目标结构晶圆获取方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术实施例涉及一种目标结构晶圆获取方法、装置、设备及存储介质，目标结构晶圆获取方法包括：获取初始结构晶圆的初始特征参数，初始特征参数包括底部抗反射涂层的厚度及折射率；根据初始特征参数生成底部抗反射涂层的初始厚度反射率变化曲线；调整初始厚度反射率变化曲线，得到波形参数位于对应阈值范围的目标反射率变化曲线；根据目标反射率变化曲线确定目标结构晶圆的底部抗反射涂层的目标厚度值及目标结构晶圆的目标特征参数。本发明专利技术提供的目标结构晶圆减少了结构晶圆的制作时间和制作成本，并能够对半导体产品快速进行窗口验证，加快了半导体产品光刻工艺的进程并提高了制作半导体产品的效率。制作半导体产品的效率。制作半导体产品的效率。

【技术实现步骤摘要】
目标结构晶圆获取方法、装置、设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种目标结构晶圆获取方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]随着集成电路技术的快速发展，市场对半导体产品性能及可靠性提出了更高的要求。而随着制程不断优化，器件在光刻工艺中需要的大量的结构晶圆进行窗口验证，但是结构晶圆的制作过程需要投入大量的时间成本和经济成本。
[0003]因此，在不影响半导体器件光刻结果的前提下，亟须提供一种新型的结构晶圆获取方法，以减少结构晶圆的制作时间和制作成本，并能够对半导体产品快速进行窗口验证，加快半导体产品进行光刻工艺的进程，并提高制作半导体产品的效率。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要提供一种能够有效加快半导体产品进行光刻工艺进程的目标结构晶圆获取方法、装置、设备及存储介质，减少结构晶圆的制作时间和制作成本，以提高制作半导体产品的效率。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术实施例的第一方面提供了一种目标结构晶圆获取方法，包括如下步骤：获取初始结构晶圆的初始特征参数，初始特征参数包括底部抗反射涂层的厚度及折射率；根据初始特征参数生成底部抗反射涂层的初始厚度反射率变化曲线；调整初始厚度反射率变化曲线，得到波形参数位于对应阈值范围的目标反射率变化曲线；其中，波形参数包括波峰值、波谷值及相邻波峰值与波谷值之间的厚度差；根据目标反射率变化曲线确定目标结构晶圆的底部抗反射涂层的目标厚度值及目标结构晶圆的目标特征参数。
[0006]在上述实施例中，首先，在得到初始结构晶圆后，获取初始结构晶圆的初始特征参数，初始特征参数包括底部抗反射涂层（Bottom Anti
‑
Reflection Coating, BARC）的厚度以及折射率；其次，根据初始结构晶圆的初始特征参数生成底部抗反射涂层的初始厚度反射率变化曲线，曲线反映初始结构晶圆中底部抗反射涂层的反射率与厚度值的关系；然后，在初始厚度反射率变化曲线中，调整波形参数，能够得到波形参数位于对应阈值范围的目标反射率变化曲线，其中，波形参数包括波峰值、波谷值及相邻波峰值与波谷值之间的厚度差，在这时，目标反射率变化曲线反映了目标结构晶圆中底部抗反射涂层的反射率与厚度值的关系；最后，从目标反射率变化曲线确定目标结构晶圆的底部抗反射涂层的目标厚度值及目标结构晶圆的目标特征参数。根据目标结构晶圆的底部抗反射涂层的目标厚度值及目标结构晶圆的目标特征参数，能够得到满足需求的目标结构晶圆，以对光刻工艺制程中的半导体器件进行窗口验证，传统结构晶圆的制作过程一般会耗费大量时间成本与经济成
本，相对比于传统的结构晶圆，本专利技术提供的结构晶圆获取方法与结构晶圆减少了结构晶圆的制作时间和制作成本，并能够对半导体产品快速进行窗口验证，加快半导体产品进行光刻工艺的进程，并提高制作半导体产品的效率。
[0007]在一些实施例中，初始特征参数还包括初始结构晶圆的叠层的成分、厚度及消光系数，目标特征参数包括叠层的成分、厚度及消光系数。
[0008]在一些实施例中，调整初始厚度反射率变化曲线，得到波形参数位于对应阈值范围的目标反射率变化曲线，包括：调整初始厚度反射率变化曲线的周期值，使得调整后相邻波峰值与波谷值之间的厚度差位于预设周期范围内。
[0009]在一些实施例中，调整初始厚度反射率变化曲线的周期值，使得调整后相邻波峰值与波谷值之间的厚度差位于预设周期范围内之后，包括：调整初始厚度反射率变化曲线的波峰值及波谷值，使得调整后波峰值位于预设波峰范围内，且调整后波谷值位于预设波谷范围内。
[0010]在一些实施例中，根据目标反射率变化曲线确定目标结构晶圆的底部抗反射涂层的目标厚度值及目标结构晶圆的目标特征参数，包括：获取目标反射率变化曲线与目标反射率直线的交点；确定交点中最小厚度值为目标厚度值；根据初始结构晶圆的叠层的成分及厚度，确定目标特征参数中除底部抗反射涂层厚度之外的其他特征参数。
[0011]在一些实施例中，预设周期范围为[m
