一种优化气体流场的石墨基座制造技术

本实用新型专利技术提供了一种优化气体流场的石墨基座，包括石墨基座，所述石墨基座上设有晶圆凹槽，所述晶圆凹槽的槽口设有倒角，所述倒角的角度为3度～40度。本实用新型专利技术的有益效果是：通过优化的倒角过渡设计改善了由石墨基座流过晶圆的气体流场，能有效降低石墨基座的边缘效应导致产品报废的概率，显著提高晶圆薄膜均匀性，提升了芯片良率。

【技术实现步骤摘要】
一种优化气体流场的石墨基座
本技术涉及石墨基座，尤其涉及一种优化气体流场的石墨基座。
技术介绍
气相沉积的基本原理涉及反应化学、热力学、动力学、转移机理、膜生长现象和反应工程。主要以金属蒸汽、挥发性金属卤化物、氢化物或金属有机化合物等蒸汽为原料，进行气相热分解反应，以及两种以上单质或化合物的反应，再凝聚生成各种形态的材料。化学气相沉积工艺中，沉积薄膜的均匀性极为重要，薄膜的均匀性主要受到炉内气体分布的影响。化学气相沉积过程是一个极为复杂的化学过程，气体是否均匀分布会对工艺的沉积速率、膜层的致密性、薄膜均匀性等产生较大影响。通常来说化学气相沉积受气体流场等工艺因素影响均匀性难以保证，为了提高涂层均匀性一般采用石墨盘旋转工艺，可以达到稳定生产的目的。现有技术中，气体从石墨基座流到晶圆易引起紊流，导致晶圆产生边缘效应，从而影响晶圆生产的稳定性。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，本技术提供了一种优化气体流场的石墨基座。本技术提供了一种优化气体流场的石墨基座，包括石墨基座，所述石墨基座上设有晶圆凹槽，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种优化气体流场的石墨基座，其特征在于：包括石墨基座，所述石墨基座上设有晶圆凹槽，所述晶圆凹槽的槽口设有倒角，所述倒角的角度为3度～40度。/n

【技术特征摘要】
1.一种优化气体流场的石墨基座，其特征在于：包括石墨基座，所述石墨基座上设有晶圆凹槽，所述晶圆凹槽的槽口设有倒角，所述倒角的角...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄洪福，朱佰喜，
申请(专利权)人：深圳市志橙半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44