用于漂移补偿的光刻装置和方法制造方法及图纸

本文描述了一种系统、方法、光刻装置和软件产品，被配置为确定照射的属性的漂移和对应的漂移校正。该系统包括光刻装置，该光刻装置包括至少两个传感器，每个传感器被配置为测量与被设置为用于对衬底进行成像的照射区域有关的特性。更进一步地，处理器被配置为：基于所测量的特性的比例，确定照射区域相对于参考位置的漂移；基于照射区域的漂移，确定由至少两个传感器所测量的与照射区域上游的照射有关的属性的漂移；并且基于属性的所述漂移，确定要应用于属性以补偿属性的漂移的漂移校正。要应用于属性以补偿属性的漂移的漂移校正。要应用于属性以补偿属性的漂移的漂移校正。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于漂移补偿的光刻装置和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年1月14日提交的美国临时专利申请号62/960,859的优先权，其全部内容通过引入并入本文。


[0003]本专利技术涉及一种光刻装置和照射均匀性校正系统。本专利技术一般涉及光刻，更具体涉及一种用于补偿均匀性漂移的系统和方法，该均匀性漂移由(例如)照射射束移动、光学柱均匀性、均匀性补偿器漂移等引起。

技术介绍

[0004]光刻装置是将期望图案施加到衬底的目标部分上的机器。光刻装置可以用于例如制造集成电路(IC)。在该情况下，图案形成装置(其可替代地称为掩模或掩模版)可以用于生成与IC的各个层相对应的电路图案，并且该图案可以被成像到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或几个管芯的一部分)上，该衬底具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层。一般而言，单个衬底包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性曝光到目标部分上来辐射每个目标部分；以及所谓的扫描器，其中通过由给定方向(“扫描”方向)上的射束来扫描图案，同时平行或反平行于该方向同步扫描衬底，从而辐射每个目标部分。
[0005]光刻装置通常包括照射系统，该照射系统被布置为在辐射被入射到图案形成装置上之前调节由辐射源生成的辐射。照射系统可以例如修改辐射的一个或多个特性，诸如偏振和/或照射模式。该照射系统可以包括均匀性校正系统，该均匀性校正系统被布置为校正或减小辐射中存在的不均匀性，例如，强度不均匀性。均匀性校正设备可以采用插入到辐射射束的边缘的致动指状物，来校正强度变化。然而，可以被校正的强度变化的空间时段的宽度取决于致动设备的尺寸，该致动设备用于移动均匀性校正系统的指状物。更进一步地，在一些示例中，如果用于校正辐射射束的不规则性的指状物的尺寸或形状被修改，则均匀性校正系统可能以非想要方式损害或修改辐射射束的一个或多个特性，诸如由辐射射束形成的光瞳。
[0006]为了降低IC的制造成本，通常使每个IC的多个衬底曝光。同样，通常光刻装置几乎处于持续的使用中。也就是说，为了将所有类型的IC的制造成本保持在可能最小值，还使衬底曝光之间的空闲时间最小。因此，光刻装置吸收热量，该热量引起装置的部件膨胀，导致漂移、移动和均匀性改变。
[0007]为了确保图案形成装置和衬底上的良好成像质量，维持照射射束的受控均匀性。也就是说，在反射离开图案形成装置或透射穿过图案形成装置之前的、照射射束可能具有不均匀的强度分布。期望在整个光刻过程中，以至少一些均匀性来控制照射射束。均匀性可能是指跨越整个照射射束的恒定强度，而且还可能是指将照射控制到目标照射的能力。目标照射均匀性具有平坦或非平坦轮廓。图案形成装置将图案赋予辐射射束，然后将图案成
像到衬底上。该经投影的辐射射束的图像质量受照射射束的均匀性影响。
[0008]市场要求光刻装置尽可能有效地执行光刻过程，以使制造能力最大并且保持每个器件的低成本。这意味着将制造缺陷保持到最小，这就是为什么照射射束的均匀性的影响可以尽可能地最小化的原因。

