充电桩上使用的低功耗超导热防反二极管制造技术

充电桩上使用的低功耗超导热防反二极管。涉及充电桩，尤其涉及充电桩上使用的低功耗超导热防反二极管的结构改进。包括设置在塑封体内的框架一、框架二、框架三和框架四；所述框架一上设有上下间隔设置的芯片一和芯片二，其引脚一从塑封体内伸出；所述框架二间隔设置在框架一的侧部，通过跳线一与芯片一电性连接，通过跳线二与芯片二电性连接，其引脚二从塑封体内伸出；所述框架四上设有上下间隔设置的芯片三和芯片四，其引脚四从塑封体内伸出；所述框架三间隔设置在框架四的侧部，通过跳线三与芯片三电性连接，通过跳线四与芯片四电性连接，其引脚三从塑封体内伸出。本实用新型专利技术具有结构紧凑、降低VF和功耗等特点。降低VF和功耗等特点。降低VF和功耗等特点。

【技术实现步骤摘要】
充电桩上使用的低功耗超导热防反二极管


[0001]本技术涉及充电桩，尤其涉及充电桩上使用的低功耗超导热防反二极管的结构改进。

技术介绍

[0002]充电桩其功能类似于加油站里面的加油机，可以固定在地面或墙壁，安装于公共建筑（公共楼宇、商场、公共停车场等）和居民小区停车场或充电站内，可以根据不同的电压等级为各种型号的电动汽车充电。充电桩的输入端与交流电网直接连接，输出端都装有充电插头用于为电动汽车充电。充电桩一般提供常规充电和快速充电两种充电方式，人们可以使用特定的充电卡在充电桩提供的人机交互操作界面上刷卡使用，进行相应的充电方式、充电时间、费用数据打印等操作，充电桩显示屏能显示充电量、费用、充电时间等数据。
[0003]充电桩由于需要保护电路，防止电流回流，需要采用超导热防反二极管进行（续流和防反作用）。目前采用单个二极管用于普通电路续流和防反，但是充电桩功率较大，一般二极管无法承受大电流持续工作，容易造成二极管热击穿等问题。

