一种滤波器封装方法及封装结构技术

本发明专利技术属于半导体制造技术领域，具体涉及一种滤波器封装方法及封装结构。包括如下步骤：在压电基底的第二面固定连接辅助式厚基底；在压电基底的第一面设置叉指式换能器；在压电基底的第一面设置焊接凸点固定盖板，形成滤波器芯片；覆膜密封所述滤波器芯片；去除所述辅助式厚基底，完成封装。压电基底设置可去除的辅助式厚基底，增加了整体刚性，大大降低树脂包封后的翘曲问题，且可循环利用，后期无须减薄，整体封装尺寸变小，成本更低；在压电基底直接设置表面声波滤波器芯片的IDT区域，且通过焊接凸点连接有盖板，进一步简化制作流程，节省制造成本。节省制造成本。节省制造成本。

【技术实现步骤摘要】
一种滤波器封装方法及封装结构


[0001]本专利技术属于半导体制造
，具体涉及一种滤波器封装方法及封装结构。

技术介绍

[0002]表面声波滤波器是利用压电材料的压电效应和声波传播的物理特性而制备的一种滤波元器件。压电板的两侧都覆盖有梳状指形物形成的金属层，用作叉指式换能器(interdigital transducer，IDT)，该IDT可将传入设备的电信号转换为声能，以声波的形式在压电板两侧的IDT中传输信号。
[0003]常见的表面声波滤波器的封装结构采用传统压力注塑进行树脂包封芯片，工艺成熟，但过程中会有塑封树脂溢流到IDT区域而造成芯片失效问题。采用芯片间键合工艺使IDT功能区域形成空腔，使产品尺寸过大而无法适应小尺寸模组的封装。基底具有用于放置滤波芯片的凹槽，衬底开槽一方面增加了制备的工艺难度，成本增加；另一方面也会使衬底的刚性大大降低，对树脂包封后的翘曲不可控，影响产品的性能、外观，甚至加剧了后续制程站点的风险。为改善树脂包封后的翘曲而使用刚性较大的厚基底，又增加了封装工序，且被研磨的基底材料不可回收再利用，成本不可制约。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中滤波器的封装结构工艺复杂的问题，本专利技术提供一种滤波器封装方法及封装结构。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]第一方面，提供一种滤波器封装方法，包括如下步骤：在压电基底的第二面固定连接辅助式厚基底；在压电基底的第一面设置叉指式换能器；在压电基底的第一面设置焊接凸点固定盖板，形成滤波器芯片；覆膜密封所述滤波器芯片；去除所述辅助式厚基底，完成封装。
[0007]进一步的，所述辅助式厚基底为与所述压电基底尺寸相适应的金属板。
[0008]进一步的，所述去除所述辅助式厚基底的去除方法包括蚀刻、剥离。
[0009]进一步的，所述覆膜密封所述滤波器芯片为，使用真空层压覆膜工艺，将一整片树脂塑封料包覆在形成的滤波器芯片上。
[0010]进一步的，所述覆膜密封所述滤波器芯片中，一次性对若干所述滤波器芯片进行覆膜。
[0011]第二方面，提供一种滤波器封装结构，包括压电基底、塑封体、叉指式换能器和盖板，所述压电基底的第一面上设置有所述叉指式换能器，所述压电基底的第一面上通过焊接凸点固定连接有所述盖板，所述塑封体覆盖所述压电基底和所述盖板。
[0012]进一步的，所述盖板面积大于所述叉指式换能器所占区域面积。
[0013]进一步的，所述压电基底、所述塑封体和所述盖板之间形成空腔，所述叉指式换能器位于所述空腔内。
[0014]进一步的，所述盖板材质为硅、其他半导体材料、陶瓷或玻璃。
[0015]进一步的，所述塑封体为薄层片状树脂材料。
[0016]与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：
[0017]第一、压电基底设置可去除的辅助式厚基底，增加了整体刚性，大大降低树脂包封后的翘曲问题，且可循环利用，后期无须减薄，整体封装尺寸变小，成本更低；在压电基底直接设置表面声波滤波器芯片的IDT区域，且通过焊接凸点连接有盖板，进一步简化制作流程，节省制造成本。
[0018]第二、树脂塑封料为薄层大面积的片状树脂材料，通过真空层压覆膜工艺处理，形成空腔，确保表面声波滤波器芯片性能，可在一次性大批量生产时，保证良品率。
[0019]第三、采用压电基底取代了传统衬底，不存在芯片间热膨胀系数的不匹配，产品更薄，散热性能更佳。
附图说明
[0020]构成本专利技术的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。
[0021]在附图中：
