引线框架、半导体封装结构、半导体封装方法技术

本发明专利技术提供一种引线框架、半导体封装结构、半导体封装方法，所述引线框架具有基岛，所述基岛具有用以贴装芯片的贴片区、位于所述贴片区与所述基岛的边缘之间的封装区；所述引线框架还包括设于所述封装区的钝化层，所述钝化层位于所述贴片区的至少一侧；能够减小回流焊过程中锡膏外溢的风险，达到不依赖钝化层的厚度即可阻挡锡膏向外扩散的效果。度即可阻挡锡膏向外扩散的效果。度即可阻挡锡膏向外扩散的效果。

【技术实现步骤摘要】
引线框架、半导体封装结构、半导体封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种引线框架、具有该引线框架的半导体封装结构、半导体封装方法。
[0002]背景
[0003]半导体封装结构通常是将芯片贴装于引线框架上，在将芯片与引脚打线连接后以塑封料封装成型。其中，芯片的贴装工艺为先在基岛上点胶(锡膏)，然后装片，再进行回流焊。在回流焊的过程中，由于金属受浸润属性以及锡膏的扩散性，锡膏会向基岛边缘扩散焊接，一方面，若是基岛边缘较窄，则锡膏会扩散至基岛侧面，导致后续封装异常；另一方面，一般的功率器件锡膏的厚度标准为15～50μm，而回流焊过程中锡膏的扩散会导致芯片下方的锡膏厚度降低破下限，影响最终产品的散热性能和电性能。
[0004]现有的改善方案包括：1、在锡膏成分中增加锡珠，但是，回流焊后芯片下方的锡膏厚度无明显增加；2、如图1所示，在基岛1
’
的贴片区的边缘设置阻胶槽11
’
，但是，因为要兼顾引线框架的强度，阻胶槽11
’
只能设计的很浅，且阻胶槽11
’
改变不了金属受浸润属性，如图2所示，回流焊后，锡膏20
’
会覆盖阻胶槽11
’
并继续向基岛1
’
边缘扩散焊接，阻胶效果不明显，无法解决回流焊后芯片30
’
下方锡膏偏薄的问题；3、在基岛的贴片区的边缘设置阻胶墙，同理，阻胶墙改变不了金属受浸润属性，锡膏会经阻胶墙并继续向基岛边缘扩散焊接，阻胶效果不明显，仍然无法根本解决回流焊后芯片下方锡膏偏薄的问题。
[0005]有鉴于此，有必要提供一种新的引线框架、半导体封装结构、半导体封装方法以解决上述问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种引线框架、具有该引线框架的半导体封装结构、半导体封装方法。
[0007]为实现上述专利技术目的，本专利技术采用如下技术方案：一种引线框架，具有基岛，所述基岛具有用以贴装芯片的贴片区、位于所述贴片区与所述基岛的边缘之间的封装区；所述引线框架还包括设于所述封装区的钝化层，所述钝化层位于所述贴片区的至少一侧。
[0008]作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述引线框架还包括引脚，所述钝化层设于位于所述引脚所在侧的所述封装区内。
[0009]作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述钝化层环绕所述贴片区设置。
[0010]作为本专利技术进一步改进的技术方案，位于所述贴片区相邻侧的两个所述钝化层分段设置或一体设置。
[0011]作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述封装区凹设有阻胶槽，所述钝化层设于所述阻胶槽内。
[0012]作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述封装区凸设有阻胶墙，所述钝化层设于所述阻胶墙的上表面。
[0013]作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述芯片的厚度为h，所述钝化层的宽度d≥
0.8h。
[0014]为实现上述专利技术目的，本专利技术还提供一种半导体封装结构，包括上述的引线框架。
[0015]为实现上述专利技术目的，本专利技术还提供一种半导体封装方法，包括如下步骤：
[0016]提供在基岛的封装区具有钝化层的引线框架，所述封装区位于所述基岛的贴片区与所述基岛的边缘之间；
[0017]在贴片区点锡膏，并在锡膏上放置芯片；
[0018]进行回流焊。
[0019]作为本专利技术进一步改进的技术方案，所述钝化层环绕所述贴片区设置。
[0020]本专利技术的有益效果是：本专利技术中的引线框架，通过在贴片区的至少一侧设置钝化层，在贴片完成进行回流焊的过程中，线芯片下方的锡膏向外扩散至所述钝化层所在的位置时，因锡膏与钝化层之间无法实现焊接，故，位于钝化层处的锡膏不会继续向外扩散，且在锡膏自身的内聚力的作用下，锡膏会向内团聚至贴片区内。从而，能够减小回流焊过程中锡膏外溢的风险，达到不依赖钝化层的厚度即可阻挡锡膏向外扩散的效果。
