DrMos制造技术

本实用新型专利技术公开了一种DrMos，其特征在于，所述DrMos包括：引线框架、铜柱，所述铜柱具有相对的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面与所述引线框架通过锡膏焊接，所述第二侧面用于与电感电性连接，所述第一侧面上设置有用于排出锡膏内气泡的排气槽。由此，避免了气泡因不能排出而出现碰撞或剧烈运动的现象，减少了气泡碰撞或剧烈运动导致锡膏飞溅的几率，避免沾污引线框架的其它位置，保证了引线框架的清洁度，提高了键合打线的顺畅度，并且气泡通过排气槽排出铜柱，不会影响铜柱的位置，提高了铜柱的贴装精度，降低了切割时误切割到铜柱的几率，使得铜柱的第二侧面与电感连接的更加充分，提高了二者的结合度。提高了二者的结合度。提高了二者的结合度。

【技术实现步骤摘要】
DrMos


[0001]本技术涉及半导体封装
，尤其是涉及一种DrMos。

技术介绍

[0002]DrMos属于服务器主板节能技术，其是把驱动电路和MOS管集成在一起，得到很低的引线电阻和电感，其散热能力很强，应用DrMOS的主板能拥有节能、高效能超频、低温等特色。
[0003]DrMos与电感结合能够组成大电流模块，现有技术中通常利用铜柱贴装技术，并通过锡膏粘接铜柱与电感的方式实现DrMos与电感的连接，此方式中铜柱安装在框架上，二者之间同样使用锡膏粘接，铜柱与框架之间的锡膏在回流过程中产生气泡，由于铜柱质量与体积较大，且铜柱的表面与芯片的纹路相似，气泡无法及时排出，气泡随着锡膏运动而剧烈运动，易发生炸锡的情况，影响键合打线，并且气泡运动带动铜柱运动，导致铜柱与电感结合度低，不利于铜柱与电感连接。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种DrMos，所述DrMos的键合打线的作业效率更高，铜柱与电感的贴装精度更高。
[0005]根据本申请实施例的DrMos，包括：引线框架、铜柱，所述铜柱具有相对的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面与所述引线框架通过锡膏焊接，所述第二侧面用于与电感电性连接，所述第一侧面上设置有用于排出锡膏内气泡的排气槽。
[0006]根据本申请实施例的DrMos，通过在第一侧面上设置排气槽，第一侧面与引线框架之间的锡膏在回流焊的过程中产生的气泡进入排气槽内，并通过排气槽排出铜柱，避免气泡因不能排出而出现碰撞或剧烈运动的现象，减少了气泡碰撞或剧烈运动导致锡膏飞溅的几率，避免沾污引线框架的其它位置，保证了引线框架的清洁度，提高了键合打线的顺畅度，并且气泡通过排气槽排出铜柱，不会影响铜柱的位置，提高了铜柱的贴装精度，降低了切割时误切割到铜柱的几率，使得铜柱的第二侧面与电感连接的更加充分，提高了二者的结合度。
[0007]在一些实施例中，所述排气槽为多个，多个所述排气槽在所述第一侧面呈网格状分布且彼此连通。
[0008]具体地，所述排气槽的槽深为10μm
‑
50μm。
[0009]在一些实施例中，所述铜柱包括：第一板部和第二板部，所述第一板部与所述第二板部相连，且所述第一板部和所述第二板部背离彼此的侧面分别为所述第一侧面和所述第二侧面，所述第一板部在高度方向上的投影面积小于所述第二板部的投影面积。
[0010]具体地，所述引线框架包括：本体以及设置在本体周侧的多个引脚，所述铜柱设置在所述本体上。
[0011]在一些实施例中，所述DrMos还包括：芯片，所述本体上的至少部分形成为载片台，
所述芯片以及所铜柱均设置在所述载片台上，且所述引脚与所述芯片通过引线连接。
[0012]具体地，所述载片台上涂覆有金属涂层，所述金属涂层的化学稳定性高于所述本体材料的金属稳定性。
[0013]在一些实施例中，所述DrMos还包括：封装体，所述芯片、所述引线框架以及所述铜柱均被所述封装体固定，且所述第二侧面、所述引脚分别伸出所述封装体。
[0014]具体地，所述铜柱设置在所述本体的周侧，所述铜柱之间限定出芯片区，所述芯片设置在所述芯片区内。
[0015]进一步地，所述铜柱构造为棱柱体，且所述铜柱的边角区域圆弧过度。
[0016]本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0017]本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0018]图1是根据本申请实施例的DrMos的铜柱的结构示意图；
[0019]图2是根据本申请实施例的DrMos的结构示意图；
[0020]图3是根据本申请实施例的DrMos的铜柱与电感的连接示意图；
[0021]图4是根据本申请实施例的DrMos的铜柱与电感的另一个角度的连接示意图。
[0022]附图标记：
[0023]DrMos100，
[0024]引线框架10，本体11，载片台111，引脚12，
[0025]铜柱20，第一板部21，排气槽211，第二板部22，
[0026]芯片30，
[0027]封装体40，
[0028]电感200。
具体实施方式
[0029]下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
[0030]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0031]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是
两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0032]下面参考图1
‑
图4描述根据本申请实施例的DrMos100。
[0033]如图1
‑
图4所示，根据本申请实施例的DrMos100，包括：引线框架10、铜柱20。
[0034]其中，铜柱20具有相对的第一侧面和第二侧面，第一侧面与引线框架10通过锡膏焊接，第二侧面用于与电感200电性连接，第一侧面上设置有用于排出锡膏内气泡的排气槽211。
[0035]铜柱20设置在电感200与引线框架10之间，引线框架10位于铜柱20的下方，电感200位于铜柱20的上方，铜柱20靠近引线框架10的一侧为铜柱20的第一侧面，铜柱20靠近电感200的一侧为铜柱20的第二侧面，在高度方向上，第二侧面位于第一侧面上方，第一侧面与第二侧面相对设置。
[0036]铜柱20固定设置在引线框架10的上表面上，可以使用焊接的方式将二者固定连接，例如，铜柱20的第一侧面可使用锡膏与对应的引线框架10的上表面固定连接，第一侧面与对应的引线框架10的上表面之间通过锡膏的回流焊焊接，从而实现铜柱20与引线框架10的电连接；铜柱20与电感200连接，铜柱20的第二侧面通过使用锡膏与电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DrMos，其特征在于，包括：引线框架；铜柱，所述铜柱具有相对的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面与所述引线框架通过锡膏焊接，所述第二侧面用于与电感电性连接，所述第一侧面上设置有用于排出锡膏内气泡的排气槽。2.根据权利要求1所述的DrMos，其特征在于，所述排气槽为多个，多个所述排气槽在所述第一侧面呈网格状分布且彼此连通。3.根据权利要求2所述的DrMos，其特征在于，所述排气槽的槽深为10μm
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50μm。4.根据权利要求1所述的DrMos，其特征在于，所述铜柱包括：第一板部和第二板部，所述第一板部与所述第二板部相连，且所述第一板部和所述第二板部背离彼此的侧面分别为所述第一侧面和所述第二侧面，所述第一板部在高度方向上的投影面积小于所述第二板部的投影面积。5.根据权利要求1所述的DrMos，其特征在于，所述引线框架包括：本体以及设置在本体周侧的多个引脚，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱朋成，顾夏茂，黄二锋，袁星，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：