技术实现思路

[0009]在一个实施例中，提供了一种系统，所述系统包括：光刻装置，该光刻装置包括至少两个传感器，每个传感器被配置为测量与被设置为用于对衬底进行成像的照射区域有关的特性；以及处理器，被配置为确定与照射有关的属性的漂移。处理器被配置为：基于由传感器中的一个传感器所测量的经测量的特性相对于另一传感器所测量的经测量的特性的比例，确定照射区域相对于参考位置的漂移；基于照射区域的漂移，确定由至少两个传感器测量的与照射区域上游的照射有关的属性的漂移，并且基于属性的漂移，确定要应用于属性以补偿属性的漂移的漂移校正。
[0010]在一个实施例中，提供了一种确定与光刻装置相关联的漂移校正的方法。该方法包括：经由至少两个传感器接收与被设置为用于对衬底进行成像的照射区域有关的特性的测量；基于所测量的特性的比例，确定照射区域相对于参考位置的漂移；基于照射区域的漂移，确定由至少两个传感器所测量的与照射区域上游的照射有关的属性的漂移；以及基于属性的漂移，确定要应用于属性以补偿属性的漂移的漂移校正。
[0011]更进一步地，在一个实施例中，提供了一种非暂态计算机可读介质，包括指令，这些指令在由一个或多个处理器执行时，引起本文中所讨论的方法的操作。
[0012]更进一步地，在一个实施例中，提供了一种光刻装置。装置包括：照射源和照射光学器件，该照射光学器件被配置为对衬底进行成像；以及至少两个传感器，该至少两个传感器被配置为测量与被设置为用于对衬底进行成像的照射区域有关的特性；以及处理器，被配置为确定与照射有关的属性的漂移。处理器被配置为：基于所测量的特性的比例，确定照射区域相对于参考位置的漂移；基于照射区域的漂移，确定由至少两个传感器所测量的与照射区域上游的照射有关的属性的漂移；并且基于属性的漂移，确定要应用于属性以补偿属性的漂移的漂移校正。还提供了一种均匀性补偿器系统，包括位于照射区域的路径中的一个或多个位置处的一个或多个均匀性补偿器，以在一个或多个位置处截取照射区域的一个或多个对应部分。均匀性灵敏度模型基于照射区域的漂移或属性的漂移，来确定对一个或多个均匀性补偿器的调整量，以校正属性的漂移。
附图说明
[0013]现在，参考附图，仅通过示例对实施例进行描述，在这些附图中：
[0014]图1是根据实施例的示例性光刻投影装置的图；
[0015]图2是根据实施例的另一示例性光刻装置；
[0016]图3示出了根据实施例的关于照射射束狭缝的均匀性补偿器的示例；
[0017]图4图示了根据实施例的光刻装置(例如，图1和图2)的照射中的、两个传感器相对于彼此和相对于能量传感器的示例位置；
[0018]图5是根据实施例的用于确定与晶片或批次内的每个晶片的成像相关联的漂移校
正的方法的流程图；
[0019]图6是根据实施例的示例性计算机系统的框图；
[0020]图7是根据实施例的示例性极紫外(EUV)光刻投影装置的图；
[0021]图8是根据实施例的图7中的示例性装置的更详细视图；以及
[0022]图9是根据实施例的图7和图8的装置的源收集器模块的更详细视图。
具体实施方式
[0023]图1描绘了根据本专利技术的实施例的可以与本文中所描述的技术结合使用的示例性光刻投影装置。该装置包括：
[0024]‑
照射系统IL，用于调节辐射射束B。在该特定情况下，照射系统还包括辐射源SO；
[0025]‑
第一对象台(例如，图案形成装置台)MT，设有图案形成装置保持器，以保持图案形成装置MA(例如，掩模版)，并且连接到第一定位器，以相对于物品PS准确定位图案形成装置；
[0026]‑
第二对象台(衬底台)WT，设有衬底保持器以保持衬底W(例如，涂覆有抗蚀剂的硅晶片)，并且连接到第二定位器以相对于物品PS准确定位衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种系统，包括：光刻装置，包括至少两个传感器，每个传感器被配置为测量与被设置为用于对衬底进行成像的照射区域有关的特性；以及处理器，被配置为：基于由所述传感器中的一个传感器所测量的经测量的特性相对于另一传感器所测量的经测量的特性的比例，确定所述照射区域相对于参考位置的漂移；基于所述照射区域的所述漂移，确定由所述至少两个传感器测量的与所述照射区域上游的照射有关的属性的漂移，并且基于所述属性的所述漂移，确定要应用于所述属性以补偿所述属性的所述漂移的漂移校正。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述漂移校正使用均匀性补偿器系统来确定，其中所述均匀性补偿器系统包括在所述照射区域的路径中的一个或多个位置中的一个或多个均匀性补偿器，以在所述一个或多个位置中截取所述照射区域的一个或多个对应部分，并且其中所述均匀性灵敏度模型基于所述照射区域的所述漂移或所述属性的所述漂移来确定对所述一个或多个均匀性补偿器的调整量，以校正所述属性的所述漂移。3.根据权利要求2所述的系统，其中所述一个或多个均匀性补偿器包括一个或多个不透明指状物构件。4.根据权利要求1至3中任一项所述的系统，其中所述属性的所述漂移由照射光学器件收集器污染和照射源的功率量中的一者或两者引起。5.根据权利要求1至4中任一项所述的系统，其中针对批次内的每...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：