一种电容器及其制备方法技术

本申请提供了一种电容器及其制备方法，该方法包括：提供具有多个第一凹槽的衬底；在衬底上依次形成第一绝缘层和电容器极板层，其中，位于第一凹槽内的第一绝缘层覆盖第一凹槽的底面及侧壁，且第一凹槽内形成有第二凹槽，电容器极板层的厚度大于第二凹槽的高度；对位于第二凹槽上方的电容器极板层进行刻蚀，形成贯穿电容器极板层的至少一个第三凹槽；以及在第三凹槽内以及电容器极板层上沉积第二绝缘层。层。层。

【技术实现步骤摘要】
一种电容器及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，更具体地，涉及电容器及其制备方法。

技术介绍

[0002]现有实践或在先技术中，PIP电容(Poly
‑
Insolator
‑
Poly，多晶硅
‑
介质层
‑
多晶硅)是集成电路中常用的无源器件，常用于射频和模拟电路中噪声发射与频率调制的器件。PIP电容具有由多晶硅形成的第一电极和第二电极，第一、第二电极之间的介电质由氮化硅或氧化硅构成。
[0003]现有工艺中，如果需要增大电容容量，往往采用加大两个电极的面积或减薄介电质层的厚度的方法。由于介电质层在一定厚度下，均匀性变差，所以一般采用增加两个电极的面积的方法。然而，现有技术中增加两个电极的面积，往往会显著地增加集成电路的面积，从而制约了半导体器件的小型化。因此，在不增加电容器尺寸的情况下，提高电容器的容量变得迫切而必要。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是为了解决上述现有技术的问题而提供的一种电容器的制备方法和电容器。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容器的制备方法，其特征在于，包括：提供具有多个第一凹槽的衬底；在所述衬底上依次形成第一绝缘层和电容器极板层，其中，位于所述第一凹槽内的所述第一绝缘层至少覆盖所述第一凹槽的底面及侧壁，且所述第一凹槽内形成有第二凹槽，所述电容器极板层的厚度大于所述第二凹槽的高度；对所述电容器极板层位于所述第二凹槽上方的部分进行刻蚀，形成贯穿所述电容器极板层的至少一个第三凹槽；以及在所述第三凹槽内以及所述电容器极板层上沉积第二绝缘层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成所述第一绝缘层包括：在所述衬底上沉积第一绝缘材料；对所述第一绝缘材料位于所述第一凹槽内的部分进行刻蚀，暴露出所述第一凹槽的部分侧壁，且所述第一绝缘材料位于所述第一凹槽内的的高度小于所述第一凹槽的高度，构成一高度差，所述高度差大于所述第二凹槽的高度；以及在所述衬底上沉积第二绝缘材料，所述第二绝缘材料覆盖所述第一凹槽中暴露出的部分侧壁以及所述第一绝缘材料，所述第二绝缘材料与所述第一凹槽内的所述第一绝缘材料形成所述第一绝缘层。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层材料不同。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述电容器极板层进行刻蚀之前，所述方法还包括：对所述电容器极板层进行平坦化处理。5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述多个第一凹槽具有至少两种宽度。6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，各个所述第一凹槽的宽度均相同。7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，各个所述第一凹槽的高度均相同。8.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述多个第三凹槽具有至少两种宽度。9...

【专利技术属性】
技术研发人员：周璐，张权，姚兰，高王荣，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：