‑
0.05m，m+0.05m]，m为预设目标周期值。
[0012]在一些实施例中，初始结构晶圆包括依次叠置的硅层、氧化硅层、正硅酸乙酯层、氮化硅层、金属层、底部抗反射涂层及光刻胶层。
[0013]本专利技术的另一方面提供一种目标结构晶圆获取装置，包括初始特征参数获取模块、初始曲线获取模块、目标曲线获取模块及目标特征参数获取模块，初始特征参数获取模块用于获取初始结构晶圆的初始特征参数，初始特征参数包括底部抗反射涂层的厚度、折射率及消光系数；初始曲线获取模块用于根据初始特征参数生成底部抗反射涂层的初始厚度反射率变化曲线；目标曲线获取模块用于调整初始厚度反射率变化曲线，得到波形参数位于对应阈值范围的目标反射率变化曲线；其中，波形参数包括波峰值、波谷值及相邻波峰值与波谷值之间的厚度差；目标特征参数获取模块用于根据目标反射率变化曲线确定目标结构晶圆的底部抗反射涂层的目标厚度值及目标结构晶圆的目标特征参数。
[0014]在上述实施例中，在采用目标结构晶圆获取装置制备目标结构晶圆的过程中，首先，通过初始特征参数获取模块获取初始结构晶圆的初始特征参数，其中，初始特征参数包括底部抗反射涂层的厚度、折射率、叠层的成分、厚度及消光系数；其次，通过初始曲线获取模块根据初始特征参数生成底部抗反射涂层的初始厚度反射率变化曲线，曲线反映初始结构晶圆中底部抗反射涂层的反射率与厚度值的关系；然后，通过目标曲线获取模块调整初始厚度反射率变化曲线，得到波形参数位于对应阈值范围的目标反射率变化曲线，其中，波形参数包括波峰值、波谷值及相邻波峰值与波谷值之间的厚度差，目标反射率变化曲线反映了目标结构晶圆中底部抗反射涂层的反射率与厚度值的关系；最后，通过目标特征参数获取模块确定目标结构晶圆的底部抗反射涂层的目标厚度值及目标结构晶圆的目标特征
参数。在得到目标结构晶圆的底部抗反射涂层的目标厚度值及目标结构晶圆的目标特征参数后，用于光刻制程中窗口验证的结构晶圆即为目标结构晶圆，目标结构晶圆满足验证的需求，在减少结构晶圆制作的时间成本以及经济成本的同时，能够对半导体产品快速进行窗口验证，加快半导体产品进行光刻工艺的进程，并提高制作半导体产品的效率以及提升制成产品的良率。
[0015]本专利技术的又一方面提供一种结构晶圆获取设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现本专利技术任一项实施例所述的目标结构晶圆获取方法的步骤。
[0016]本专利技术的再一方面提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现本专利技术任一项实施例所述的目标结构晶圆获取方法的步骤。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术实施例的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种目标结构晶圆获取方法，其特征在于，包括：获取初始结构晶圆的初始特征参数，所述初始特征参数包括底部抗反射涂层的厚度及折射率；根据所述初始特征参数生成所述底部抗反射涂层的初始厚度反射率变化曲线；调整所述初始厚度反射率变化曲线，得到波形参数位于对应阈值范围的目标反射率变化曲线；其中，所述波形参数包括波峰值、波谷值及相邻波峰值与波谷值之间的厚度差；根据所述目标反射率变化曲线确定目标结构晶圆的底部抗反射涂层的目标厚度值及目标结构晶圆的目标特征参数。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述初始特征参数还包括初始结构晶圆的叠层的成分、厚度及消光系数，所述目标特征参数包括叠层的成分、厚度及消光系数。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调整所述初始厚度反射率变化曲线，得到波形参数位于对应阈值范围的目标反射率变化曲线，包括：调整所述初始厚度反射率变化曲线的周期值，使得调整后相邻波峰值与波谷值之间的厚度差位于预设周期范围内。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述调整所述初始厚度反射率变化曲线的周期值，使得调整后相邻波峰值与波谷值之间的厚度差位于预设周期范围内之后，包括：调整所述初始厚度反射率变化曲线的波峰值及波谷值，使得调整后波峰值位于预设波峰范围内，且调整后波谷值位于预设波谷范围内。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标反射率变化曲线确定目标结构晶圆的底部抗反射涂层的目标厚度值及目标结构晶圆的目标特征参数，包括：获取所述目标反射率变化曲线与目标反射率直线的交点；...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海峰，张祥平，古哲安，林士程，吴建宏，
申请(专利权)人：合肥新晶集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：