[0022]图1为本专利技术一种滤波器的封装结构去除金属板前的截面示意图；
[0023]图2为本专利技术一种滤波器的封装方法流程图；
[0024]图3为本专利技术一种滤波器的封装结构辅助基底示意图；
[0025]图4为本专利技术一种滤波器的封装结构芯片示意图；
[0026]图5为本专利技术一种滤波器的封装结构封装完成示意图。
[0027]图中包括：1
‑
金属板、2
‑
压电基底、3
‑
塑封体、4
‑
叉指式换能器、5
‑
空腔、6
‑
盖板、7
‑
焊接凸点。
具体实施方式
[0028]下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0029]以下详细说明均是示例性的说明，旨在对本专利技术提供进一步的详细说明。除非另有指明，本专利技术所采用的所有技术术语与本专利技术所属领域的一般技术人员的通常理解的含义相同。本专利技术所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而并非意图限制根据本专利技术的示例性实施方式。
[0030]如图1所示，本专利技术一种滤波器封装方法去除金属板1之前的截面结构。
[0031]如图2所示，本专利技术一种滤波器封装方法如下。
[0032]如图3所示，在压电基底2的底部设置金属板1，形成辅助基底。其中金属板1与压电基底2尺寸大小相同。金属板1与压电基底2彼此通过键合的方法固定连接。辅助基底为辅助式厚基底，故而增加了整体刚性，大大降低树脂包封后的翘曲问题，且金属板1可循环利用，后期无须减薄，整体封装尺寸变小，成本更低。
[0033]如图4所示，在压电基底2顶部涂布光刻胶，进行光刻显影形成叉指式换能器4，叉指式换能器4所在区域即为IDT区域。IDT区域形成后，通过植金球工艺形成若干焊接凸点7，
用于装贴盖板6，形成表面声波滤波器芯片。盖板6面积大于IDT区域，保证能够完全覆盖IDT区域。在压电基底2顶部，直接设置表面声波滤波器芯片的IDT区域，且通过焊接凸点7连接有盖板6，进一步简化制作流程，节省制造成本。
[0034]如图1所示，使用真空层压覆膜工艺，将一整片树脂塑封料包覆在形成的表面声波滤波器芯片上，形成塑封体3，包裹密封芯片。且由于压电基底2和盖板6之间通过焊接凸点7固定连接，在IDT区域形成空腔5。树脂塑封料为薄层大面积的片状树脂材料，通过真空层压覆膜工艺处理，形成空腔5确保表面声波滤波器芯片性能，可在一次性大批量生产时，保证良品率。
[0035]如图5所示，采用蚀刻或剥离工艺，去除压电基底2底部的金属板1，经过切割分离单颗滤波器成品，完成封装。
[0036]由技术常识可知，本专利技术可以通过其它的不脱离其精神实质或必要特征的实施方案来实现。因此，上述公开的实施方案，就各方面而言，都只是举例说明，并不是仅有的。所有在本专利技术范围内或在等同于本专利技术的范围内的改变均被本专利技术包含。
[0037]最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本专利技术的技术方案而非对其限制，尽管参照上述实施例对本专利技术进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波器封装方法，其特征在于，包括如下步骤：在压电基底(2)的第二面固定连接辅助式厚基底；在压电基底(2)的第一面设置叉指式换能器(4)；在压电基底(2)的第一面设置焊接凸点(7)固定盖板(6)，形成滤波器芯片；覆膜密封所述滤波器芯片；去除所述辅助式厚基底，完成封装。2.根据权利要求1中所述的一种滤波器封装方法，其特征在于，所述辅助式厚基底为与所述压电基底(2)尺寸相适应的金属板(1)。3.根据权利要求1中所述的一种滤波器封装方法，其特征在于，所述去除所述辅助式厚基底的去除方法包括蚀刻、剥离。4.根据权利要求1中所述的一种滤波器封装方法，其特征在于，所述覆膜密封所述滤波器芯片为，使用真空层压覆膜工艺，将一整片树脂塑封料包覆在形成的滤波器芯片上。5.根据权利要求1中所述的一种滤波器封装方法，其特征在于，所述覆膜密封所述滤波器芯片中，一次性对若干所述滤波器芯片进行覆膜。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：巫碧勤，陈兴隆，庞宝龙，
申请(专利权)人：华天科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：