【技术实现步骤摘要】
一种变频器MOSFET的散热装置及散热方法
[0001]本专利技术属于变频器散热
，具体地说，涉及一种变频器MOSFET的散热装置及散热方法。
技术介绍
[0002]变频器MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管,MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，依照其通道的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，场效应晶体管是电压控制元件，而双极结型晶体管是电流控制元件。在只允许从取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用双极晶体管。有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比双极晶体管好，场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而双极结型晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电，因此被称之为双极型器件。
[0003]目前现有的的MOSFET元件在使用过程中会释放热量，散发的热量如果不及时消除，MOSFET元件表面温度将会逐渐升高，表面温度升高会影响元件的使用性...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种变频器MOSFET的散热装置，其特征在于，所述散热装置包括螺钉连接在变频器主体（100）上的散热外壳，所述散热外壳包括感应模块（200）、第一传输模块（300）、分析模块（400）、第二传输模块（500）、第一控制模块（600）、第一散热模块（700）、第二控制模块（800）、第二散热模块（900）、档位控制模块（1000）、复测模块（1100）、第三控制模块（1200）；所述感应模块（200）用于感应变频器主体（100）表面温度；所述第一传输模块（300）用于传输感应模块（200）感应的温度数据；所述分析模块（400）用于分析第一传输模块（300）输送的温度数据；所述第二传输模块（500）用于传输分析模块（400）输出的散热指令；所述第一控制模块（600）用于控制第一散热模块（700）进行散热操作；所述第一散热模块（700）用于对变频器主体（100）进行一级散热；所述第二控制模块（800）用于控制第二散热模块（900）进行散热操作；所述第二散热模块（900）用于对变频器主体（100）进行二级散热；所述档位控制模块（1000）用于对第一散热模块（700）和第二散热模块（900）进行档位调节，对变频器主体（100）进行三级散热；所述复测模块（1100）用于对变频器主体（100）降温后的表面温度进行复测；所述第三控制模块（1200）用于控制第一散热模块（700）、第二散热模块（900）、档位控制模块（1000）。2.一种变频器MOSFET的散热方法，采用权利要求1所述的变频器MOSFET的散热装置，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：变频器工作状态下，感应模块（200）对变频器主体（100）进行不断测温；步骤二：感应模块（200）测得的温度数据将通过第一传输模块（300）实时传输到分析模块（400）内；步骤三：分析模块（400）接收到温度数据后，将对温度数据进行判断识别；步骤四：若温度低于设定值，将结束此次温度数据传输；若温度高于设定值，将把此次温度数据进行判断识别；步骤五：对温度数据进行判断识别后，将温度数据传输至对应的区间模块；步骤六：分析后的温度数据若为第一区间，温度数据将通过第二传输模块（500）传输至第一控制模块（600）内，第一控制模块（600）将控制第一散热模块（700）进行一级散热；分析后的温度数据若为第二区间，温度数据将通过第二传输模块（500）传输至第一控制模块（600）、第二控制模块（800）内，第一控制模块（600）控制第一散热模块（700）进行一级散热，第二控制模块（800）将控制第二散热模块（900）进行二级散热；分析后的温度区间若为第三区间，温度数据将通过第二传输模块（500）传输至第一控制模块（600）、第二控制模块（800）内，第一控制模块（600）控制第一散热模块（700）进行一级散热，第二控制模块（800）将控制第二散热模块（900）进行二级散热，同时会将温度数据传输通过第二传输模块（500）至档位控制模块（1000），档位控制模块（1000）将会对第一散热模块（700）、第二散热模块（900）进行升档操作进行三级散热；步骤七：降温后，复...
【专利技术属性】
技术研发人员：李伟聪，姜春亮，雷秀芳，
申请(专利权)人：深圳市威兆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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