【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体，特别涉及一种发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，led)是一种可以把电能转化为光能的半导体二极管。
2、在相关技术中，发光二极管芯片是发光二极管的主要组成部分，主要包括外延层，在倒装发光二极管中，外延层的一侧还设置有银镜层和银镜保护层，利用金属银自身具有极高反射率的特性，能够有效的提高发光二极管的亮度。银镜保护层覆盖在银镜层外，用于对银镜层进行保护，避免银镜层出现氧化团聚的问题。
3、然而，为了保证银镜保护层能够完整的覆盖银镜层，在制备完成银镜层后(期间会进行一次光刻工序)，会再另外进行一次光刻工序，然后再制备银镜保护层。这样一来，就导致了制备效率较低。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片，可以有效的提高制备效率。所述技术方案如下：
2、一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管芯片的制备方法，包括：
3、
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，烘烤所述光刻胶层(20)，使得所述光刻透孔(210)的孔径增大，包括：
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，烘烤所述光刻胶层(20)，使得所述光刻透孔(210)的孔径增大，包括：
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在烘烤后，所述梯形的腰边与所述梯形的长底边之间的夹角为60°～70°。
5.根据权利要求1～4任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述外延层(10)的一侧制备光刻胶层(20)，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，烘烤所述光刻胶层(20)，使得所述光刻透孔(210)的孔径增大，包括：
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，烘烤所述光刻胶层(20)，使得所述光刻透孔(210)的孔径增大，包括：
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在烘烤后，所述梯形的腰边与所述梯形的长底边之间的夹角为60°～70°。
5.根据权利要求1～4任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述外延层(10)的一侧制备光刻胶层(20)，包括：
6.根据权利要求1～4任一项所述的制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：游云梦，王佳，芮哲，田宇航，马国强，夏群，刘战祥，
申请(专利权)人：京东方华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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