一种TO262FS封装、MOS器件、PCB板和电源制造技术

本实用新型专利技术提供了一种TO262FS封装、MOS器件、PCB板和电源。所述封装包括金属框架和塑封体，金属框架包括散热片、载片和引脚；塑封体绝缘且将散热片和载片完全包裹；所述引脚不具有限位台阶。在本实用新型专利技术还提供了一种MOS器件，所述MOS器件具有如上述适用于大功率高压MOS芯片的全包封的TO262FS封装。在本实用新型专利技术还提供了一种PCB板，所述PCB板具有至少一个上述MOS器件。在本实用新型专利技术还提供了一种整机，所述整机包括上述PCB板。本实用新型专利技术的有益效果可包括：能够有效防止因长时间存放导致的散热片氧化变色；能够改善传统TO262FS封装因结合不够紧密导致的水汽渗入；能够获得更小的整机外形。形。形。

【技术实现步骤摘要】
一种TO262FS封装、MOS器件、PCB板和电源


[0001]本技术涉及半导体器件封装技术，具体来讲，涉及一种适用于大功率高压MOS芯片的全包封的TO262FS封装、MOS器件、PCB板和整机。

技术介绍

[0002]TO262FS封装是直插式的封装，MOS管芯片在制作完成之后，需要给 MOSFET芯片加上一个外壳，即MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET 器件与其它元件构成完整的电路。按照安装在PCB的方式来区分，MOS管封装主要有两大类:插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB上。表面贴装则是 MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。
[0003]传统TO262FS封装存在以下弊端：
[0004](1)采用半包封型式，有部分金属框架散热片裸露在空气中，长时间裸露在空气中的金属框架及其散热片容易氧化；
[0005](2)塑封料和金属框架存在接触间隙，可能会因结合不够紧密而造成水汽渗入，导致器件失效；
[0006](3)裸露的散热片容易使得器件在使用过程中被高压击穿；
[0007](4)在实际使用过程中，为了保证传统TO251封装结构的绝缘性能，会增加打绝缘胶或者绝缘垫片工序以确保器件不会漏电、导通，浪费人力物力且增加产品成本；
[0008](5)传统TO262FS封装的管脚与塑封体之间有限位台阶，不能完全插入PCB板，使得PCB的整体高度增加，浪费产品内部空间，使得产品体积受限。

