一种外延石墨基座制造技术

本实用新型专利技术涉及外延生长技术领域，公开了一种外延石墨基座，包括基座本体以及多个载台；载台包括设置在载台内的多个控温凸台、设置在载台边缘处的多个载台台阶，载台具有一底面；多个载台台阶用于放置衬底，衬底面向载台的一面与底面之间的空间为隔温腔体；在竖直方向上，设置在载台内的多个控温凸台的的高度各不相同，以使衬底面向载台的一面与底面之间的隔温腔体成为不规则隔温腔体。本申请提供的外延石墨基座，通过多个控温凸台设置在载台内，设置在载台内的多个控温凸台的高度各不相同，使衬底与底面之间形成不同形状的不规则隔温腔体，以影响对应区域衬底与石墨基座间的温度；避免某个区域的外延片波长异常，提高整个外延片波长的均匀性。外延片波长的均匀性。外延片波长的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种外延石墨基座


[0001]本技术涉及外延生长
，尤其涉及一种外延石墨基座。

技术介绍

[0002]石墨基座是金属有机化合物化学气相沉积设备的一部分，气相外延广义上是化学气相沉积的一种特殊方式，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。气相外延生长常使用高频感应炉加热，衬底置于包有碳化硅、玻璃态石墨或热分解石墨的高纯石墨加热体上，然后放进石英反应器中。为了制备优质的外延层，必须保证原料的纯度。对于硅外延生长，氢气必须用钯管或分子筛等加以净化，使露点在
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7℃以下，还要有严密的系统，因微量水汽或氧的泄漏会产生有害的影响；为了获得平整的表面，衬底必须严格抛光并防止表面有颗粒或化学物质的沾污；在外延生长前，反应管内在高温下用干燥氯化氢、或溴化氢进行原位抛光，以减少层错缺陷；为了减少位错需避免衬底边缘损伤、热应力冲击等；为了得到重复均匀的厚度和掺杂浓度分布，还需控制温度分布和选择合适的气流模型。
[0003]现有技术中，普通SiC涂层石墨基座包括基座本体以及载台，但在实际工作过程中，由于载台本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延石墨基座，其特征在于，包括基座本体以及多个载台，多个所述载台设置在所述基座本体上；所述载台包括设置在所述载台内的多个控温凸台、以及设置在所述载台边缘处的多个载台台阶，所述载台具有一底面；多个所述载台台阶用于放置衬底，衬底具有面向所述载台的一面，衬底面向所述载台的一面与所述底面之间的空间为隔温腔体；在竖直方向上，所述载台的高度大于所述控温凸台的高度，设置在所述载台内的多个所述控温凸台的高度各不相同，以使衬底面向所述载台的一面与所述底面之间的隔温腔体成为不规则隔温腔体。2.如权利要求1所述的外延石墨基座，其特征在于，所述底面在任意水平面上的投影面积为20
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200mm2。3.如权利要求1所述的外延石墨基座，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁永红，周祖豪，雷宏涛，
申请(专利权)人：深圳市志橙半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：