一种单晶炉温控保护开关制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单晶炉温控保护开关，包括连接线本体，连接线本体的一端设置有连接端头，连接线本体远离连接端头的一端设置有控制端头，控制端头远离连接线的一端设置有感温导热块，感温导热块远离连接线的一侧开设有螺纹孔，控制端头内设置有双金属片，双金属片的一端与感温导热块相连接，连接线本体包括零线和火线，双金属片远离控制端头的一端与火线相接触，零线与感温导热块相连接，双金属片通过两种热膨胀系数不同的金属片重叠制作而成，火线与热膨胀系数更低的金属片相接触。本实用新型专利技术通过感温导热块感应单晶炉的温度，当温度达到双金属片的动作范围时，双金属片在内应力的作用下断开电路，避免单晶炉继续升温。避免单晶炉继续升温。避免单晶炉继续升温。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉温控保护开关


[0001]本技术涉及温控开关
，尤其涉及一种单晶炉温控保护开关。

技术介绍

[0002]多晶硅是生产太阳能光伏产品和半导体产品的主要原材料。丘克拉尔斯基(Czochralski，简称：Cz)法是制备单晶硅最常用的方法之一，高纯度固态多晶硅原料在晶体生长炉(即单晶炉)的坩埚中熔化形成熔体，通过籽晶提拉机构下降籽晶使其与旋转坩埚中的熔融状态下的熔体接触，然后，将籽晶按照一定的工艺方法提拉出，熔体围绕籽晶凝固形成单晶硅棒。
[0003]传统的Cz单晶炉在正式开始拉晶之前，需要对温度的调整做很多繁杂的工作，包括熔化多晶硅物料、温度保持、籽晶浸入熔池、观察籽晶头形状和颜色变化、引颈等。由于无法得知拉晶炉内准确的温度以及熔池温度的分布，故需要大量的时间进行等待。这些工序费时费力，严重延长的单晶硅生产的时间，制约了直拉式单晶硅的生产效率。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是提供一种单晶炉温控保护开关，通过控制端头一侧的感温导热块与单晶炉相连接，连接完成后单晶炉的温度通过感温导热块传递到双金属片上，当达到双金属片的动作温度时，双金属片受热后由于膨胀系数不同，虽然升高的温度相通，但膨胀系数高的金属片伸长量大，于是双金属片向膨胀系数更高一侧的金属片弯曲，在内应力的作用下双金属片与火线断开连接，使火线和零线形成断路，停止对单晶炉进行加热，当双金属片冷却之后回复竖直状态，与火线相接触，继续传导电流，方便进行控温。
[0005]本技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种单晶炉温控保护开关，包括连接线本体，所述连接线本体的一端设置有连接端头，其特征在于，所述连接线本体远离连接端头的一端设置有控制端头，所述控制端头远离连接线的一端设置有感温导热块，所述感温导热块远离连接线的一侧开设有螺纹孔，所述控制端头内设置有双金属片，所述双金属片的一端与感温导热块相连接，所述连接线本体包括零线和火线，所述双金属片远离控制端头的一端与火线相接触，所述零线与感温导热块相连接，所述双金属片通过两种热膨胀系数不同的金属片重叠制作而成，所述火线与热膨胀系数更低的金属片相接触。
[0006]通过上述技术方案，通过控制端头一侧的感温导热块与单晶炉相连接，连接完成后单晶炉的温度通过感温导热块传递到双金属片上，当达到双金属片的动作温度时，双金属片受热后由于膨胀系数不同，虽然升高的温度相通，但膨胀系数高的金属片伸长量大，于是双金属片向膨胀系数更高一侧的金属片弯曲，在内应力的作用下双金属片与火线断开连接，使火线和零线形成断路，停止对单晶炉进行加热，当双金属片冷却之后回复竖直状态，与火线相接触，继续传导电流，方便进行控温。
[0007]本技术还进一步设置为：所述连接线本体的长度为100
‑
150mm。
[0008]通过上述技术方案，可以根据单晶炉的不同进行定制，保证温控效果。
[0009]本技术还进一步设置为：所述火线和零线的外侧包裹有隔热绝缘层。
[0010]通过上述技术方案，增加火线和零线的耐高温效果。
[0011]本技术还进一步设置为：所述双金属片有三种，三种所述双金属片的动作温度范围分别为40