附图说明
[0021]图1所示为现有技术中带有阻胶槽的引线框架装片后回流焊前的剖视图；
[0022]图2所示为图1中的带有阻胶槽的引线框架装片后回流焊后的剖视图；
[0023]图3为本专利技术第一实施方式中的引线框架的结构示意图；
[0024]图4为图3中A
‑
A向的剖视图；
[0025]图5为在图3所示的引线框架上装片且回流焊后的剖视图；
[0026]图6为本专利技术第二实施方式中的引线框架的结构示意图；
[0027]图7为本专利技术第三实施方式中的引线框架的剖视图；
[0028]图8为在图7所示的引线框架上装片且回流焊后的剖视图；
[0029]图9为本专利技术第四实施方式中的引线框架的剖视图；
[0030]图10为在图9所示的引线框架上装片且回流焊后的剖视图；
[0031]图11为本专利技术中的半导体封装结构的剖视图；
[0032]图12(a)～图12(e)为本专利技术中的半导体封装方法的步骤图。
具体实施方式
[0033]以下将结合附图所示的各实施方式对本专利技术进行详细描述，请参照图3
‑
图12所示，为本专利技术的较佳实施方式。但应当说明的是，这些实施方式并非对本专利技术的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本专利技术的保护范围之内。
[0034]请参图3
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图4所示，本专利技术提供一种引线框架10，所述引线框架10具有基岛1以及引脚2。本领域技术人员可以理解的是，所述引线框架10可以包含复数个框架单元，每一所述框架单元包括所述基岛1及引脚2。在图中，仅示意性示出了一个所述框架单元。
[0035]所述基岛1具有用以贴装芯片的贴片区12、位于所述贴片区12与所述基岛1的边缘之间的封装区13，所述封装区13即指所述基岛1上位于所述贴片区12的周侧的区域，在后续进行半导体封装时，塑封料遮蔽所述封装区13。
[0036]所述引线框架10还包括设于所述封装区13的钝化层3，所述钝化层3位于所述贴片区12的至少一侧。结合图5所示，在通过锡膏20将芯片30贴装于所述贴片区12后，进行回流焊的过程中，所述锡膏20向外扩散至所述钝化层3所在的位置时，因锡膏20与钝化层3之间无法实现焊接，故，位于钝化层3处的锡膏20不会继续向外扩散，且在锡膏20自身的内聚力的作用下，锡膏20会向内团聚，即，即使如图12(c)所示，在回流焊前锡膏20向外扩散至钝化层3内，如图12(d)所示，在回流焊后也会向内移动至贴片区12内。从而，能够减小回流焊过程中锡膏20外溢的风险，达到不依赖钝化层3的厚度即可阻挡锡膏20向外扩散的效果。
[0037]请参图3
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图4所示，于本专利技术第一实施方式中，所述钝化层3环绕所述贴片区12设置，从而，在回流焊后，锡膏20均团聚于贴片区12内，能够提高芯片30下方的所述锡膏20的厚度，进而提升最终的半导体封本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种引线框架，具有基岛，所述基岛具有用以贴装芯片的贴片区、位于所述贴片区与所述基岛的边缘之间的封装区；其特征在于：所述引线框架还包括设于所述封装区的钝化层，所述钝化层位于所述贴片区的至少一侧。2.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于：所述引线框架还包括引脚，所述钝化层设于位于所述引脚所在侧的所述封装区内。3.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于：所述钝化层环绕所述贴片区设置。4.如权利要求2或3所述的引线框架，其特征在于：位于所述贴片区相邻侧的两个所述钝化层分段设置或一体设置。5.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于：所述封装区凹设有阻胶槽，所述钝化层设于所述阻胶槽内。6.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐赛，
申请(专利权)人：长电科技宿迁有限公司，
类型：发明
国别省市：