【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及单芯片集成半桥及其制备方法。
技术介绍
1、在电力电子器件
，交流转直流一直是重要的应用领域，目前整流方式包括二极管整流、半桥整流和全桥整流。
2、半桥整流作为一种常用的整流方式，需要使用整流半桥来实现，传统的整流半桥是将两个二极管芯片以反向并联的方式封装到一个器件中，封装工艺流程复杂，封装本体也大，造成器件功率密度的降低和成本的增加，随着功率半导体对功率密度和性价比的要求越来越高，提高整流半桥的功率密度越来越引起人们重视。
技术实现思路
1、本专利技术针对以上问题，提供了一种有效提高整流半桥的功率密度的单芯片集成半桥及其制备方法。
2、本专利技术的技术方案是：
3、单芯片集成半桥及其制备方法，包括以下步骤：
4、步骤s100，在外延片上制备第一重掺杂p区；
5、步骤s200，在外延片上制备第一重掺杂n区；
6、步骤s300，在第一重掺杂n区制备延伸至第二轻掺杂n区的沟槽；
<...【技术保护点】
1.单芯片集成半桥及其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的单芯片集成半桥及其制备方法，其特征在于，步骤S100包括：
3.根据权利要求1所述的单芯片集成半桥及其制备方法，其特征在于，步骤S200包括：
4.根据权利要求1所述的单芯片集成半桥及其制备方法，其特征在于，步骤S300包括：
5.根据权利要求1所述的单芯片集成半桥及其制备方法，其特征在于，步骤S400包括：
6.根据权利要求1所述的单芯片集成半桥及其制备方法，其特征在于，步骤S500包括：
7.根据权利要求1所述...
【技术特征摘要】
1.单芯片集成半桥及其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的单芯片集成半桥及其制备方法，其特征在于，步骤s100包括：
3.根据权利要求1所述的单芯片集成半桥及其制备方法，其特征在于，步骤s200包括：
4.根据权利要求1所述的单芯片集成半桥及其制备方法，其特征在于，步骤s300包括：
5.根据权利要求1所述的单芯片集成半桥及其制备方法，其特征在于，步骤s400包括：
6.根据权利要求1所述的单芯片集成半桥及其制备方法，其特征在于，步骤s500包括：
7.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：代书雨，马倩倩，周理明，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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