MOSFET新型终端结构及其制备方法技术

MOSFET新型终端结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。本发明专利技术将源极沟槽沿y轴方向与第一截止沟槽相交，第一截止沟槽内圈侧壁和P+沟道层、N+层接触，在不增加额外工艺步骤的条件下，第一截止沟槽内圈侧壁和源极沟槽侧壁同时起到形成导电沟道反型层的作用，减小了器件在导通状态下的导通电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉半导体，尤其涉及mosfet新型终端结构及其制备方法。

技术介绍

1、在电力电子器件
，mosfet作为一种常用的功率半导体，已经代替三极管成为功率半导体领域最常用的开关器件之一。

2、mosfet在几十年的迭代过程中，mosfet终端技术一直是研究的热点，传统的mosfet终端技术包括场板、场限环、截止沟槽等，沟槽型mosfet常使用截止沟槽作为器件终端，mosfet终端区域常承担提高器件耐压的作用，对器件导通能力无贡献。

技术实现思路

1、本专利技术针对mosfet终端区域的研发方向，提供了mosfet新型终端结构及其制备方法，可以在有效承担提高器件耐压的作用的同时，降低器件的导通电阻。

2、本专利技术的技术方案是：

3、mosfet新型终端结构的制备方法，包括以下步骤：

4、步骤s100，在外延片内制备若干p+沟道层和若干n+层；

5、步骤s200，在外延片内制备若干源极沟槽和若干截止沟槽；源极沟槽沿y轴方向与内侧的截止沟槽相本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.MOSFET新型终端结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的MOSFET新型终端结构的制备方法，其特征在于，所述栅介质（6）材质为SiO2，厚度设定为40-500nm。

3.根据权利要求1所述的MOSFET新型终端结构的制备方法，其特征在于，所述隔离层（8）材质为SiO2或Si3N4，厚度为10-5000nm。

4.根据权利要求1所述的MOSFET新型终端结构的制备方法，其特征在于，步骤S510，通过减薄工艺和背金工艺在外延片（1）底部制备D极电极（11），整个器件制备完毕。

5.MOSFET新型终端结构，通...

【技术特征摘要】

1.mosfet新型终端结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的mosfet新型终端结构的制备方法，其特征在于，所述栅介质（6）材质为sio2，厚度设定为40-500nm。

3.根据权利要求1所述的mosfet新型终端结构的制备方法，其特征在于，所述隔离层（8）材质为sio2或si3n4，厚度为10-5000nm。

4.根据权利要求1所述的mosfet新型终端结构的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：代书雨，马倩倩，周理明，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：