一种智能功率模块制造技术

本实用新型专利技术提供一种智能功率模块，驱动芯片；引线框架，承载所述驱动芯片；若干功率芯片，每个所述功率芯片通过第一键合引线分别与所述驱动芯片对接；所述引线框架的边沿与至少一条所述第一键合引线相对的位置具有开槽，以使所述引线框架的边沿远离所述第一键合引线。在注塑时，当第一键合引线变形坍塌也不会与引线框架接触，不会造成短路等问题。不会造成短路等问题。不会造成短路等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种智能功率模块


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种智能功率模块。

技术介绍

[0002]目前市场上主流的IPM模块结构(即智能功率模块)为引线框架承载驱动回路，散热底板承载功率回路，驱动芯片和功率芯片使用键合引线互联。随着技术的发展，功率密度的提升愈发重要，智能功率模块越来越往小型化发展。IPM模块中驱动芯片与功率芯片的对接越来越多的采用直接引线键合的方式实现连接。由于驱动芯片的尺寸较小，驱动芯片表面引出的键合先一般智能使用金线或者银线等线径较小的键合引线。在功率模块封装中，与功率芯片的对接经常面临芯片间距大，键合点之间跨度大，距离长的问题。金线和银线等线径小的键合线在模块注塑成型的过程中，容易受到环氧树脂的冲击力造成引线形状坍塌，与引线框架短路，影响成品率。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中的不足，本技术提供一种智能功率模块，解决注塑时键合引线变形容易与引线框架接触导致短路等技术问题。
[0004]一种智能功率模块，包括：
[0005]驱动芯片；
[0006]引线框架，承载所述驱动芯片；
[0007]若干功率芯片，每个所述功率芯片通过第一键合引线分别与所述驱动芯片对接；
[0008]所述引线框架的边沿与至少一条所述第一键合引线相对的位置具有开槽，以使所述引线框架的边沿远离所述第一键合引线。
[0009]进一步的，所述引线框架的材质为金属。
[0010]进一步的，所述金属为铜。
[0011]进一步的，所述引线框架包括第一边沿，所述功率模块沿所述第一边沿排列成排；
[0012]进一步的，所述凹槽的形状为梯形形状。
[0013]进一步的，所述凹槽位于所述第一键合引线的下方。
[0014]进一步的，所述第一键合引线的材质为金或银。
[0015]进一步的，所述智能功率模块采用环氧树脂封装。
[0016]进一步的，所述驱动芯片为HVIC芯片。
[0017]进一步的，所述功率芯片为IGBT芯片。
[0018]本技术的有益技术效果在于：所述引线框架的边沿与至少一条所述第一键合引线相对的位置具有开槽，以使所述引线框架的边沿远离所述第一键合引线，这样在注塑时，当第一键合引线变形坍塌也不会与引线框架接触，不会造成短路等问题。
附图说明
[0019]图1为本技术一种智能功率模块的结构示意图。
[0020]其中，
[0021]1‑
引线框架；
[0022]2‑
驱动芯片；
[0023]3‑
功率芯片；
[0024]4‑
第一键合引线；
[0025]5‑
引脚；
[0026]6‑
开槽；
[0027]7‑
第二键合引线。
具体实施方式
[0028]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0029]需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0030]下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，但不作为本技术的限定。
[0031]参见图1，本技术提供一种智能功率模块，包括：
[0032]驱动芯片(2)；
[0033]引线框架(1)，承载所述驱动芯片(2)；
[0034]若干功率芯片(3)，每个所述功率芯片(3)通过第一键合引线(4)分别与所述驱动芯片(2)对接；
