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MOSFET新型终端结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。本发明将源极沟槽沿y轴方向与第一截止沟槽相交，第一截止沟槽内圈侧壁和P+沟道层、N+层接触，在不增加额外工艺步骤的条件下，第一截止沟槽内圈侧壁和源极沟槽侧壁同时起到形成导电沟道反型层...
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