技术实现思路

[0004]本技术针对以上问题，提供了一种结构紧凑、降低VF和功耗的充电桩上使用的低功耗超导热防反二极管。
[0005]本技术的技术方案是：充电桩上使用的低功耗超导热防反二极管，包括设置在塑封体内的框架一、框架二、框架三和框架四；
[0006]所述框架一上设有上下间隔设置的芯片一和芯片二，其引脚一从塑封体内伸出；
[0007]所述框架二间隔设置在框架一的侧部，通过跳线一与芯片一电性连接，通过跳线二与芯片二电性连接，其引脚二从塑封体内伸出；
[0008]所述框架四上设有上下间隔设置的芯片三和芯片四，其引脚四从塑封体内伸出；
[0009]所述框架三间隔设置在框架四的侧部，通过跳线三与芯片三电性连接，通过跳线四与芯片四电性连接，其引脚三从塑封体内伸出。
[0010]所述芯片一的负极面与框架一焊接，其正极面通过跳线一与框架二电性连接。
[0011]所述芯片二的负极面与框架一焊接，其正极面通过跳线二与框架二电性连接。
[0012]所述芯片三的负极面与框架三焊接，其正极面通过跳线三与框架四电性连接。
[0013]所述芯片四的负极面与框架三焊接，其正极面通过跳线四与框架四电性连接。
[0014]所述塑封体可拆卸固定设置在散热片上。
[0015]本技术包括设置在塑封体内的框架一、框架二、框架三和框架四；框架一上设有上下间隔设置的芯片一和芯片二，其引脚一从塑封体内伸出；框架二间隔设置在框架一的侧部，通过跳线一与芯片一电性连接，通过跳线二与芯片二电性连接，其引脚二从塑封体内伸出；框架四上设有上下间隔设置的芯片三和芯片四，其引脚四从塑封体内伸出；框架三间隔设置在框架四的侧部，通过跳线三与芯片三电性连接，通过跳线四与芯片四电性连接，
其引脚三从塑封体内伸出。本案产品用于充电桩50A防反电路中，大功率产品温度很高，散热条件要求高，将4颗芯片集成在PB封装里面，使四颗芯片并联使用，降低VF和其功耗，PB产品外接散热片更大降低温度，使其正常工作。本技术具有结构紧凑、降低VF和功耗等特点。
附图说明
[0016]图1是本技术的结构示意图，
[0017]图2是本技术的电路原理图，
[0018]图3是本案与散热片连接状态结构示意图，
[0019]图4是图3的右侧结构示意图；
[0020]图中1是框架一，11是引脚一，1A是芯片一，1B是芯片二，
[0021]2是框架二，21是引脚二，
[0022]3是框架三，31是引脚三，
[0023]4是框架四，41是引脚四，4A是芯片三，4B是芯片四，
[0024]5是塑封体，
[0025]61是跳线一，62是跳线二，63是跳线三，64是跳线四，7是散热片。
具体实施方式
[0026]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0027]参照图1
‑
2所示；充电桩上使用的低功耗超导热防反二极管，包括设置在塑封体5内的框架一1、框架二2、框架三3和框架四4；
[0028]所述框架一1上设有上下间隔设置的芯片一1A和芯片二1B，其引脚一11从塑封体5内伸出；
[0029]所述框架二2间隔设置在框架一1的侧部，通过跳线一61与芯片一1A电性连接，通过跳线二62与芯片二1B电性连接，其引脚二21从塑封体5内伸出；
[0030]所述框架四4上设有上下间隔设置的芯片三4A和芯片四4B，其引脚四41从塑封体5内伸出；
[0031]所述框架三3间隔设置在框架四4的侧部，通过跳线三63与芯片三4A电性连接，通过跳线四64与芯片四4B电性连接，其引脚三31从塑封体5内伸出。
[0032]所述芯片一1A的负极面与框架一1焊接，其正极面通过跳线一61与框架二2电性连接。
[0033]所述芯片二1B的负极面与框架一1焊接，其正极面通过跳线二62与框架二2电性连接。
[0034]所述芯片三4A的负极面与框架三3焊接，其正极面通过跳线三63与框架四4电性连接。
[0035]所述芯片四4B的负极面与框架三3焊接，其正极面通过跳线四64与框架四4电性连
接。
[0036]所述引脚一11与引脚四41通过PCB线路连接后接入负载体（输出）。
[0037]所述引脚二21与引脚三31通过PCB线路连接后接入整流后的电路（输入）。
[0038]参照图3、图4所示；所述塑封体5可拆卸固定设置在散热片7上。
[0039]本案产品用于充电桩50A防反电路中，大功率产品温度很高，散热条件要求高，将4颗芯片集成在PB封装里面，使四颗芯片并联使用，降低VF和其功耗，PB产品外接散热片7更大降低温度，使其正常工作。
[0040]如图2所示，并联电阻R
总
=R1*R2/(R1+R2)，假设 R1=R2 则 R
总
=R/2，另VF=I*R，并联后VF=I*R/2。R总为D1和D2并联后芯片的电阻；R1为图上D1，R2为图上D2，I表示电路中的电流；图中A表示低功耗超导热防反二极管输入，B表述低功耗超导热防反二极管输出。
[0041]本案有益效果为：
[0042]1、将四颗芯片180mil集成在PB封装里面，可以减少客户端安装四颗180mil二极管使用。
[0043]2、将四颗芯片180mil集成在PB封装里面，可以外接散热片7，可满足正常工作环境Tj＜150℃，达到持续续流和防反作用，不会被热击穿。
[0044]对于本案所公开的内容，还有以下几点需要说明：
[0045]（1）、本案所公开的实施例附图只涉及到与本案所公开实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.充电桩上使用的低功耗超导热防反二极管，其特征在于，包括设置在塑封体内的框架一、框架二、框架三和框架四；所述框架一上设有上下间隔设置的芯片一和芯片二，其引脚一从塑封体内伸出；所述框架二间隔设置在框架一的侧部，通过跳线一与芯片一电性连接，通过跳线二与芯片二电性连接，其引脚二从塑封体内伸出；所述框架四上设有上下间隔设置的芯片三和芯片四，其引脚四从塑封体内伸出；所述框架三间隔设置在框架四的侧部，通过跳线三与芯片三电性连接，通过跳线四与芯片四电性连接，其引脚三从塑封体内伸出。2.根据权利要求1所述的充电桩上使用的低功耗超导热防反二极管，其特征在于，所述芯片一的负极面与框架一焊接，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚文康，王双，吕强，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：