[0035]所述引线框架的边沿与至少一条所述第一键合引线(4)相对的位置具有开槽(6)，以使所述引线框架(1)的边沿远离所述第一键合引线(4)。
[0036]具体的，引线框架(1)包括承载驱动芯片的承载部分以及实现信号与功率回路的输入输出的若干引脚(5)，承载部分承载驱动芯片。驱动芯片(2)与功率芯片(3)的信号对接采用第一键合引线直接连接，最终通过注塑工艺封装成型。
[0037]具体的，驱动芯片(2)通过第二键合引线(7)与引脚(5)进行对接。引线框架1承载驱动芯片实现，引线框架(1)向外引出的引脚(5)作为驱动部分的输入输出接口。驱动芯片(2)与引线框架(1)通过第二键合引线(7)连接实现驱动回路对外的输入输出。驱动芯片(2)与功率芯片(3)通过第一键合引线(4)连接实现驱动功能。
[0038]具体的，驱动芯片(2)与功率芯片(3)的对接采用第一键合引线(4)直接连接的方式实现，驱动芯片(2)发出的门极信号发出直接经过第一键合引线(4)输入到功率芯片(3)的门极上。由于驱动芯片(2)需要对接到多颗功率芯片(3)，长度较长或者与注塑模流方向垂直的第一键合引线容易在注塑时被环氧树脂的模流冲塌，即因为被冲击产生一定的变形。因此，在引线框架与第一键合引线容易短路的位置提前开槽，预留给第一键合引线一定
的形变空间，第一键合引线在变形后，也不会与引线框架(1)短路，从而提升了产品的成品率与可靠性。如图1所示，两条平行的箭头方向为模块注塑时环氧树脂的流动方向，当IPM模块在注塑时，环氧树脂沿着箭头方向流动，第一键合引线受到环氧树脂的冲击力后向箭头方向发生变形，实线展示的是注塑前的驱动芯片(2)和功率芯片(3)互连的第一键合引线(4)位置，虚线表示注塑后受到环氧树脂的模流冲击后的第一键合引线的可能位置。因为为避免引线框架(1)与第一键合引线(4)碰撞而预留的开槽(6)，使得变形后的第一键合引线(4)不会与引线框架(1)短路，从而提升了产品的成品率与可靠性。
[0039]进一步的，所述引线框架(1)的材质为金属。
[0040]进一步的，所述金属为铜。
[0041]进一步的，所述引线框架(1)包括第一边沿，所述功率模块(3)沿所述第一边沿排列成排；
[0042]进一步的，所述开槽(6)的形状为梯形形状。
[0043]进一步的，所述开槽(6)位于所述第一键合引线(4)的下方。
[0044]进一步的，所述第一键合引线(4)的材质为金或银。
[0045]进一步的，所述智能功率模块采用环氧树脂封装。
[0046]进一步的，所述驱动芯片(2)为HVIC芯片。
[0047]进一步的，所述功率芯片(3)为IGBT芯片。
[0048]具体的，开槽设计在驱动芯片周围。驱动芯片采用裸晶芯片。
[0049]本技术提供一种结构合理、实现简便、可靠的设计，在引线框架容易与第一键合引线短路的位置预先开槽，配合调整驱动芯片的位置，使键合引线在被冲塌变形后也不会与引线框架短路，从而改善产品的良率和可靠性。
[0050]以上所述仅为本技术较佳的实施例，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种智能功率模块，其特征在于，包括：驱动芯片(2)；引线框架(1)，承载所述驱动芯片(2)；若干功率芯片(3)，每个所述功率芯片(3)通过第一键合引线(4)分别与所述驱动芯片(2)对接；所述引线框架的边沿与至少一条所述第一键合引线(4)相对的位置具有开槽(6)，以使所述引线框架(1)的边沿远离所述第一键合引线(4)。2.如权利要求1所述的一种智能功率模块，其特征在于，所述引线框架(1)的材质为金属。3.如权利要求2所述的一种智能功率模块，其特征在于，所述金属为铜。4.如权利要求1所述的一种智能功率模块，其特征在于，所述引线框架(1)包括第一边沿，所述功率芯片(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宇航，戴志展，许青青，
申请(专利权)人：嘉兴斯达微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：