一种半导体用气体喷头制造技术

本申请提供了一种半导体用气体喷头，涉及半导体技术领域，包括第一喷头部分，其上设有若干第一通气孔，第二喷头部分，与所述第一喷头部分固定连接，所述第二喷头部分上设有若干与所述第一通气孔对应连通的第二通气孔，以及若干开设在所述第二喷头部分的第一表面上的冷却槽，所述第一表面为与所述第一喷头部分对接的表面，所述冷却槽分布在若干所述第二通气孔之间，这样的设置能够提高对半导体用气体喷头的冷却降温效果，有效减少了臭氧的提前分解，提高了硅片表面薄膜沉积速率提高产能，并同时改善了薄膜颗粒度及均匀性的技术效果。同时改善了薄膜颗粒度及均匀性的技术效果。同时改善了薄膜颗粒度及均匀性的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体用气体喷头


[0001]本申请涉及半导体
，尤其是涉及一种半导体用气体喷头。

技术介绍

[0002]气体喷头在半导体工艺中是一个比较重要的反应器件，在半导体设备进行沉积反应时，需要较高的温度和压力，尤其是在HARP(High AspectRatio Process，高深宽比工艺)工艺中。在此反应条件下，气体喷头具有较高温度，导致反应气体在此处分解，并与前驱物在气体喷头表面反应沉积薄膜，膜层累积较厚时，可能脱落或堵塞气体喷头进气孔，从而产生大量颗粒，影响硅片上薄膜的性能。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种半导体用气体喷头，以解决半导体工艺过程中反应气体提前分解发生反应形成沉积膜，易堵塞气体喷头进气孔，产生的大量颗粒影响硅片性能的问题。
[0004]本申请提供的一种半导体用气体喷头，包括：
[0005]第一喷头部分，其上设有若干第一通气孔；
[0006]第二喷头部分，与所述第一喷头部分固定连接，所述第二喷头部分上设有若干与所述第一通气孔对应连通的第二通气孔，以及若干开设在所述第二喷头部分的第一表面上的冷却槽，所述第一表面为与所述第一喷头部分对接的表面，所述冷却槽分布在若干所述第二通气孔之间。
[0007]进一步的，所述第二喷头部分包括第二喷头板，所述第二喷头板的所述第一表面上开设有凹腔，所述凹腔的底部设有若干间隔设置的凸出部，每一所述凸出部上设有若干所述第二通气孔，相邻所述凸出部与所述凸出部之间，以及所述凹腔的内壁与所述凸出部之间形成所述冷却槽。/>[0008]进一步的，所述冷却槽之间相互连通设置。
[0009]进一步的，所述凸出部之间相互平行设置。
[0010]进一步的，所述凹腔内划分为若干区，每一所述区内设有若干所述凸出部，相邻两所述区之间间隔设置，所述冷却槽包括每一区内的相邻两所述凸出部之间的第一冷却槽，以及相邻两所述区之间间隔设置所形成的第二冷却槽，以及所述区与所述凹腔的内壁之间的第三冷却槽，所述第二冷却槽与所述第一冷却槽、第三冷却槽均连通。
[0011]进一步的，所述区呈扇形，且各所述区围成一个圆，所述第二冷却槽沿所述圆的径向延伸。
[0012]进一步的，所述凸出部呈弧形，所述区内的所述凸出部均呈同心圆排布。
[0013]进一步的，所述冷却介质的入口、出口均径向设置在所述第二喷头板上，并贯穿所述凹腔的内壁，与所述冷却槽连通。
[0014]进一步的，所述第一喷头部分包括第一喷头板，所述第一喷头板适于设置在所述凹腔内，且与所述凸出部相抵设置，还包括将第一喷头板固定在所述凹腔内的固定机构。
[0015]进一步的，所述固定机构包括环形固定板，以及紧固结构，所述环形固定板的内径小于所述第一喷头板的外径，所述紧固结构将所述环形固定板可拆卸固定于所述第二喷头板上时，所述环形固定板抵住所述第一喷头板，防止所述第一喷头板从所述凹腔中脱出。
[0016]进一步的，所述第一喷头板为圆板，所述凹腔为圆形腔，所述半导体用气体喷头还包括设置在第一喷头板的外圆周边缘上的至少一个第一定位结构，以及设置在所述凹腔的内圆周侧壁上的至少一个第二定位结构，所述第二定位结构用于与所述第一定位结构相结合，防止所述第一喷头板在所述凹腔内转动。
[0017]进一步的，所述第一定位结构为开设在所述第一喷头板的外圆周边缘上的定位凹槽，所述第二定位结构为设置在所述凹腔的内圆周侧壁上的定位凸起；或所述第一定位结构为设置在所述第一喷头板的外圆周边缘上的定位凸起，所述第二定位结构为设置在所述凹腔的内圆周侧壁上定位凹槽。
[0018]本申请提供的半导体用气体喷头，由于冷却槽开设在第二喷头部分的第一表面(即第二喷头部分的上表面)上，并分布在第二通气孔之间，因此冷却槽中流动的冷却介质能够对第二喷头部分中的第二通气孔内通过的第一气体进行冷却降温，而由于第二喷头部分的第一表面又直接与第一喷头部分接触(即直接第一喷头部分的下表面接触)，因此，冷却槽中的冷却介质还能够直接与第一喷头部分的下表面接触并对第一喷头部分进行冷却降温，进而能够对流过第一通气孔中的第一气体进行冷却，从而提高半导体用气体喷头对第一气体的冷却降温效果，有效减少了臭氧的提前分解，提高了硅片表面薄膜沉积速率提高产能，并同时改善了薄膜颗粒度及均匀性。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本申请实施例提供的半导体用气体喷头的分解图；
