一种氮化镓CaNMOSFET封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种氮化镓CaN MOSFET封装结构，包括框架，其包括基岛固定框和多个管脚，管脚分为栅极管脚、漏极管脚和源极管脚，栅极管脚置于基岛固定框的侧方，且栅极管脚与基岛固定框之间留有安全空间；芯片，其固设于基岛固定框内，芯片的源极窗口、栅极窗口和漏极窗口分别通过金线与源极管脚、栅极管脚和漏极管脚电连接；框架和芯片借助于环氧树脂包裹形成一整体，且各个管脚的外表面暴露在环氧树脂之外形成焊盘。栅极管脚置于基岛固定框的右侧边，且栅极管脚与基岛固定部之间留有安全空间。本实用新型专利技术通过将栅极管脚设置在基岛固定框右侧边，可以有效防止金线相互交叉，增大金线之间的间距，防止管脚或者金线之间相互放电，对器件造成影响。对器件造成影响。对器件造成影响。

A gallium nitride canmosfet packaging structure

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓CaN MOSFET封装结构


[0001]本技术属于芯片封装领域，尤其是涉及一种氮化镓CaNMOSFET封装结构。

技术介绍

[0002]在DFN结构的CaN MOSFET产品封装中，需要在封装之后的基岛位置安装源极镀锡层，之后通过金属丝将源极镀锡层、管脚等与芯片的窗口连接，但是如此一来，芯片被固定在封装内，不利于芯片散热同时由于多根金属丝线需要连接封装边缘的栅极和置于焊盘中部的源极镀锡层，金属丝线之间相互交叉，容易导致封装过程中金属丝线相互接触，导致产品失效放电。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术旨在提出一种氮化镓CaN MOSFET封装结构，以便于芯片散热，防止金属丝线相互交叉。
[0004]为达到上述目的，本技术的技术方案是这样实现的：
[0005]一种氮化镓CaN MOSFET封装结构，包括
[0006]框架，其包括基岛固定框和固设于基岛固定框周侧的多个管脚，所述管脚分为栅极管脚、漏极管脚和源极管脚，所述栅极管脚置于基岛固定框的侧方，且栅极管脚与基岛固定框之间留有安全空间；
[0007]芯片，其固设于基岛固定框内，芯片的源极窗口、栅极窗口和漏极窗口分别通过金线与源极管脚、栅极管脚和漏极管脚电连接；
[0008]所述框架和芯片借助于环氧树脂包裹形成一整体，且各个管脚的上表面暴露在环氧树脂之外形成焊盘。
[0009]所述基岛固定框置于封装结构的底面，栅极管脚置于基岛固定框的侧方，且栅极管脚与基岛固定部之间留有安全空间。
[0010]进一步的，所述基岛固定框的一侧框边两端分别向外延伸出散热条，且散热条端部穿过环氧树脂，且散热条的端部暴露在外界。
[0011]进一步的，靠近栅极管脚一侧的散热条长度另一侧的散热条。
[0012]进一步的，所述散热条的厚度小于管脚厚度。
[0013]进一步的，所述漏极管脚通过导电连接部电连接成为一整体。
[0014]进一步的，所述管脚外表面镀有锡层。
[0015]进一步的，所述管脚内表面镀有银层，金线通过银层与管脚连接，使得芯片各窗口与各自相对应的管脚电连接。
[0016]进一步的，基岛固定框中填充进环氧树脂后形成基岛，所述芯片通过导电胶固设于基岛上。
[0017]相对于现有技术，本技术所述的一种氮化镓CaN MOSFET封装结构具有以下优势：
[0018]本技术通过将栅极管脚设置在基岛固定框侧方的方式，使得连接源极焊锡层的金线能沿竖直排列，连接栅极管脚的金线能从芯片侧方连接管脚，防止金线相互交叉，增大金线之间的间距；
[0019]采用在基岛固定框的一侧框边两端设置散热条的方式，并将散热条向外延伸出环氧树脂，以利用散热条将热量传递到封装外，便于热量散发；
[0020]通过导电胶将芯片安装在基岛上，以便于芯片在基岛上的热量的均衡以及芯片和散热条之间的热量传导。
附图说明