‑
70℃、110
‑
140℃、250
‑
280℃。
[0012]通过上述技术方案，可以根据客户的需求进行定制，方便适用于不同温度的单晶炉。
[0013]本技术还进一步设置为：两种所述金属片分别为铜片和铁片，所述铜片与火线相接触。
[0014]通过上述技术方案，由于铜的热膨胀系数比铁的大，当加热双金属片时，虽然升高的温度相同，但铁片的伸长量大，于是双金属片向铁片一侧弯曲，使铜片与火线断开连接，使单晶炉断路。
[0015]本技术还进一步设置为：所述控制端头内开设有两个限制槽，所述火线和零线分别设于两个限制槽内。
[0016]通过上述技术方案，两个分开的限制槽可以限制火线和零线的移动，避免受到外力后火线和零线相接触导致断路，提升安全性。
附图说明
[0017]图1为本技术的结构示意图；
[0018]图2为本技术的侧视图；
[0019]图3为本技术图2中A
‑
A方向的剖视图。
[0020]图中标号含义：1、火线；2、零线；3、连接端头；4、控制端头；5、感温导热块；6、螺纹孔；7、铁片；8、铜片；9、隔热绝缘层。
具体实施方式
[0021]下面结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。
[0022]以下参考图1至图3对本技术进行说明。
[0023]如图1和图3所示，一种单晶炉温控保护开关，包括连接线本体，连接线本体的长度为135mm，连接线本体的长度可以根据客户的需求进行定制。连接线本体的一端设置有连接端头3，连接端头3用于连通电路。连接线本体远离连接端头3的一端设置有控制端头4，控制端头4远离连接线的一端设置有感温导热块5。感温导热块5远离连接线的一侧开设有螺纹孔6，感温导热块5与单晶炉相连接，方便传导单晶炉的温度。控制端头4内设置有双金属片，双金属片的一端与感温导热块5相连接，感温导热块5可以把温度传导给双金属片。连接线本体包括零线2和火线1，双金属片远离控制端头4的一端与火线1相接触。零线2与感温导热块5相连接。双金属片用于传导双金属片通过两种热膨胀系数不同的金属片重叠制作而成，具有三种双金属片，三种双金属片的动作温度分别为55℃、125℃和265℃，可以根据客户的需求进行定制。其中一组双金属片的两个金属片分别为铜片8和铁片7，铜片8与火线1相接触。由于铜的热膨胀系数比铁的大，当加热双金属片时，虽然升高的温度相同，但铁片7的伸
长量大，于是双金属片向铁片7一侧弯曲，使铜片8与火线1断开连接，使单晶炉断路，避免单晶炉温度继续上升，方便进行温控保护。
[0024]如图3所示，本实施例中，控制端头4内开设有两个限制槽，火线1和零线2分别设于两个限制槽内。通过两个限制槽把火线1和零线2分隔开来，避免受到外力后火线1和零线2相接触导致断路。火线1和零线2的外侧包裹有隔热绝缘层9，增加火线1和零线2的耐高温效果。
[0025]以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，上述假设的这些改进和变型也应视为本技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉温控保护开关，包括连接线本体，所述连接线本体的一端设置有连接端头(3)，其特征在于，所述连接线本体远离连接端头(3)的一端设置有控制端头(4)，所述控制端头(4)远离连接线的一端设置有感温导热块(5)，所述感温导热块(5)远离连接线的一侧开设有螺纹孔(6)，所述控制端头(4)内设置有双金属片，所述双金属片的一端与感温导热块(5)相连接，所述连接线本体包括零线(2)和火线(1)，所述双金属片远离控制端头(4)的一端与火线(1)相接触，所述零线(2)与感温导热块(5)相连接，所述双金属片通过两种热膨胀系数不同的金属片重叠制作而成，所述火线(1)与热膨胀系数更低的金属片相接触。2.根据权利要求1所述的一种单晶炉温控保护开关，其特征是：所述连接线本体的长度为100
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【专利技术属性】
技术研发人员：孙明，
申请(专利权)人：绍兴赛致捷机电设备有限公司，
类型：新型
国别省市：