[0021]图2、图3分别为本申请实施例提供的半导体用气体喷头的结构示意图；
[0022]图4为第一喷头板的结构示意图；
[0023]图5为第二喷头板在第一视角下的结构示意图；
[0024]图6为第二喷头板在第二视角下的结构示意图。
[0025]图标：1
‑
第一喷头板；11
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第一通气孔；12
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第一定位结构；2
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第二喷头板；21
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第二通气孔；22
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凸出部；23
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第一冷却槽；24
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第二冷却槽；25
‑ꢀ
第三冷却槽；26
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入口；27
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出口；3
‑
环形固定板。
具体实施方式
[0026]下面将结合实施例对本申请的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0027]如图1
‑
图6所示，本申请实施例提供一种半导体用气体喷头，包括第一喷头部分、第二喷头部分，其中第一喷头部分上设有若干第一通气孔11；
[0028]第二喷头部分与所述第一喷头部分固定连接，所述第二喷头部分上设有若干与所述第一通气孔11对应连通的第二通气孔21，以及若干开设在所述第二喷头部分的第一表面上的冷却槽，所述第一表面为与所述第一喷头部分对接的表面，所述冷却槽分布在若干所述第二通气孔21之间。
[0029]由于冷却槽开设在第二喷头部分的第一表面(即图1中所示的第二喷头部分的上表面)上，并分布在第二通气孔21之间，因此冷却槽中流动的冷却介质能够对第二喷头部分中的第二通气孔21内通过的第一气体进行冷却降温，而由于第二喷头部分的第一表面又直接与第一喷头部分接触(即直接与图1中第一喷头部分的下表面接触)，因此，冷却槽中的冷却介质能够直接与第一喷头部分的下表面接触并对第一喷头部分进行冷却降温，进而能够对流过第一通气孔11中的第一气体进行冷却本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体用气体喷头，其特征在于，包括：第一喷头部分，其上设有若干第一通气孔(11)；第二喷头部分，与所述第一喷头部分固定连接，所述第二喷头部分上设有若干与所述第一通气孔(11)对应连通的第二通气孔(21)，以及若干开设在所述第二喷头部分的第一表面上的冷却槽，所述第一表面为与所述第一喷头部分对接的表面，所述冷却槽分布在若干所述第二通气孔(21)之间。2.根据权利要求1所述的半导体用气体喷头，其特征在于，所述第二喷头部分包括第二喷头板(2)，所述第二喷头板(2)的所述第一表面上开设有凹腔，所述凹腔的底部设有若干间隔设置的凸出部(22)，每一所述凸出部(22)上设有若干所述第二通气孔(21)，相邻所述凸出部(22)与所述凸出部(22)之间，以及所述凹腔的内壁与所述凸出部(22)之间形成所述冷却槽。3.根据权利要求2所述的半导体用气体喷头，其特征在于，所述冷却槽之间相互连通设置。4.根据权利要求3所述的半导体用气体喷头，其特征在于，所述凸出部(22)之间相互平行设置。5.根据权利要求4所述的半导体用气体喷头，其特征在于，所述凹腔内划分为若干区，每一所述区内设有若干所述凸出部(22)，相邻两所述区之间间隔设置，所述冷却槽包括每一区内的相邻两所述凸出部(22)之间的第一冷却槽(23)，以及相邻两所述区之间间隔设置所形成的第二冷却槽(24)，以及所述区与所述凹腔的内壁之间的第三冷却槽(25)，所述第二冷却槽(24)与所述第一冷却槽(23)、第三冷却槽(25)均连通。6.根据权利要求5所述的半导体用气体喷头，其特征在于，所述区呈扇形，且各所述区围成一个圆，所述第二冷却槽(24)沿所述圆的径向延伸。7.根据权利要求6所述的半导体用气体喷头，其特征在于，所述凸出部(22)呈弧形，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘镇颉，柳雪，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：