一种改进封装热阻的MOSFET封装结构及压模头制造技术

本申请公开了一种改进封装热阻的MOSFET封装结构及压模头，属于半导体技术领域，封装结构包括引线框、壳体、晶体管、粘接层、第一引脚、第二引脚、第一引线组以及第二引线组。壳体盖接在引线框上方形成安装腔，粘接层和晶体管沿引线框朝向壳体的方向依次设置，多个第一引脚和多个第二引脚分别设置于壳体的两侧，晶体管分别通过第一引线组和第二引线组与第一引脚和第二引脚形成连接，以便于通过引脚进行散热。本实用新型专利技术公开的晶体管封装结构通过第一引脚和第二引脚的设置能够很好的对晶体管进行快速散热，从而保证晶体管始终在一定温度范围内工作，进而保证晶体管的工作效率，晶体管在较低的温度内工作还可以有效的延长其使用寿命。寿命。寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种改进封装热阻的MOSFET封装结构及压模头


[0001]本技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种改进封装热阻的MOSFET封装结构及压模头。

技术介绍

[0002]目前，使用诸如SiMOSFET或者IGBT的硅基晶体管来设计大多数高电压开关电路。
[0003]晶体管在工作时会产生大量的热量，现有的封装结构不能很好的对晶体管进行散热，致使晶体管的使用寿命低且工作一段时间后效率开始降低。

技术实现思路

[0004]本技术公开了一种改进封装热阻的MOSFET封装结构及压模头，以改善上述的问题。
[0005]本技术解决上述技术问题所采用的技术方案是：
[0006]基于上述的目的，本技术公开了一种改进封装热阻的MOSFET封装结构，包括：
[0007]引线框；
[0008]壳体，所述壳体盖接于所述引线框，在所述壳体与所述引线框之间形成安装腔；
[0009]晶体管，所述晶体管安装于所述引线框，且所述晶体管位于所述安装腔内；
[0010]粘接层，所述粘接层位于所述晶体管和所述引线框之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改进封装热阻的MOSFET封装结构，其特征在于，包括：引线框；壳体，所述壳体盖接于所述引线框，在所述壳体与所述引线框之间形成安装腔；晶体管，所述晶体管安装于所述引线框，且所述晶体管位于所述安装腔内；粘接层，所述粘接层位于所述晶体管和所述引线框之间；第一引脚、第二引脚，所述第一引脚自所述安装腔内向外延伸，且所述第二引脚自所述安装腔内向外延伸；以及第一引线组、第二引线组，所述晶体管通过所述第一引线组与所述第一引脚以及所述引线框连接，所述第二引脚通过所述第二引线组与所述晶体管以及所述引线框连接。2.根据权利要求1所述的MOSFET封装结构，其特征在于，所述第一引线组包括第一引线和第二引线，所述第一引线的两端分别与所述晶体管和所述第一引脚连接，所述第二引线的两端分别与所述晶体管和所述引线框连接；所述第二引线组包括第三引线和第四引线，所述第三引线的两端分别与所述晶体管和所述第二引脚连接，所述第四引线的两端分别与所述第二引脚和所述引线框连接。3.根据权利要求1
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2任一项所述的MOSFET封装结构，其特征在于，所述引线框上设置有定位块，所述壳体上设置有定位槽，所述定位槽与所述定位块卡接配合。4.根据权利要求3所述的MOSFET封装结构，其特征在于，所述壳体上设置有通孔，所述通孔设置于所述壳体的侧壁，且所述通孔与所述安装腔连通，所述定位槽位于所述壳体的顶壁，且所述定位槽与所述安装腔连通，所述第一引脚和所述第二引脚分别安装于相对的所述通孔内。5.根据权利要求4所述的MOSFET封装结构，其特征在于，所述通孔设置为多个，多个所述通孔分别设置在所述壳体相对的两个侧壁上，多个所述通孔与多个所...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐银森，林毛毛，廖波，
申请(专利权)人：四川遂宁市利普芯微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：