技术实现思路

[0009]本技术的目的在于解决现有技术存在的上述不足中的至少一项。例如，传统TO262FS封装裸露在空气中的散热片容易氧化。再例如，传统 TO262FS封装的塑封料和金属框架之间存在接触缝隙，可能会因水汽渗入造成产品失效。再例如，传统TO262FS封装的限位台阶使得器件不能完全插入 PCB内。
[0010]为了实现上述目的，本技术的一方面提供了一种适用于高压MOS 的全包封TO262FS封装。所述封装金属框架和塑封体，其中，金属框架包括散热片、载片和引脚；塑封体绝缘且将散热片和载片完全包裹；所述引脚不具有限位台阶。
[0011]在本技术的一个示例性实施例中，所述高压MOS芯片的额定电压为 400～900V，额定功率为45～80W。
[0012]在本技术的一个示例性实施例中，所述引脚的数量为3、5、或7。
[0013]在本技术的一个示例性实施例中，所述塑封体包括上侧塑封体和下侧塑封体，上侧塑封体位于交界面上侧，下侧塑封体位于管脚交界面的下侧，下侧塑封体将散热片完全包裹，上侧塑封体的厚度小于下侧塑封体的厚度，上侧塑封体的高度小于下侧塑封体，
上侧塑封体与下侧塑封体的底端对齐，上侧塑封体的顶端通过与交界面呈60
°
夹角的斜面与下侧塑封体连接，其中，所述交界面为引脚所在平面。进一步地，所述上侧塑封体的高度为8.05～ 8.45mm，厚度为4.65～4.85mm，宽度为8.05～8.45mm，所述下侧塑封体的高度为10.55～10.85mm，厚度为2.9～3.2mm，宽度为8.05～8.45mm。
[0014]在本技术的一个示例性实施例中，所述引脚的长度为12.25～13.5mm，宽度为0.6～0.8mm，厚度为0.55～0.7mm。
[0015]在本技术的一个示例性实施例中，所述散热片处的塑封厚度为 0.65～0.75mm。
[0016]在本技术的又一方面提供了一种MOS器件，所述MOS器件具有如上述适用于大功率高压MOS芯片的全包封的TO262FS封装。
[0017]在本技术的又一方面提供了一种PCB板，所述PCB板具有至少一个上述MOS器件。
[0018]在本技术的又一方面提供了一种整机，所述整机包括上述PCB板。
[0019]与现有技术相比，本技术的有益效果可包括：金属框架散热片被塑封体全包封，不会直接接触空气，能够有效防止因长时间存放导致金属框架及其散热片氧化变色；全包封结构能够增强产品的气密性，有效改善传统TO262FS封装因结合不够紧密导致的水汽渗入；金属框架无裸露，可以有效防止实际使用过程中的高压NG风险；可以减少打绝缘胶或者绝缘垫片工序，节约成本；能够减小封装插入PCB后的高度，进而获得更小的整机外形。
附图说明
[0020]图1示出了本技术的一个示例性实施例中适用于高压MOS的全包封 TO262FS封装的正面示意图；
[0021]图2示出了本实用新新的一个示例性实施例中适用于高压MOS的全包封 TO262FS封装的背面示意图；
[0022]图3示出了本实用新新的一个示例性实施例中适用于高压MOS的全包封 TO262FS封装的侧面示意图。
[0023]图中标记：
[0024]1‑
金属框架，11
‑
散热片，12
‑
引脚，2
‑
塑封体，21
‑
上侧塑封体，22
‑
下侧塑封体，3
‑
交界面，A
‑
下侧塑封体厚度，E
‑
上侧塑封体高度，B
‑
散热片处的塑封厚度，D
‑
下侧塑封体高度，L
‑
引脚长度，b
‑
引脚宽度，c
‑
引脚厚度，e
‑ꢀ
引脚中心距。
具体实施方式
[0025]在下文中，将结合示例性实施例来详细说明本技术的适用于高压 MOS的全包封TO262FS封装。
[0026]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0027]示例性实施例1
[0028]在本技术的第一示例性实施例中，图1示出了本实施例中适用于高压MOS的全包封TO262FS封装的正面示意，图2示出了本实施例中适用于高压MOS的全包封TO262FS封装的背面示意图，图3示出了本实施例中适用于高压MOS的全包封TO262FS封装的侧面示意图。如图1、图2和图3 所示，所述封装结构包括金属框架1和塑封体2。其中，金属框架1包括散热片11、载片和引脚12。塑封体2将散热片11和载片(图1、图2和图3 中均未示出)完全包裹。所述引脚12不具有限位台阶。
[0029]这里，所述高压MOS芯片的额定电压为400～900V，例如600V，额本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TO262FS封装，其特征在于，所述封装包括金属框架和塑封体，金属框架包括从上到下依次连接的散热片、载片和引脚；塑封体绝缘且将散热片和载片完全包裹；所述引脚不具有限位台阶。2.根据权利要求1所述的TO262FS封装，其特征在于，所述封装中的高压MOS芯片的额定电压为400～900V，额定功率为45～80W。3.根据权利要求1所述的TO262FS封装，其特征在于，所述引脚的数量为3、5、或7。4.根据权利要求1所述的TO262FS封装，其特征在于，所述塑封体包括上侧塑封体和下侧塑封体，上侧塑封体位于交界面上侧，下侧塑封体位于管脚交界面的下侧，下侧塑封体将散热片完全包裹，上侧塑封体的厚度小于下侧塑封体的厚度，上侧塑封体的高度小于下侧塑封体，上侧塑封体与下侧塑封体的底端对齐，上侧塑封体的顶端通过与交界面呈60
°
夹角的斜面与下侧塑封体连接，其中，所述交界面为引脚所在平面。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨红伟，李大春，李鑫，
申请(专利权)人：四川民承电子有限公司，
类型：新型
国别省市：