涉及一种MOS管封装结构、使用MOS管封装结构的PCB板和具有使用MOS管封装结构的PCB板的电子设备。
技术介绍
[0002]MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应管中的绝缘栅型。因此,MOS管有时被称为绝缘栅场效应管。MOS具有以下特点:开关速度快、高频率性能好、输入阻抗高、驱动功率小、热稳定性优良、无二次击穿问题、全工作区宽、工作线性度高等。其最重要的优点就是能够减少体积大小与重量,提供给设计者一种高速度、高功率、高电压与高增益的元件。在各类中小功率开关电路中应用极为广泛。
[0003]MOSFET芯片在制作完成之后,需要给MOSFET芯片加上一个外壳,即MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用,同时还为芯片提供电气连接和隔离,以便MOSFET器件与其它元件构成 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MOS管封装结构,MOS管封装结构采用贴片式工艺,包括散热片,其特征在于,所述MOS管封装结构是对传统的DFN5X6封装进行改进,所述MOS管封装结构包括封装壳体和MOSFET芯片,MOSFET芯片被封装在封装壳体中,封装壳体的两侧设置有多个相间排列的管脚,其中,所述MOS管封装结构的宽度为4.8mm~5.2mm,长度为5.7mm~6.3mm,散热片长度尺寸为3.5
±
0.2mm,管脚外露部分的长度为0.5mm~0.7mm,管脚包括D极管脚、G极管脚和S极管脚,所述管脚的宽度为0.34mm~0.5mm,D极管脚长度尺寸为0.8
±
0.1mm,G、S极管脚长度尺寸为0.6
±
...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨红伟,李大春,李鑫,
申请(专利权)人:四川民承电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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