【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种在半导体晶片上形成半导体器件的方法。
技术介绍
1、例如，在形成半导体器件中，可以将蚀刻层蚀刻以形成存储孔或线或其他半导体特征。一些半导体器件可以通过蚀刻二氧化硅(sio)的单个堆叠件来形成，例如以在动态访问随机存储器(dram)中形成电容器。可以通过蚀刻交替的二氧化硅(氧化物)和氮化硅(氮化物)(onon)或交替的二氧化硅和多晶硅的双层堆叠件来形成其他半导体器件。这样的堆叠件可用于存储器应用和三维“非与”门(3d nand)。本文提供的背景描述是为了总体上呈现本公开内容的目的。这些堆叠件倾向于要求对电介质的相对高的深宽比(har)蚀刻。对于高深宽比蚀刻，所需蚀刻特性的示例是对掩模(例如非晶碳掩模)的高蚀刻选择性，具有直轮廓的低侧壁蚀刻以及蚀刻前端的高蚀刻速率。在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的描述的各方面中描述的范围内的当前指定的专利技术人的工作既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
技术实现思路
1、为了实现前述内容并且根据本公开的目的，提供了一...
【技术保护点】
1.一种蚀刻方法，包括：
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，还包括提供偏压。
3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中由所述含卤素气体和所述N2气体生成等离子体包括提供RF功率。
4.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中所述含卤素气体包括提供游离氟的成分。
5.根据权利要求1所述的蚀刻方法，还包括提供含氢成分、含烃成分、含碳氟化合物成分以及含碘成分中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的蚀刻方法，还包括提供含氧成分。
7.根据权利要求1所述的蚀刻方法，还包括提供氧气。
8.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种蚀刻方法，包括：
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，还包括提供偏压。
3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中由所述含卤素气体和所述n2气体生成等离子体包括提供rf功率。
4.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中所述含卤素气体包括提供游离氟的成分。
5.根据权利要求1所述的蚀刻方法，还包括提供含氢成分、含烃成分、含碳氟化合物成分以及含碘成分中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的蚀刻方法，还包括提供含氧成分。
7.根据权利要求1所述的蚀刻方法，还包括提供氧气。
8.根据权利要求1所述的蚀刻方法，还包括提供幅值至少为400伏的偏压。
9.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中所述衬底包括至少两个不同的含硅层。
10.根据权利要求9所述的蚀刻方法，其中所述至少两个不同的含硅层包括氧化硅层和氮化硅层。
11.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：克伦·J·卡纳里克，萨曼莎·西亚姆华·坦，潘阳，杰弗里·马克斯，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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