[0021]构成本技术的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
[0022]图1为CaN MOSFET封装结构的平面结构示意图；
[0023]图2为该封装结构的内部接线方式示意图。
[0024]附图标记说明：
[0025]1‑
框架；11
‑
基岛固定框；12
‑
散热片；13
‑
源极管脚；14
‑
栅极管脚；15
‑
漏极管脚；16
‑
导电连接部；2
‑
芯片；21
‑
源极窗口；22
‑
栅极窗口；23
‑
漏极窗口；3
‑
源极焊锡层。
具体实施方式
[0026]需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0027]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0028]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0029]下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。
[0030]本技术所述的氮化镓CaN MOSFET封装结构，包括框架1和芯片2，所述框架1包括基岛固定框11和分布于基岛固定框11周侧的多个管脚，所述芯片2置于基岛固定框11所包围的范围内，所述管脚分为栅极管脚14、漏极管脚15和源极管脚13，具体的，所述基岛固定框11、芯片2和管脚借助于环氧树脂进行封装，环氧树脂包裹框架和芯片形成一个整体，
所述环氧树脂填充进基岛固定框11后形成基岛，所述芯片2通过导电胶固定在基岛内，所述基岛固定框 11的一条边框两端向外延伸出散热条，且所述散热条的宽度大于基岛固定框11的边框宽度，且散热条向外延伸出环氧树脂所包围的范围，使得散热条的端部置于环氧树脂外，以便于芯片2散热，所述芯片2的各个窗口通过金线与各个管脚电连接，具体的，所述框架1的漏极管脚15置于基岛固定框11靠近散热条一侧，所述基岛固定框 11两侧的散热条长度不同，所述栅极管脚14和源极管脚13均置于基岛固定框11靠近较长散热条的一侧，使得栅极管脚14和源极管脚 13与基岛固定框11之间留有安全空间，防止在后续使用中由于高电压(650V)导致的MOSFET放电失效，所述芯片2的栅极窗口22与框架1的栅极管脚14通过金线电连接，芯片2的漏极窗口23通过金线与框架1的漏极管脚15电连接，所述芯片2的源极窗口21通过金线与框架1的源极管脚13电连接；个管脚被环氧树脂包裹的表面镀有银层，以提高管脚和芯片之间的导电效率，具体的，芯片的漏极窗口通过金线与漏极管脚的银层连接，栅极窗口通过金线与删极管脚的银层连接，源极窗口通过金线与源极管脚的银层连接；各个管脚的上表面暴露在环氧树脂之外，并在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓CaN MOSFET封装结构，其特征在于：包括框架，其包括基岛固定框和固设于基岛固定框周侧的多个管脚，所述管脚分为栅极管脚、漏极管脚和源极管脚，所述栅极管脚置于基岛固定框的侧方，且栅极管脚与基岛固定框之间留有安全空间；芯片，其固设于基岛固定框内，芯片的源极窗口、栅极窗口和漏极窗口分别通过金线与源极管脚、栅极管脚和漏极管脚电连接；所述框架和芯片借助于环氧树脂包裹形成一整体，且各个管脚的上表面暴露在环氧树脂之外形成焊盘；所述基岛固定框置于封装结构的底面，栅极管脚置于基岛固定框的侧方，且栅极管脚与基岛固定部之间留有安全空间。2.根据权利要求1所述的一种氮化镓CaN MOSFET封装结构，其特征在于：所述基岛固定框的一侧框边两端分别向外延伸出散热条，且散热条端部穿过环氧树脂，且散热条的端部暴露在外界。3.根据权利要求2所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜旭波，
申请(专利权)人：中科华艺天津科技有限公司，
类型：新型
国别省市：