一种喷淋头及真空处理设备制造技术

本发明专利技术提供了一种喷淋头及真空处理设备，该喷淋头包括喷淋主体，喷淋主体具有相互独立的第一排气通道和第二排气通道；所述喷淋主体包括相对设置的第一喷淋层和第二喷淋层，所述第一喷淋层和所述第二喷淋层之间形成过渡腔室，所述第一排气通道设置于所述第一喷淋层和所述第二喷淋层之间，并贯穿所述过渡腔室，所述第一喷淋层和所述第二喷淋层均设置有孔结构，并与所述过渡腔室相通以形成所述第二排气通道。本发明专利技术通过设置相互独立的第一排气通道和第二排气通道，保证反应气体在进入反应腔体之前不会相互污染，提高了反应的可靠性。提高了反应的可靠性。提高了反应的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种喷淋头及真空处理设备


[0001]本专利技术涉及半导体镀膜设备领域，尤其涉及一种喷淋头及真空处理设备。

技术介绍

[0002]随着国内对半导体芯片的需求日益提高，半导体设备也在不断更新。其中，半导体薄膜设备中的喷淋系统是尤为重要的一个关键部分，可用于均匀分气、加载射频、控制反应气体的温度以及反应腔室的温度等。
[0003]现有的喷淋系统中的喷淋头温度控制精度不高，导致喷淋头释放的温度不均匀。并且，存在两种反应气体在进入反应腔室前的混合，使喷淋头内产生大量的薄膜沉积，维护成本较高。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种喷淋头及真空处理设备，避免了两种反应气体在进入反应腔体之前发生混合，可准确控制加热腔体内的温度，提高了反应腔体内的颗粒度表现。
[0005]为实现上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种喷淋头，包括：喷淋主体，具有相互独立的第一排气通道和第二排气通道；所述喷淋主体包括相对设置的第一喷淋层和第二喷淋层，所述第一喷淋层和所述第二喷淋层之间形成过渡腔室，所述第一排气通道设置于所述第一喷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种喷淋头，其特征在于，包括：喷淋主体，具有相互独立的第一排气通道和第二排气通道；所述喷淋主体包括相对设置的第一喷淋层和第二喷淋层，所述第一喷淋层和所述第二喷淋层之间形成过渡腔室，所述第一排气通道设置于所述第一喷淋层和所述第二喷淋层之间，并贯穿所述过渡腔室，所述第一喷淋层和所述第二喷淋层均设置有孔结构，并与所述过渡腔室相通以形成所述第二排气通道；加热腔体，设于所述喷淋主体，并与所述第一排气通道和所述第二排气通道导通；加热器，设于所述加热腔体内；温度控制器，与所述加热器电连接；隔离板，所述隔离板设于所述加热腔体和所述喷淋主体之间；所述隔离板对应于所述第一排气通道设有第一过渡孔以引导气体导入所述第一排气通道，所述隔离板对应于所述第二排气通道设有第二过渡孔以引导气体导入所述第二排气通道。2.根据权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述第一排气通道包括若干排气柱，所述排气柱的一端设置于所述第一喷淋层以导入第一反应气体，另一端设置于所述第二喷淋层以导出所述第一反应气体，所述若干排气柱沿所述喷淋头的径向方向排列。3.根据权利要求2所述的喷淋头，其特征在于，所述孔结构包括设置于所述第一喷淋层的接气孔以供第二反应气体导入，以及设置于所述第二喷淋层的若干排气孔以供所述第二反应气体导出。4.根据权利要求3所述的喷淋头，其特征在于，所述接气孔设于所述第一喷淋层的中部，若干所述排气孔阵列分布于所述第二喷淋层。5.根据权利要求3所述的喷淋头，其特征在于，若干所述接气孔均匀的设于所述第一喷淋层，若干所述排气孔阵列分布于所述第二喷淋层。6.根据权利要求2所述的喷淋头，其特征在于，所述排气...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨华龙，金基烈，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：