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本申请公开了一种改进封装热阻的MOSFET封装结构及压模头,属于半导体技术领域,封装结构包括引线框、壳体、晶体管、粘接层、第一引脚、第二引脚、第一引线组以及第二引线组。壳体盖接在引线框上方形成安装腔,粘接层和晶体管沿引线框朝向壳体的方向依次...该专利属于四川遂宁市利普芯微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过四川遂宁市利普芯微电子有限公司授权不得商用。
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本申请公开了一种改进封装热阻的MOSFET封装结构及压模头,属于半导体技术领域,封装结构包括引线框、壳体、晶体管、粘接层、第一引脚、第二引脚、第一引线组以及第二引线组。壳体盖接在引线框上方形成安装腔,粘接层和晶体管沿引线框朝向壳体的方向依次...