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本实用新型提供了一种优化气体流场的石墨基座，包括石墨基座，所述石墨基座上设有晶圆凹槽，所述晶圆凹槽的槽口设有倒角，所述倒角的角度为3度～40度。本实用新型的有益效果是：通过优化的倒角过渡设计改善了由石墨基座流过晶圆的气体流场，能有效降低石墨...
该专利属于深圳市志橙半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市志橙半导体材料有限公司授权不得商用。

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